メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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330 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 330 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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330 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 330 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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33.2k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 33.2k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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3.3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.3k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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3.3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.3k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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33k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 33k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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33k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 33k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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330k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 330k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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33 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 33 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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360 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 360 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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39 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 39 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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39 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 39 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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390 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 390 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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390 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 390 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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3.9k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.9k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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3.9k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.9k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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39k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 39k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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390k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 390k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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402k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 402k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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470 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 470 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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4.7k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.7k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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47k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 47k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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47 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 47 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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47 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 47 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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470 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 470 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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470 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 470 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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CTS RESISTOR PRODUCTS

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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 4.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.126インチ x 幅0.063インチ(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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CTS RESISTOR PRODUCTS

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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 4.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.126インチ x 幅0.063インチ(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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47k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 47k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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47k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 47k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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470k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 470k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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470k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 470k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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4.75k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.75k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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49.9 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 49.9 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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51 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 51 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742C083510JP

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51 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742C083510JPCT-ND@0

絶縁型 51 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
Partner Stock

742C083511JP

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510 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742C083511JPCT-ND@0

絶縁型 510 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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510 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742C083511JPTR-ND@0

絶縁型 510 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)