IRFHM3911TRPBF
INFINEON
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | INFINEON |
| Series | HEXFETR |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A(TA), 20A(Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W(Ta), 29W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhms @ 6.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Operating Temperature Range | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Device Package | 8-PQFN(3x3) |
| Technology | Mosfet (Metal Oxide) |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 4,000
MOQ:4,000
SPQ:4,000
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 4,000 - 7,999 | $0.421 |
| 8,000 - 11,999 | $0.396 |
| 12,000 - 15,999 | $0.372 |
| 16,000 - 23,999 | $0.336 |
| 24,000 - | $0.324 |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
