メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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27 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083270JPTR-ND@0

絶縁型 27 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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270 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083271GPTR-ND@0

絶縁型 270 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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270 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083271JPTR-ND@0

絶縁型 270 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2.7k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083272GPTR-ND@0

絶縁型 2.7k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 2.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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27k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 27k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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27k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 27k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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270k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 270k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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270k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 270k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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30 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 30 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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30 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 30 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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300 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 300 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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300 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 300 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 3k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083302JPTR-ND@0

絶縁型 3k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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30k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 30k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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30k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 30k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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300k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 300k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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300k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 300k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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33 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 33 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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33 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083330JPTR-ND@0

絶縁型 33 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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330 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083331GPTR-ND@0

絶縁型 330 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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330 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083331JPTR-ND@0

絶縁型 330 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3.3k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083332GPTR-ND@0

絶縁型 3.3k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3.3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083332JPTR-ND@0

絶縁型 3.3k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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33k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083333GPTR-ND@0

絶縁型 33k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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33k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083333JPTR-ND@0

絶縁型 33k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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330k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 330k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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330k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083334JPTR-ND@0

絶縁型 330k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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36 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 36 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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36 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 36 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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360 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 360 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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360 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 360 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3.6k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.6k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.6k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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36k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 36k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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36k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083363JPTR-ND@0

絶縁型 36k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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360k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083364GPTR-ND@0

絶縁型 360k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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360k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083364JPTR-ND@0

絶縁型 360k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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39 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083390GPTR-ND@0

絶縁型 39 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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39 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083390JPTR-ND@0

絶縁型 39 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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390 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083391GPTR-ND@0

絶縁型 390 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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390 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083391JPTR-ND@0

絶縁型 390 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3.9k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083392GPTR-ND@0

絶縁型 3.9k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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3.9k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083392JPTR-ND@0

絶縁型 3.9k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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39k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083393GPTR-ND@0

絶縁型 39k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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S42C083393JP

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39k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083393JPTR-ND@0

絶縁型 39k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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390k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083394GPTR-ND@0

絶縁型 390k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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S42C083394JP

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390k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083394JPTR-ND@0

絶縁型 390k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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43 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-60-S42C083430GPTR-ND@0

絶縁型 43 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)