VT6M1T2CR
ROHM
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Product Specifications
| Category | Discrete semiconductors Arrays |
| Manufacturer | ROHM |
| ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 100mA |
| Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 7.1pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 120mW |
| Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 3.5オーム @ 100mA、4.5V |
| Id印加時のVgs（th）（最大） | 1V @ 100μA |
| 技術 | MOSFET（金属酸化物） |
| 構成 | NおよびPチャンネル |
| FET機能 | ロジックレベルゲート、1.2V駆動 |
| 使用温度範囲 | 150°C(TJ) |
| 取り付けタイプ | 面実装 |
| デバイスパッケージ | VMT6 |
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