メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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100 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 100 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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10k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 10k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 10k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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100k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 100k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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100k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 100k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1M オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1M - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1M オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1M - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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11 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 11 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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絶縁型 11 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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絶縁型 110 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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110 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 110 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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絶縁型 1.1k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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絶縁型 11k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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11k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 11k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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110k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 110k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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110k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 110k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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12 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 12 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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12 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 12 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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120 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 120 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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120 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 120 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.2k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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12k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 12k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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12k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 12k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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120k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 120k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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120k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 120k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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13 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 13 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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13 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 13 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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130 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 130 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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130 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 130 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.3k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.3k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.3k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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13k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 13k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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13k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 13k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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130k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083134GPTR-ND@0

絶縁型 130k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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130k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083134JPTR-ND@0

絶縁型 130k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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15 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 15 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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15 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 15 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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150 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083151GPTR-ND@0

絶縁型 150 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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150 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083151JPTR-ND@0

絶縁型 150 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.5k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083152GPTR-ND@0

絶縁型 1.5k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.5k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083152JPTR-ND@0

絶縁型 1.5k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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15k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083153GPTR-ND@0

絶縁型 15k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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15k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083153JPTR-ND@0

絶縁型 15k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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150k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 150k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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150k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 150k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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16 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 16 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)