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他社在庫
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|
MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 420mW (Ta)、5W(Tc) 面実装 DFN1412-6
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA(Ta)
|
9.2pF @ 30V
|
420mW (Ta)、5W(Tc)
|
2.9オーム @ 100mA、10V
|
2.6V @ 250µA
|
315pC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
DFN1412-6
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他社在庫
|
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|
MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 420mW (Ta)、5W(Tc) 面実装 DFN1412-6
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA(Ta)
|
9.2pF @ 30V
|
420mW (Ta)、5W(Tc)
|
2.9オーム @ 100mA、10V
|
2.6V @ 250µA
|
315pC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャネル
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
DFN1412-6
|
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|
|
他社在庫
|
|
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|
MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
TrenchMOS™
|
60V
|
300mA(Ta)
|
50pF @ 10V
|
295mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.1V @ 250µA
|
0.6nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
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|
|
他社在庫
|
|
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|
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|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
TrenchMOS™
|
60V
|
300mA(Ta)
|
50pF @ 10V
|
295mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.1V @ 250µA
|
0.6nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW(Ta)、1.04W(Tc) 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
300mA(Ta)
|
50pF @ 10V
|
295mW(Ta)、1.04W(Tc)
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.1V @ 250µA
|
0.6nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャネル
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 300mA(Ta) 295mW(Ta)、1.04W(Tc) 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
300mA(Ta)
|
50pF @ 10V
|
295mW(Ta)、1.04W(Tc)
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.1V @ 250µA
|
0.6nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャネル
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 340mA 350mW 面実装 SOT-666
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
TrenchMOS™
|
60V
|
340mA
|
50pF @ 10V
|
350mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.1V @ 250µA
|
0.6nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SOT-666
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 340mA 350mW 面実装 SOT-666
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
TrenchMOS™
|
60V
|
340mA
|
50pF @ 10V
|
350mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.1V @ 250µA
|
0.6nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SOT-666
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 420mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA(Ta)
|
34pF @ 10V
|
420mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.5V @ 250µA
|
0.5nC @ 4.5V
|
-
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TA)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 420mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA(Ta)
|
34pF @ 10V
|
420mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.5V @ 250µA
|
0.5nC @ 4.5V
|
-
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TA)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 320mA 420mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA
|
50pF @ 10V
|
420mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.4V @ 250µA
|
0.8nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 320mA 420mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA
|
50pF @ 10V
|
420mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.4V @ 250µA
|
0.8nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 320mA 420mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA
|
50pF @ 10V
|
420mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.4V @ 250µA
|
0.8nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 320mA 420mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA
|
50pF @ 10V
|
420mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.4V @ 250µA
|
0.8nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 280mW 面実装 6-TSSOP
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
320mA(Ta)
|
50pF @ 10V
|
280mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.4V @ 250µA
|
0.8nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
6-TSSOP
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 350mA 330mW 面実装 SOT-666
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
350mA
|
50pF @ 10V
|
330mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.4V @ 250µA
|
0.8nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SOT-666
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 60V 350mA 330mW 面実装 SOT-666
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
60V
|
350mA
|
50pF @ 10V
|
330mW
|
1.6オーム @ 500mA、10V
|
2.4V @ 250µA
|
0.8nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SOT-666
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 20V 800mA 500mW 面実装 SOT-666
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
TrenchMOS™
|
20V
|
800mA
|
83pF @ 10V
|
500mW
|
380ミリオーム @ 500mA、4.5V
|
950mV @ 250µA
|
0.68nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SOT-666
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 20V 800mA 500mW 面実装 SOT-666
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
TrenchMOS™
|
20V
|
800mA
|
83pF @ 10V
|
500mW
|
380ミリオーム @ 500mA、4.5V
|
950mV @ 250µA
|
0.68nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
SOT-666
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 30V 590mA 285mW 面実装 DFN1010B-6
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
30V
|
590mA
|
30.3pF @ 15V
|
285mW
|
670ミリオーム @ 590mA、4.5V
|
950mV @ 250µA
|
1.05nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
DFN1010B-6
|
|
|
|
|
他社在庫
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET - アレイ 30V 590mA 285mW 面実装 DFN1010B-6
梱包形態:テープカット
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Nexperia USA Inc.
|
-
|
30V
|
590mA
|
30.3pF @ 15V
|
285mW
|
670ミリオーム @ 590mA、4.5V
|
950mV @ 250µA
|
1.05nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
-
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
DFN1010B-6
|
|