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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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2N6660

2N6660
VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 60 V 990mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-205AD(TO-39)
核友型号:zp2216-2N6660-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 990mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 3オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-205AD(TO-39) MOSFET(金属酸化物) -
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2N6660-2

2N6660-2
VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 60 V 990mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-205AD(TO-39)
核友型号:zp2216-2N6660-2-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 990mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 3オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-205AD(TO-39) MOSFET(金属酸化物) -
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2N6660-E3

2N6660-E3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 990mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-205AD(TO-39)
核友型号:zp2216-2N6660-E3-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 990mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 3オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-205AD(TO-39) MOSFET(金属酸化物) -
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2N6660JTVP02

2N6660JTVP02
VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 60 V 990mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-205AD(TO-39)
核友型号:zp2216-2N6660JTVP02-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 990mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 3オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-205AD(TO-39) MOSFET(金属酸化物) -
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2N6660JTXP02

2N6660JTXP02
VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 60 V 990mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-205AD(TO-39)
核友型号:zp2216-2N6660JTXP02-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 990mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 3オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-205AD(TO-39) MOSFET(金属酸化物) -
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2N6661

2N6661
VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 90 V 860mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-39
核友型号:zp2216-2N6661-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 90 V 5V、10V 860mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 4オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-39 MOSFET(金属酸化物) -
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2N6661-2

2N6661-2
VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 90 V 860mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-39
核友型号:zp2216-2N6661-2-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 90 V 5V、10V 860mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 4オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-39 MOSFET(金属酸化物) -
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2N6661-E3

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VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 90 V 860mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-39
核友型号:zp2216-2N6661-E3-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 90 V 5V、10V 860mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 4オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-39 MOSFET(金属酸化物) -
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2N6661JTVP02

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VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 90 V 860mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-39
核友型号:zp2216-2N6661JTVP02-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 90 V 5V、10V 860mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 4オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-39 MOSFET(金属酸化物) -
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2N6661JTX02

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VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 90 V 860mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-39
核友型号:zp2216-2N6661JTX02-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 90 V 5V、10V 860mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 4オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-39 MOSFET(金属酸化物) -
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2N6661JTXP02

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VISHAY SILICONIX

   

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Nチャンネル 90 V 860mA(Tc) 725mW(Ta)、6.25W(Tc) スルーホール TO-39
核友型号:zp2216-2N6661JTXP02-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 90 V 5V、10V 860mA(Tc) 50 pF @ 25 V 725mW(Ta)、6.25W(Tc) 4オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-39 MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002-E3

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VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 115mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 TO-236
核友型号:zp2216-2N7002-E3CT-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 115mA(Ta) 50 pF @ 25 V 200mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-236 MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002-E3

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VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 115mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 TO-236
核友型号:zp2216-2N7002-E3TR-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 115mA(Ta) 50 pF @ 25 V 200mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-236 MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002-T1-E3

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VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 115mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 TO-236
核友型号:zp2216-2N7002-T1-E3CT-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 5V、10V 115mA(Ta) 50 pF @ 25 V 200mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-236 MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 240mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236
核友型号:zp2216-2N7002E-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 10V 240mA(Ta) 21 pF @ 5 V 350mW(Ta) 3オーム @ 250mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-236 MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 240mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236
核友型号:zp2216-2N7002E-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix - Nチャンネル 60 V 10V 240mA(Ta) 21 pF @ 5 V 350mW(Ta) 3オーム @ 250mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-236 MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002K-T1-E3

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VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
核友型号:zp2216-742-2N7002K-T1-E3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 300mA(Ta) 30 pF @ 25 V 350mW(Ta) 2オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002K-T1-E3

2N7002K-T1-E3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
核友型号:zp2216-742-2N7002K-T1-E3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 300mA(Ta) 30 pF @ 25 V 350mW(Ta) 2オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002K-T1-GE3

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VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
核友型号:zp2216-2N7002K-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 300mA(Ta) 30 pF @ 25 V 350mW(Ta) 2オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
核友型号:zp2216-2N7002K-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 300mA(Ta) 30 pF @ 25 V 350mW(Ta) 2オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 220mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1016CX-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 20V - 43pF @ 10V 220mW 396ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 220mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1016CX-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 20V - 43pF @ 10V 220mW 396ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 485mA 250mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1024X-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 20V 485mA - 250mW 700ミリオーム @ 600mA、4.5V 900mV @ 250µA 0.75nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 485mA 250mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1024X-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 20V 485mA - 250mW 700ミリオーム @ 600mA、4.5V 900mV @ 250µA 0.75nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 190mA 250mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1025X-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 60V 190mA 23pF @ 25V 250mW 4オーム @ 500mA、10V 3V @ 250µA 1.7nC @ 15V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 190mA 250mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1025X-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 60V 190mA 23pF @ 25V 250mW 4オーム @ 500mA、10V 3V @ 250µA 1.7nC @ 15V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 305mA 250mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1026X-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix - 60V 305mA 30pF @ 25V 250mW 1.4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 305mA 250mW 面実装 SC-89(SOT-563F)
核友型号:zp2216-SI1026X-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix - 60V 305mA 30pF @ 25V 250mW 1.4オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-89(SOT-563F)
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SI1539CDL-T1-GE3

SI1539CDL-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 700mA、500mA 340mW 面実装 SC-70-6
核友型号:zp2216-SI1539CDL-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 700mA、500mA 28pF @ 15V 340mW 388ミリオーム @ 600mA、10V 2.5V @ 250µA 1.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1539CDL-T1-GE3

SI1539CDL-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 700mA、500mA 340mW 面実装 SC-70-6
核友型号:zp2216-SI1539CDL-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 700mA、500mA 28pF @ 15V 340mW 388ミリオーム @ 600mA、10V 2.5V @ 250µA 1.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI3993CDV-T1-GE3

SI3993CDV-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 2.9A 1.4W 面実装 6-TSOP
核友型号:zp2216-SI3993CDV-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 2.9A 210pF @ 15V 1.4W 111ミリオーム @ 2.5A、10V 2.2V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3993CDV-T1-GE3

SI3993CDV-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 2.9A 1.4W 面実装 6-TSOP
核友型号:zp2216-SI3993CDV-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 2.9A 210pF @ 15V 1.4W 111ミリオーム @ 2.5A、10V 2.2V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

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MOSFET - アレイ 30V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
核友型号:zp2216-SIA931DJ-T1-GE3TR-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 4.5A 445pF @ 15V 7.8W 65ミリオーム @ 3A、10V 2.2V @ 250µA 13nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
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SIA931DJ-T1-GE3

SIA931DJ-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

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MOSFET - アレイ 30V 4.5A 7.8W 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
核友型号:zp2216-SIA931DJ-T1-GE3CT-ND@0

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 4.5A 445pF @ 15V 7.8W 65ミリオーム @ 3A、10V 2.2V @ 250µA 13nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6デュアル
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