QS8J5TR

QS8J5TR_製品イメージ01

รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง


เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า


คำอธิบายสินค้า

Categoryดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์
ManufacturerROHM
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 10V
Power - Max600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhms @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max)19nC @ 10V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2Pチャンネル(デュアル)
FET FeatureLogic Level Gate
Operating Temperature Range150°C(TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Device PackageTSMT8

・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.

・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.

มีอยู่ในสต้อค: 0

MOQ:1

SPQ:1

จำนวนสินค้าค้างส่ง(Back Order): 3,000


สินค้าที่คล้ายกัน