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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット xSPI - オクタルI/O 200 MHz 7 ns 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM004LXOBB320CS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
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不揮発性
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RAM
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MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
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512K x 8
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7 ns
|
200 MHz
|
xSPI - オクタルI/O
|
1.65V~2V
|
0°C~70°C(TA)
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面実装
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24-TBGA(6x8)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット xSPI - オクタルI/O 200 MHz 7 ns 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM004LXOBB320IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
512K x 8
|
7 ns
|
200 MHz
|
xSPI - オクタルI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
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24-TBGA(6x8)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 8Mビット xSPI - オクタルI/O 200 MHz 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM008LXOAB320IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
8Mビット
|
1M x 8
|
|
200 MHz
|
xSPI - オクタルI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
|
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面実装
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24-TBGA(6x8)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 8Mビット xSPI - クワッドI/O 133 MHz 8-DFN(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM008LXQADG13IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
8Mビット
|
1M x 8
|
|
133 MHz
|
xSPI - クワッドI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
|
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面実装
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8-DFN(6x8)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 16Mビット xSPI - オクタルI/O 200 MHz 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM016LXOAB320IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
16Mビット
|
2M x 8
|
|
200 MHz
|
xSPI - オクタルI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
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面実装
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24-TBGA(6x8)
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他社在庫
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|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 16Mビット xSPI - クワッドI/O 133 MHz 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM016LXQAB313CS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
16Mビット
|
2M x 8
|
|
133 MHz
|
xSPI - クワッドI/O
|
1.65V~2V
|
0°C~70°C
|
|
面実装
|
24-TBGA(6x8)
|
|
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他社在庫
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|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 16Mビット xSPI - クワッドI/O 133 MHz 8-DFN(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM016LXQADG13IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
16Mビット
|
2M x 8
|
|
133 MHz
|
xSPI - クワッドI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
|
|
面実装
|
8-DFN(6x8)
|
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|
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他社在庫
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|
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|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 32Mビット xSPI - オクタルI/O 200 MHz 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM032LXOAB320IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
32Mビット
|
4M x 8
|
|
200 MHz
|
xSPI - オクタルI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
|
|
面実装
|
24-TBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
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|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 32Mビット xSPI - クワッドI/O 133 MHz 8-DFN(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM032LXQADG13IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
32Mビット
|
4M x 8
|
|
133 MHz
|
xSPI - クワッドI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
|
|
面実装
|
8-DFN(6x8)
|
|
|
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|
|
他社在庫
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|
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|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 64Mビット xSPI - オクタルI/O 200 MHz 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM064LXOAB320CS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
64Mビット
|
8M x 8
|
|
200 MHz
|
xSPI - オクタルI/O
|
1.65V~2V
|
0°C~70°C
|
|
面実装
|
24-TBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 64Mビット xSPI - オクタルI/O 200 MHz 24-TBGA(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM064LXOAB320IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
64Mビット
|
8M x 8
|
|
200 MHz
|
xSPI - オクタルI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
|
|
面実装
|
24-TBGA(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 64Mビット xSPI - クワッドI/O 133 MHz 8-DFN(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM064LXQADG13CS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
64Mビット
|
8M x 8
|
|
133 MHz
|
xSPI - クワッドI/O
|
1.65V~2V
|
0°C~70°C
|
|
面実装
|
8-DFN(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 64Mビット xSPI - クワッドI/O 133 MHz 8-DFN(6x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-EM064LXQADG13IS1T-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
EMxxLX
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
64Mビット
|
8M x 8
|
|
133 MHz
|
xSPI - クワッドI/O
|
1.65V~2V
|
-40°C~85°C
|
|
面実装
|
8-DFN(6x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 1Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1002-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
1Mビット
|
128K x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 1Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1005-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
1Mビット
|
64K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 1Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1007-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
1Mビット
|
64K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 2Mビット SPI 35 ns 48-FBGA(8x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-MR1A16ACMA35-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
2Mビット
|
128K x 16
|
35 ns
|
|
SPI
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
48-FBGA(8x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 2Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1008-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
2Mビット
|
128K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 2Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1009-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
2Mビット
|
128K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 2Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1010-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
2Mビット
|
128K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット SPI 50 MHz 8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1043-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
512K x 8
|
|
50 MHz
|
SPI
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 256Kビット パラレル 35 ns 48-FBGA(8x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1036-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
256Kビット
|
32K x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
48-FBGA(8x8)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 256Kビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1024-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
256Kビット
|
32K x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 1Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、ラージフラグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1014-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
1Mビット
|
128K x 8
|
|
40 MHz
|
SPI
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
8-DFN-EP、ラージフラグ(5x6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 1Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1039-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
1Mビット
|
128K x 8
|
|
40 MHz
|
SPI
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 1Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、ラージフラグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1047-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
1Mビット
|
128K x 8
|
|
40 MHz
|
SPI
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~125°C(TA)
|
|
面実装
|
8-DFN-EP、ラージフラグ(5x6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 1Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1042-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
1Mビット
|
128K x 8
|
|
40 MHz
|
SPI
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~125°C(TA)
|
|
面実装
|
8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 128Kビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-MR25H128ACDF-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
128Kビット
|
16K x 8
|
|
40 MHz
|
SPI
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 256Kビット SPI 40 MHz 8-DFN(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1064-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
256Kビット
|
32K x 8
|
|
40 MHz
|
SPI
|
2.7V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
8-DFN(5x6)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 256Kビット SPI 40 MHz 8-DFN(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1065-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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EVERSPIN TECHNOLOGIES
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不揮発性
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RAM
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MRAM(磁気抵抗RAM)
