MUN2211T1G
ON SEMICONDUCTOR
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single Pre-Biased |
| Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR |
| Transistor Type | NPN - Pre-Bias |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500 nA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA/10V |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Power - Max | 230 mW |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA/10mA |
| Product Overview | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Device Package | SC-59 |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 4,892
MOQ:2,718
SPQ:1
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 2,718 - | $0.027 |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
