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Goford SemiconductorのFET製品一覧

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ヒット検索結果：20件 / 型名：指定なし / ステイタス：すべて / 数量：0PCS~ / メーカー：Goford Semiconductor / シリーズ：すべて

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選択	在庫タイプ仕入先ランク	サプライヤ	在庫ロケーション	写真データシート	型名メーカ名	在庫数	デートコード	単価	最低発注数量/以降発注単位	出荷予定日	情報コアスタッフ型名	ECADモデル	メーカー名	シリーズ	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	用途	車載対応	取り付けタイプ	デバイスパッケージ	技術	FET機能
			他社在庫		03N06 GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 3A（Tc） 1.7W（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-03N06TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		4.5V、10V	3A（Tc）		1.7W（Tc）	100ミリオーム @ 2A、10V	1.2V @ 250µA		±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		03N06L GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 3A（Tc） 1.7W（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-03N06LTR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		4.5V、10V	3A（Tc）		1.7W（Tc）	100ミリオーム @ 2A、10V	1.2V @ 250µA		±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		06N06L GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 60 V 5.5A 960mW（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-3141-06N06LTR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル	60 V	4.5V、10V	5.5A	765 pF @ 30 V	960mW（Tc）	45ミリオーム @ 3A、10V	2.5V @ 250µA	8.9 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		06N06L GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 60 V 5.5A 960mW（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-3141-06N06LCT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル	60 V	4.5V、10V	5.5A	765 pF @ 30 V	960mW（Tc）	45ミリオーム @ 3A、10V	2.5V @ 250µA	8.9 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		1002 GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 100 V 2A 1.3W 面実装 SOT-23 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-3141-1002CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	-	Nチャンネル	100 V		2A	387 pF @ 10 V	1.3W	250ミリオーム @ 2A、10V	3V @ 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23	MOSFET（金属酸化物）
			他社在庫		1002 GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 100 V 2A 1.3W 面実装 SOT-23 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-3141-1002TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	-	Nチャンネル	100 V		2A	387 pF @ 10 V	1.3W	250ミリオーム @ 2A、10V	3V @ 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23	MOSFET（金属酸化物）
			他社在庫		18N10 GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 25A（Tc） 62.5W（Tc）面実装 TO-252 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-18N10TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		4.5V、10V	25A（Tc）		62.5W（Tc）	53ミリオーム @ 10A、10V	3V @ 250µA		±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	TO-252	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		18N20 GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 18A（Tc） 65.8W（Tc）面実装 TO-252 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-18N20TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		10V	18A（Tc）		65.8W（Tc）	190ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA		±30V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	TO-252	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		18N20F GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 18A（Tc） 110W（Tc）スルーホール TO-220F 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-4822-18N20F-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		10V	18A（Tc）		110W（Tc）	190ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA		±20V	-55°C～150°C（TJ）			スルーホール	TO-220F	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		18N20J GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 18A（Tc） 65.8W（Tc）スルーホール TO-251 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-4822-18N20J-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		10V	18A（Tc）		65.8W（Tc）	160ミリオーム @ 9A、10V	3V @ 250µA		±30V	-55°C～150°C（TJ）			スルーホール	TO-251	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		2002A GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 190 V 5A（Tc） 1.4W（Tc）面実装 SOT-23-6L 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-3141-2002ATR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	-	Nチャンネル	190 V	4.5V、10V	5A（Tc）	733 pF @ 100 V	1.4W（Tc）	540ミリオーム @ 1A、10V	3V @ 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-6L	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		20N06 GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 60 V 25A（Tc） 41W（Tc）面実装 TO-252 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-3141-20N06TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	-	Nチャンネル	60 V	4.5V、10V	25A（Tc）	1609 pF @ 30 V	41W（Tc）	24ミリオーム @ 20A、10V	2.5V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	TO-252	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		2300F GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 6A（Tc） 1.25W（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-2300FTR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		2.5V、4.5V	6A（Tc）		1.25W（Tc）	27ミリオーム @ 2.3A、4.5V	900mV @ 250µA		±12V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		2301 GOFORD SEMICONDUCTOR						Pチャンネル 3A（Tc） 1W（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-2301TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Pチャンネル		2.5V、4.5V	3A（Tc）		1W（Tc）	56ミリオーム @ 1.7A、4.5V	900mV @ 250µA		±10V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		2301H GOFORD SEMICONDUCTOR						Pチャンネル 2.8A（Tc） 890mW（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-2301HTR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Pチャンネル		4.5V、10V	2.8A（Tc）		890mW（Tc）	75ミリオーム @ 3A、10V	2.4V @ 250µA		±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		2302 GOFORD SEMICONDUCTOR						Nチャンネル 4.3A（Tc） 1W（Tc）面実装 SOT-23-3 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-2302TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Nチャンネル		2.5V、4.5V	4.3A（Tc）		1W（Tc）	27ミリオーム @ 2.2A、4.5V	1.1V @ 250µA		±10V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-3	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		25P06 GOFORD SEMICONDUCTOR						Pチャンネル 25A（Tc） 100W（Tc）面実装 TO-252 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-25P06TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Pチャンネル		10V	25A（Tc）		100W（Tc）	32ミリオーム @ 12A、10V	3V @ 250µA		±20V	-55°C～150°C（TJ）			面実装	TO-252	MOSFET（金属酸化物）	-
			他社在庫		6703 GOFORD SEMICONDUCTOR						MOSFET - アレイ 20V 2.9A（Ta）、3A（Ta） 1.1W（Ta）面実装 SOT-23-6L 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-3141-6703TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	-	20V	2.9A（Ta）、3A（Ta）	300pF @ 10V、405pF @ 10V	1.1W（Ta）	59ミリオーム @ 2.5A、2.5V、110ミリオーム @ 3A、4.5V	1.2V @ 250µA、1V @ 250µA	-	MOSFET（金属酸化物）	-	-	-55°C～150°C（TJ）			面実装	SOT-23-6L
			他社在庫		6706A GOFORD SEMICONDUCTOR						MOSFET - アレイ 30V 6.5A（Tc）、5A（Tc） 2W（Tc）面実装 8-SOP 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-4822-6706ATR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Goford Semiconductor	TrenchFET®	30V	6.5A（Tc）、5A（Tc）	255pF @ 15V、520pF @ 15V	2W（Tc）	30ミリオーム @ 5A、10V、60ミリオーム @ 4A、10V	2V @ 250µA、2.5V @ 250µA	5.2nC @ 10V、9.2nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）		-	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-SOP

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