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256Kビット
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32K x 8
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40 MHz
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SPI
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2.7V~3.6V
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-40°C~125°C(TA)
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面実装
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8-DFN(5x6)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 256Kビット SPI 40 MHz 8-DFN(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1015-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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EVERSPIN TECHNOLOGIES
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不揮発性
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RAM
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MRAM(磁気抵抗RAM)
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256Kビット
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32K x 8
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40 MHz
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SPI
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2.7V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
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8-DFN(5x6)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 256Kビット SPI 40 MHz 8-DFN(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1038-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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EVERSPIN TECHNOLOGIES
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不揮発性
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RAM
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MRAM(磁気抵抗RAM)
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256Kビット
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32K x 8
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40 MHz
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SPI
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2.7V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
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8-DFN(5x6)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、ラージフラグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1037-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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EVERSPIN TECHNOLOGIES
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不揮発性
|
RAM
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MRAM(磁気抵抗RAM)
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4Mビット
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512K x 8
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40 MHz
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SPI
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3V~3.6V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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8-DFN-EP、ラージフラグ(5x6)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1040-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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EVERSPIN TECHNOLOGIES
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不揮発性
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RAM
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MRAM(磁気抵抗RAM)
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4Mビット
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512K x 8
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40 MHz
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SPI
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3V~3.6V
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-40°C~85°C(TA)
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面実装
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8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-MR25H40DF-ND@0
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電子CAD:Quadceptで利用可能
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EVERSPIN TECHNOLOGIES
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不揮発性
|
RAM
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MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
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512K x 8
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40 MHz
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SPI
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3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
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面実装
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8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット SPI 40 MHz 8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1055-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
512K x 8
|
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40 MHz
|
SPI
|
3V~3.6V
|
-40°C~125°C(TA)
|
|
面実装
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8-DFN-EP、スモールフラッグ(5x6)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 48-FBGA(8x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1034-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
512K x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
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48-FBGA(8x8)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1003-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
512K x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
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44-TSOP2
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|
他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1004-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
512K x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
|
|
面実装
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44-TSOP2
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 48-FBGA(8x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1020-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
256K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
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48-FBGA(8x8)
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1011-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
256K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
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|
面実装
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44-TSOP2
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他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 48-FBGA(8x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1018-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
256K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
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面実装
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48-FBGA(8x8)
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|
他社在庫
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|
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 48-FBGA(8x8)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1022-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
256K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
48-FBGA(8x8)
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|
|
他社在庫
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1012-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
256K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~105°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
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|
他社在庫
|
|
|
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|
|
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|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 4Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1013-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
4Mビット
|
256K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
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|
|
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 8Mビット パラレル 35 ns 48-FBGA(10x10)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-MR3A16ACMA35-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
8Mビット
|
512K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
48-FBGA(10x10)
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 8Mビット パラレル 35 ns 54-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-MR3A16ACYS35-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
8Mビット
|
512K x 16
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
54-TSOP2
|
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|
|
|
|
他社在庫
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|
|
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|
|
|
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MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 16Mビット パラレル 35 ns 48-FBGA(10x10)
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1049-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
16Mビット
|
2M x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
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面実装
|
48-FBGA(10x10)
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|
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|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 16Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1050-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
16Mビット
|
2M x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
-40°C~85°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
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|
|
|
MRAM(磁気抵抗RAM) メモリ IC 16Mビット パラレル 35 ns 44-TSOP2
梱包形態:トレイ
コアスタッフ型名:zp2216-819-1052-ND@0
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
EVERSPIN TECHNOLOGIES
|
|
不揮発性
|
RAM
|
MRAM(磁気抵抗RAM)
|
16Mビット
|
2M x 8
|
35 ns
|
|
パラレル
|
3V~3.6V
|
0°C~70°C(TA)
|
|
面実装
|
44-TSOP2
|
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