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他社在庫
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FLASH - NAND、DRAM - LPDDR メモリ IC 8Gバイト（NAND）、8Gビット（LPDDR3 DRAM） eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 136-FBGA（10x10）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-5625-08EP08-N3GTC32-GA67-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
KINGSTON TECHNOLOGY
|
ePop
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR
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8Gバイト（NAND）、8Gビット（LPDDR3 DRAM）
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eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3
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1.8V、3.3V
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-25°C～85°C
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面実装
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136-FBGA（10x10）
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM） パラレル 208 MHz 168-WFBGA（12x12）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-1832-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
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4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM）
|
256M x 16 （NAND）、128M x 16 （LPDRAM）
|
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208 MHz
|
パラレル
|
1.7V～1.95V
|
-40°C～85°C（TA）
|
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面実装
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168-WFBGA（12x12）
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM） パラレル 208 MHz 168-WFBGA（12x12）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-1832-2-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
|
4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM）
|
256M x 16 （NAND）、128M x 16 （LPDRAM）
|
|
208 MHz
|
パラレル
|
1.7V～1.95V
|
-40°C～85°C（TA）
|
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面実装
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168-WFBGA（12x12）
|
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM） パラレル 208 MHz 137-VFBGA（13x10.5）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-1999-2-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
|
4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM）
|
256M x 16 （NAND）、128M x 16 （LPDRAM）
|
|
208 MHz
|
パラレル
|
1.7V～1.95V
|
-40°C～85°C（TA）
|
|
面実装
|
137-VFBGA（13x10.5）
|
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM） パラレル 208 MHz 137-VFBGA（13x10.5）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-1999-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
|
4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDRAM）
|
256M x 16 （NAND）、128M x 16 （LPDRAM）
|
|
208 MHz
|
パラレル
|
1.7V～1.95V
|
-40°C～85°C（TA）
|
|
面実装
|
137-VFBGA（13x10.5）
|
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|
|
|
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他社在庫
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FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4） パラレル 1866 MHz 149-WFBGA（8x9.5）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4）
|
512M x 8 （NAND）、128M x 32 （LPDDR4）
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～105°C（TC）
|
|
面実装
|
149-WFBGA（8x9.5）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4） パラレル 1866 MHz 149-WFBGA（8x9.5）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87JTRCT-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4）
|
512M x 8 （NAND）、128M x 32 （LPDDR4）
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～105°C（TC）
|
|
面実装
|
149-WFBGA（8x9.5）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4） パラレル 1866 MHz 149-WFBGA（8x9.5）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87JTR-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4）
|
512M x 8 （NAND）、128M x 32 （LPDDR4）
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～105°C（TC）
|
|
面実装
|
149-WFBGA（8x9.5）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4） パラレル 1866 MHz 149-WFBGA（8x9.5）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4）
|
512M x 8 （NAND）、128M x 32 （LPDDR4）
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～85°C（TA）
|
|
面実装
|
149-WFBGA（8x9.5）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
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|
|
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4） パラレル 1866 MHz 149-WFBGA（8x9.5）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87JTRCT-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4）
|
512M x 8 （NAND）、128M x 32 （LPDDR4）
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～85°C（TA）
|
|
面実装
|
149-WFBGA（8x9.5）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4） パラレル 1866 MHz 149-WFBGA（8x9.5）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87JTR-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR4）
|
512M x 8 （NAND）、128M x 32 （LPDDR4）
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～85°C（TA）
|
|
面実装
|
149-WFBGA（8x9.5）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
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|
|
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2 メモリ IC 4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDDR2） パラレル 533 MHz 162-VFBGA（10.5x8）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-1889-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2
|
4Gビット（NAND）、2Gビット（LPDDR2）
|
128M x 32 （NAND）、64M x 32 （LPDDR2）
|
|
533 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～85°C（TA）
|
|
面実装
|
162-VFBGA（10.5x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
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|
|
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2 メモリ IC 4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR2） パラレル 533 MHz 162-VFBGA（10.5x8）
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-557-1890-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2
|
4Gビット（NAND）、4Gビット（LPDDR2）
|
128M x 32 （NAND）、128M x 32 （LPDDR2）
|
|
533 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C～85°C（TA）
|
|
面実装
|
162-VFBGA（10.5x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
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|
|
|
FLASH、SRAM メモリ IC 16Mビット（FLASH）、4Mビット（RAM） パラレル 70 ns 66-SCSP（8x12）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-855158-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
ALTERA
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、SRAM
|
16Mビット（FLASH）、4Mビット（RAM）
|
|
70 ns
|
|
パラレル
|
2.7V～3.3V
|
-25°C～85°C（TC）
|
|
