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Vishay SiliconixのFET製品一覧

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ヒット検索結果：1080件 / 型名：指定なし / ステイタス：すべて / 数量：0PCS~ / メーカー：Vishay Siliconix / シリーズ：すべて

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			他社在庫		SI1016CX-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 20V 220mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	20V	-	43pF @ 10V	220mW	396ミリオーム @ 500mA、4.5V	1V @ 250µA	2nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1016CX-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 20V 220mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	20V	-	43pF @ 10V	220mW	396ミリオーム @ 500mA、4.5V	1V @ 250µA	2nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1024X-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 20V 485mA 250mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	20V	485mA	-	250mW	700ミリオーム @ 600mA、4.5V	900mV @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1024X-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 20V 485mA 250mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	20V	485mA	-	250mW	700ミリオーム @ 600mA、4.5V	900mV @ 250µA	0.75nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1025X-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 60V 190mA 250mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	60V	190mA	23pF @ 25V	250mW	4オーム @ 500mA、10V	3V @ 250µA	1.7nC @ 15V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1025X-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 60V 190mA 250mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	60V	190mA	23pF @ 25V	250mW	4オーム @ 500mA、10V	3V @ 250µA	1.7nC @ 15V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1026X-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 60V 305mA 250mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	-	60V	305mA	30pF @ 25V	250mW	1.4オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1026X-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 60V 305mA 250mW 面実装 SC-89（SOT-563F）梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	-	60V	305mA	30pF @ 25V	250mW	1.4オーム @ 500mA、10V	2.5V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-89（SOT-563F）
			他社在庫		SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 30V 700mA、500mA 340mW 面実装 SC-70-6 梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	30V	700mA、500mA	28pF @ 15V	340mW	388ミリオーム @ 600mA、10V	2.5V @ 250µA	1.5nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-70-6
			他社在庫		SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 30V 700mA、500mA 340mW 面実装 SC-70-6 梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	30V	700mA、500mA	28pF @ 15V	340mW	388ミリオーム @ 600mA、10V	2.5V @ 250µA	1.5nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SC-70-6
			他社在庫		SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 30V 2.9A 1.4W 面実装 6-TSOP 梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	30V	2.9A	210pF @ 15V	1.4W	111ミリオーム @ 2.5A、10V	2.2V @ 250µA	8nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	-55°C～150°C（TJ）			面実装	6-TSOP
			他社在庫		SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 30V 2.9A 1.4W 面実装 6-TSOP 梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	30V	2.9A	210pF @ 15V	1.4W	111ミリオーム @ 2.5A、10V	2.2V @ 250µA	8nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	-55°C～150°C（TJ）			面実装	6-TSOP
			他社在庫		SIA931DJ-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 30V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	30V	4.5A	445pF @ 15V	7.8W	65ミリオーム @ 3A、10V	2.2V @ 250µA	13nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	PowerPAK® SC-70-6デュアル
			他社在庫		SIA931DJ-T1-GE3 VISHAY SILICONIX						MOSFET - アレイ 30V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル梱包形態：テープカット	電子CAD:Quadceptで利用可能	Vishay Siliconix	TrenchFET®	30V	4.5A	445pF @ 15V	7.8W	65ミリオーム @ 3A、10V	2.2V @ 250µA	13nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）			面実装	PowerPAK® SC-70-6デュアル

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