メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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16 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 16 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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160 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 160 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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160 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 160 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.6k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.6k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.6k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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16k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 16k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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16k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 16k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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160k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 160k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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160k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 160k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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18 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 18 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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18 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 18 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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180 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 180 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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180 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 180 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.8k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.8k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.8k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.8k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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18k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 18k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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18k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 18k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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180k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 180k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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180k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 180k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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20 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 20 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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20 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 20 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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200 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 200 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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200 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 200 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 2k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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20k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 20k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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20k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 20k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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200k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 200k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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200k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 200k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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22 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 22 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 22 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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220 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 220 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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220 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 220 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2.2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 2.2k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 2.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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22k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 22k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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22k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083223JPTR-ND@0

絶縁型 22k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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220k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083224GPTR-ND@0

絶縁型 220k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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220k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083224JPTR-ND@0

絶縁型 220k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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24 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 24 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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24 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083240JPTR-ND@0

絶縁型 24 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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240 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083241GPTR-ND@0

絶縁型 240 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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240 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083241JPTR-ND@0

絶縁型 240 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2.4k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083242GPTR-ND@0

絶縁型 2.4k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2.4k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083242JPTR-ND@0

絶縁型 2.4k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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24k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083243GPTR-ND@0

絶縁型 24k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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24k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083243JPTR-ND@0

絶縁型 24k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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240k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 240k - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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240k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 240k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)
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27 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S42C083270GPTR-ND@0

絶縁型 27 - 4 - 63mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 1206 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.022インチ(0.55mm)