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他社在庫
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FLASH - NAND、DRAM - LPDDR メモリ IC 8Gバイト(NAND)、8Gビット(LPDDR3 DRAM) eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 136-FBGA(10x10)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-5625-08EP08-N3GTC32-GA67-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
KINGSTON TECHNOLOGY
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ePop
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH - NAND、DRAM - LPDDR
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8Gバイト(NAND)、8Gビット(LPDDR3 DRAM)
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eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3
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1.8V、3.3V
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-25°C~85°C
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面実装
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136-FBGA(10x10)
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM) パラレル 208 MHz 168-WFBGA(12x12)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-1832-2-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
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4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM)
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256M x 16 (NAND)、128M x 16 (LPDRAM)
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208 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
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168-WFBGA(12x12)
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM) パラレル 208 MHz 168-WFBGA(12x12)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-1832-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
|
4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM)
|
256M x 16 (NAND)、128M x 16 (LPDRAM)
|
|
208 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
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面実装
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168-WFBGA(12x12)
|
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM) パラレル 208 MHz 137-VFBGA(13x10.5)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-1999-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
|
4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM)
|
256M x 16 (NAND)、128M x 16 (LPDRAM)
|
|
208 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
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面実装
|
137-VFBGA(13x10.5)
|
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他社在庫
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フラッシュ - NAND、モバイルLPDRAM メモリ IC 4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM) パラレル 208 MHz 137-VFBGA(13x10.5)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-1999-2-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、モバイルLPDRAM
|
4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDRAM)
|
256M x 16 (NAND)、128M x 16 (LPDRAM)
|
|
208 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
137-VFBGA(13x10.5)
|
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他社在庫
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FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4) パラレル 1866 MHz 149-WFBGA(8x9.5)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4)
|
512M x 8 (NAND)、128M x 32 (LPDDR4)
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~105°C(TC)
|
|
面実装
|
149-WFBGA(8x9.5)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4) パラレル 1866 MHz 149-WFBGA(8x9.5)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87JTR-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4)
|
512M x 8 (NAND)、128M x 32 (LPDDR4)
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~105°C(TC)
|
|
面実装
|
149-WFBGA(8x9.5)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4) パラレル 1866 MHz 149-WFBGA(8x9.5)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87JTRCT-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4)
|
512M x 8 (NAND)、128M x 32 (LPDDR4)
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~105°C(TC)
|
|
面実装
|
149-WFBGA(8x9.5)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4) パラレル 1866 MHz 149-WFBGA(8x9.5)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4)
|
512M x 8 (NAND)、128M x 32 (LPDDR4)
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
149-WFBGA(8x9.5)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
|
|
|
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4) パラレル 1866 MHz 149-WFBGA(8x9.5)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87JTR-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4)
|
512M x 8 (NAND)、128M x 32 (LPDDR4)
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
149-WFBGA(8x9.5)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
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|
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|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4 メモリ IC 4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4) パラレル 1866 MHz 149-WFBGA(8x9.5)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87JTRCT-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR4
|
4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR4)
|
512M x 8 (NAND)、128M x 32 (LPDDR4)
|
|
1866 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
149-WFBGA(8x9.5)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
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|
|
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2 メモリ IC 4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDDR2) パラレル 533 MHz 162-VFBGA(10.5x8)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-1889-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2
|
4Gビット(NAND)、2Gビット(LPDDR2)
|
128M x 32 (NAND)、64M x 32 (LPDDR2)
|
|
533 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
162-VFBGA(10.5x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2 メモリ IC 4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR2) パラレル 533 MHz 162-VFBGA(10.5x8)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-557-1890-1-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
MICRON TECHNOLOGY
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH - NAND、DRAM - LPDDR2
|
4Gビット(NAND)、4Gビット(LPDDR2)
|
128M x 32 (NAND)、128M x 32 (LPDDR2)
|
|
533 MHz
|
パラレル
|
1.8V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
162-VFBGA(10.5x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
FLASH、SRAM メモリ IC 16Mビット(FLASH)、4Mビット(RAM) パラレル 70 ns 66-SCSP(8x12)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-855158-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
ALTERA
|
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、SRAM
|
16Mビット(FLASH)、4Mビット(RAM)
|
|
70 ns
|
|
パラレル
|
2.7V~3.3V
|
-25°C~85°C(TC)
|
|
面実装
|
66-SCSP(8x12)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71GL064NB0BHW0P0-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
GL-N
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、PSRAM
|
64Mビット(FLASH)、32Mビット(RAM)
|
4M x 16、2M x 16
|
90 ns
|
|
パラレル
|
2.7V~3.3V
|
-25°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
56-FBGA、CSP(7x9)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71KL256SC0BHB003-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HYPERFLASH™ + HYPERRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
100 MHz
|
パラレル
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
24-FBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71KL512SC0BHB000-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HYPERFLASH™ + HYPERRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
100 MHz
|
パラレル
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
24-FBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71KL512SC0BHB003-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HYPERFLASH™ + HYPERRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
100 MHz
|
パラレル
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
24-FBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71KL512SC0BHV003-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HYPERFLASH™ + HYPERRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
100 MHz
|
パラレル
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
24-FBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71KS512SC0BHB003-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HYPERFLASH™ + HYPERRAM™ KL
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
512Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
166 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
24-FBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71VS128RC0AHK4L0-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
VS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、PSRAM
|
128Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-25°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
56-VFRBGA(7.7x6.2)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71VS128RC0AHK4L3-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
VS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、PSRAM
|
128Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-25°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
56-VFRBGA(7.7x6.2)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71WS256PC0HH3YR0-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
WS-P
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、PSRAM
|
256Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
80 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-25°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
84-FBGA(8x11.6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S71WS256PC0HH3YR3-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
WS-P
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、PSRAM
|
256Mビット(FLASH)、64Mビット(RAM)
|
|
|
80 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-25°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
84-FBGA(8x11.6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72VS256RE0AHBH10-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
VS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-25°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
133-FBGA(8x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72VS256RE0AHBJ10-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
VS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-25°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
133-FBGA(8x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBH20-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
133-FBGA(8x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBH23-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
XS-R
|
不揮発性、揮発性
|
FLASH、RAM
|
FLASH、DRAM
|
256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
|
|
|
108 MHz
|
パラレル
|
1.7V~1.95V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
133-FBGA(8x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBHH0-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、DRAM
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256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
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108 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBHH3-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、DRAM
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256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
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108 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJ20-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、DRAM
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256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
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108 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJ23-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、DRAM
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256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
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108 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJH0-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、DRAM
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256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
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108 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
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他社在庫
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-S72XS256RE0AHBJH3-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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Infineon Technologies
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XS-R
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不揮発性、揮発性
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FLASH、RAM
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FLASH、DRAM
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256Mビット(FLASH)、256Mビット(DDR DRAM)
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108 MHz
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パラレル
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1.7V~1.95V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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133-FBGA(8x8)
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