FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IRF6633ATR1PBF
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IRF6633ATR1PBF-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IRF6633ATRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IRF6633ATRPBF-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IRF6633TR1PBF
INFINEON TECHNOLOGIES

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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IRF6633TR1PBF-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IRF6633TRPBF
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6635
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IRF6635TR1
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6635TR1PBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6635TRPBF
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6636TR1PBF
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6636TRPBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6637TR1PBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6637TRPBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 14A(Ta)、59A(Tc) 1330 pF @ 15 V 2.3W(Ta)、42W(Tc) 7.7ミリオーム @ 14A、10V 2.35V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 DIRECTFET™ MP MOSFET(金属酸化物)
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IRF6638TR1PBF
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梱包形態:テープカット
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies
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IRF6638TRPBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6641TR1PBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6641TRPBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル 200 V 10V 4.6A(Ta)、26A(Tc) 2290 pF @ 25 V 2.8W(Ta)、89W(Tc) 59.9ミリオーム @ 5.5A、10V 4.9V @ 150µA 48 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 DIRECTFET™ MZ MOSFET(金属酸化物)
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IRF6643TR1PBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6643TRPBF
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IRF6643TRPBFXTMA1
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IRF6644
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IRF6644TR1
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IRF6644TR1PBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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IRF6644TRPBF
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IRF6645
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IRF6645TR1PBF
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IRF6645TRPBF
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IRF6646TR1
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IRF6646TR1PBF
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IRF6646TRPBF
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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル 80 V 10V 12A(Ta)、68A(Tc) 2060 pF @ 25 V 2.8W(Ta)、89W(Tc) 9.5ミリオーム @ 12A、10V 4.9V @ 150µA 50 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 DIRECTFET™ MN MOSFET(金属酸化物)
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IRF6648TR1
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IRF6648TR1PBF
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IRF6648TRPBF
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IRF6662TR1PBF
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Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル 100 V 10V 8.3A(Ta)、47A(Tc) 1360 pF @ 25 V 2.8W(Ta)、89W(Tc) 22ミリオーム @ 8.2A、10V 4.9V @ 100µA 31 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 DIRECTFET™ MZ MOSFET(金属酸化物)
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IRF6665
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IRF6665TR1PBF
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IRF6674TR1PBF
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IRF6674TRPBF
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コアスタッフ型名:zp2216-IRF6674TRPBF-ND@0

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IRF6678
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IRF6678-ND@0

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IRF6678TR1
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梱包形態:テープカット
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IRF6678TR1PBF
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IRF6678TR1PBF-ND@0

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Infineon Technologies
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IRF6678TRPBF
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IRF6678TRPBF-ND@0

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IRF6691TR1
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梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-IRF6691TR1-ND@0

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IRF6691TR1PBF
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