面実装
|
66-SCSP（8x12）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、DRAM メモリ IC 256Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） パラレル 100 MHz 24-FBGA（6x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-S71KL256SC0BHB000-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
100 MHz
|
パラレル
|
2.7V～3.6V
|
-40°C～105°C（TA）
|
|
面実装
|
24-FBGA（6x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、DRAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） パラレル 100 MHz 24-FBGA（6x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S71KL512SC0BHV000-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
100 MHz
|
パラレル
|
2.7V～3.6V
|
-40°C～105°C（TA）
|
|
面実装
|
24-FBGA（6x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
|
|
FLASH、DRAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） パラレル 166 MHz 24-FBGA（6x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S71KS512SC0BHB000-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
166 MHz
|
パラレル
|
1.7V～1.95V
|
-40°C～105°C（TA）
|
|
面実装
|
24-FBGA（6x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、DRAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） パラレル 166 MHz 24-FBGA（6x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S71KS512SC0BHV000-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
166 MHz
|
パラレル
|
1.7V～1.95V
|
-40°C～105°C（TA）
|
|
面実装
|
24-FBGA（6x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、DRAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） HyperBus 166 MHz 24-FBGA（8x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S76HL512TC0BHB000-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
Semper™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
166 MHz
|
HyperBus
|
2.7V～3.6V
|
-40°C～105°C
|
|
面実装
|
24-FBGA（8x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） HyperBus 166 MHz PG-BGA-24
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-448-S76HL512TC0BHB003TR-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
Semper™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、RAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
166 MHz
|
HyperBus
|
2.7V～3.6V
|
-40°C～105°C
|
|
面実装
|
PG-BGA-24
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） HyperBus 166 MHz PG-BGA-24
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-448-S76HL512TC0BHB003CT-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
Semper™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、RAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
166 MHz
|
HyperBus
|
2.7V～3.6V
|
-40°C～105°C
|
|
面実装
|
PG-BGA-24
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、DRAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） HyperBus 200 MHz 24-FBGA（8x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S76HS512TC0BHB010-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
Semper™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
200 MHz
|
HyperBus
|
1.7V～2V
|
-40°C～105°C
|
|
面実装
|
24-FBGA（8x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） HyperBus 200 MHz PG-BGA-24
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-448-S76HS512TC0BHB013TR-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
Semper™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、RAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
200 MHz
|
HyperBus
|
1.7V～2V
|
-40°C～105°C
|
|
面実装
|
PG-BGA-24
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） HyperBus 200 MHz PG-BGA-24
梱包形態：テープカット
コアスタッフ型名：zp2216-448-S76HS512TC0BHB013CT-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
Semper™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、RAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
200 MHz
|
HyperBus
|
1.7V～2V
|
-40°C～105°C
|
|
面実装
|
PG-BGA-24
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） SPI～オクタルI/O 166 MHz 24-FBGA（8x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S78HL512TC0BHB000-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HYPERRAM™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、RAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
166 MHz
|
SPI～オクタルI/O
|
2.7V～3.6V
|
-40°C～105°C（TA）
|
|
面実装
|
24-FBGA（8x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） SPI～オクタルI/O 166 MHz 24-FBGA（8x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S78HL512TC0BHB003-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HYPERRAM™
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、RAM
|
512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
|
|
|
166 MHz
|
SPI～オクタルI/O
|
2.7V～3.6V
|
-40°C～105°C（TA）
|
|
面実装
|
24-FBGA（8x8）
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
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FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） SPI～オクタルI/O 200 MHz 24-FBGA（8x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S78HS512TC0BHB010-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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HYPERRAM™
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、RAM
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512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
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200 MHz
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SPI～オクタルI/O
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1.7V～2V
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-40°C～105°C（TA）
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面実装
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24-FBGA（8x8）
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他社在庫
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FLASH、RAM メモリ IC 512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM） SPI～オクタルI/O 200 MHz 24-FBGA（8x8）
梱包形態：トレイ
コアスタッフ型名：zp2216-448-S78HS512TC0BHB013-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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HYPERRAM™
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、RAM
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512Mビット（FLASH）、64Mビット（RAM）
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200 MHz
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SPI～オクタルI/O
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1.7V～2V
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-40°C～105°C（TA）
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面実装
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24-FBGA（8x8）
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