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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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ALD210808APCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD210808ASCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD210808PCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 16-PDIP
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ALD210808SCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 16-SOIC
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ALD210814PCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - - - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア 論理レベルゲート - スルーホール 16-PDIP
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ALD210814SCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 4Nチャンネル、整合ペア 論理レベルゲート - 面実装 16-SOIC
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ALD212900APAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA 30pF @ 5V 500mW 14オーム 10mV @ 20µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD212900ASAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA 30pF @ 5V 500mW 14オーム 10mV @ 20µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD212900PAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA 30pF @ 5V 500mW 14オーム 20mV @ 20µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD212900SAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA 30pF @ 5V 500mW 14オーム 20mV @ 20µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD212902PAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD212902SAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD212904SAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD212908APAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD212908ASAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD212908PAL

ALD212908PAL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) スルーホール 8-PDIP
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ALD212908SAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート 0°C~70°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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ALD212914PAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW スルーホール 8-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート - スルーホール 8-PDIP
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ALD212914SAL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 10.6V 80mA 500mW 面実装 8-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 10.6V 80mA - 500mW - 20mV @ 10µA - MOSFET(金属酸化物) 2Nチャンネル(デュアル)整合ペア 論理レベルゲート - 面実装 8-SOIC
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ALD310700APCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 20mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310700ASCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 20mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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ALD310700PCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 20mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310700SCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 20mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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ALD310702APCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 180mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310702ASCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 180mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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ALD310702PCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 180mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310702SCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 180mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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ALD310704APCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 380mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310704ASCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 380mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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ALD310704PCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 380mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310704SCL

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ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 380mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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ALD310708APCL

ALD310708APCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 780mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310708ASCL

ALD310708ASCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 780mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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ALD310708PCL

ALD310708PCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW スルーホール 16-PDIP

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 780mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C スルーホール 16-PDIP
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ALD310708SCL

ALD310708SCL
ADVANCED LINEAR DEVICES INC.

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MOSFET - アレイ 8V 500mW 面実装 16-SOIC

Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold™ 8V - 2.5pF @ 5V 500mW - 780mV @ 1µA - MOSFET(金属酸化物) 4Pチャンネル、整合ペア - 0°C~70°C 面実装 16-SOIC
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AM3531C

AM3531C
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 30V 3.7A(Ta)、2.7A(Ta) 1.15W(Ta) 面実装 6-TSOP

Analog Power Inc. - 30V 3.7A(Ta)、2.7A(Ta) 641pF @ 15V、630pF @ 15V 1.15W(Ta) 58ミリオーム @ 2A、4.5V、112ミリオーム @ 2A、4.5V 500mV @ 250µA 8.7nC @ 4.5V、9.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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AM3816N

AM3816N
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 20V 5.3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 6-TSOP

Analog Power Inc. - 20V 5.3A(Ta) 727pF @ 15V 1.25W(Ta) 30ミリオーム @ 5.3A、4.5V 400mV @ 250µA 12nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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AM3932N

AM3932N
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 3.5A(Ta) 面実装 6-TSOP

Analog Power Inc. - 3.5A(Ta) 63ミリオーム @ 2A、4.5V 400mV @ 250µA MOSFET(金属酸化物) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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AM4502C

AM4502C
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 30V 9.4A(Ta)、7.9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 30V 9.4A(Ta)、7.9A(Ta) 1456pF @ 15V、1934pF @ 15V 2.1W(Ta) 23ミリオーム @ 8.5A、10V 1V @ 250µA 15nC @ 10V、28nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4502CE

AM4502CE
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 30V 9.4A(Ta)、7.9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 30V 9.4A(Ta)、7.9A(Ta) 1309pF @ 15V、1663pF @ 15V 2.1W(Ta) 16ミリオーム @ 4.7A、10V、23ミリオーム @ 3.9A、10V 1V @ 250µA 11nC @ 4.5V、23nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4512C

AM4512C
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 30V 6.7A(Ta)、5.2A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 30V 6.7A(Ta)、5.2A(Ta) 519pF @ 15V、604pF @ 15V 2.1W(Ta) 31ミリオーム @ 4.7A、10V、52ミリオーム @ 4.2A、10V 1V @ 250µA 6nC @ 4.5V、7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4536C

AM4536C
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 30V 7.1A(Ta)、6A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 30V 7.1A(Ta)、6A(Ta) 519pF @ 15V、597pF @ 15V 2.1W(Ta) 28ミリオーム @ 5.7A、10V、39ミリオーム @ 4.8A、10V 1V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V、19nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4541C

AM4541C
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 40V 5.8A(Ta)、3.9A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 40V 5.8A(Ta)、3.9A(Ta) 287pF @ 15V、384pF @ 15V 2.1W(Ta) 42ミリオーム @ 5.3A、10V、90ミリオーム @ 3.6A、10V 1V @ 250µA 3.6nC @ 10V、5.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4599C

AM4599C
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 60V 7.7A(Ta)、4.3A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 60V 7.7A(Ta)、4.3A(Ta) 1465pF @ 15V、1817pF @ 15V 2.1W(Ta) 33ミリオーム @ 5.4A、10V、57ミリオーム @ 5.2A、10V 1V @ 250µA 5nC @ 4.5V、20nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4890N

AM4890N
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 1.4A(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 1.4A(Ta) 700ミリオーム @ 1.2A、10V 1V @ 250µA MOSFET(金属酸化物) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4902N

AM4902N
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 60V 6.4A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 60V 6.4A(Ta) 1460pF @ 15V 2.1W(Ta) 35ミリオーム @ 5.2A、10V 1V @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4910N

AM4910N
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 30V 10A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 30V 10A(Ta) - 2.1W(Ta) 13.5ミリオーム @ 10A、10V 1V @ 250µA 20nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM4998N

AM4998N
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 30V 6.7A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 8-SO

Analog Power Inc. - 30V 6.7A(Ta) 641pF @ 15V 2.1W(Ta) 32ミリオーム @ 5.3A、4.5V 0.5V @ 250µA(最小) 9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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AM7542C

AM7542C
ANALOG POWER INC.

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MOSFET - アレイ 40V 6.9A(Ta)、6.6A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-DFN(5x6)

Analog Power Inc. - 40V 6.9A(Ta)、6.6A(Ta) 1506pF @ 15V、1264pF @ 15V 2.5W(Ta) 39ミリオーム @ 6.6A、10V 1V @ 250µA 10nC @ 4.5V、15nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-DFN(5x6)

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