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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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IPB80P03P4L07ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 80A(Tc) 88W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P03P4L07ATMA2CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 80A(Tc) 5700 pF @ 25 V 88W(Tc) 6.9ミリオーム @ 80A、10V 2V @ 130µA 80 nC @ 10 V +5V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P405ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P405ATMA2CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 10300 pF @ 25 V 125W(Tc) 5.2ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 151 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P405ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P405ATMA2TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 10300 pF @ 25 V 125W(Tc) 5.2ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 250µA 151 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P407ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 88W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P407ATMA2CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 10V 80A(Tc) 6085 pF @ 25 V 88W(Tc) 7.4ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 150µA 89 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P407ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 88W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P407ATMA2TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 10V 80A(Tc) 6085 pF @ 25 V 88W(Tc) 7.4ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 150µA 89 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P4L04ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P4L04ATMA2TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 11570 pF @ 25 V 125W(Tc) 4.7ミリオーム @ 80A、10V 2.2V @ 250µA 176 nC @ 10 V +5V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P4L04ATMA2

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P4L04ATMA2CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 11570 pF @ 25 V 125W(Tc) 4.7ミリオーム @ 80A、10V 2.2V @ 250µA 176 nC @ 10 V +5V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P4L06ATMA2

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 88W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P4L06ATMA2CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 6580 pF @ 25 V 88W(Tc) 6.7ミリオーム @ 80A、10V 2.2V @ 150µA 104 nC @ 10 V +5V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P4L06ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 88W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P4L06ATMA2TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 6580 pF @ 25 V 88W(Tc) 6.7ミリオーム @ 80A、10V 2.2V @ 150µA 104 nC @ 10 V +5V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P4L08ATMA2

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 75W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P4L08ATMA2TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 5430 pF @ 25 V 75W(Tc) 8.2ミリオーム @ 80A、10V 2.2V @ 120µA 92 nC @ 10 V +5V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80P04P4L08ATMA2

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 80A(Tc) 75W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80P04P4L08ATMA2CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 5430 pF @ 25 V 75W(Tc) 8.2ミリオーム @ 80A、10V 2.2V @ 120µA 92 nC @ 10 V +5V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80R290C3AATMA2

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Nチャンネル 800 V 17A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 17A(Tc) 2300 pF @ 100 V 227W(Tc) 290ミリオーム @ 11A、10V 3.9V @ 1mA 117 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB80R290C3AATMA2

RoHS
   

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Nチャンネル 800 V 17A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB80R290C3AATMA2CT-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 17A(Tc) 2300 pF @ 100 V 227W(Tc) 290ミリオーム @ 11A、10V 3.9V @ 1mA 117 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB90N04S402ATMA1

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Nチャンネル 40 V 90A(Tc) 150W(Tc) 面実装 PG-TO263-3
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB90N04S402ATMA1TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 90A(Tc) 9430 pF @ 25 V 150W(Tc) 2.1ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 95µA 118 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB90N04S402ATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 90A(Tc) 150W(Tc) 面実装 PG-TO263-3
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB90N04S402ATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 90A(Tc) 9430 pF @ 25 V 150W(Tc) 2.1ミリオーム @ 90A、10V 4V @ 95µA 118 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB90N06S4L04ATMA2

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Nチャンネル 60 V 90A(Tc) 150W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB90N06S4L04ATMA2CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 90A(Tc) 13000 pF @ 25 V 150W(Tc) 3.7ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB90N06S4L04ATMA2

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 90A(Tc) 150W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB90N06S4L04ATMA2TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 90A(Tc) 13000 pF @ 25 V 150W(Tc) 3.7ミリオーム @ 90A、10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB90R340C3ATMA1

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Nチャンネル 900 V 15A(Tc) 208W(Tc) 面実装 PG-TO263-3
CoreStaff Part Number:zp2216-IPB90R340C3ATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 900 V 10V 15A(Tc) 2400 pF @ 100 V 208W(Tc) 340ミリオーム @ 9.2A、10V 3.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB90R340C3ATMA2

RoHS
   

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Nチャンネル 900 V 15A(Tc) 208W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-IPB90R340C3ATMA2CT-ND@0

Nチャンネル 900 V 10V 15A(Tc) 2400 pF @ 100 V 208W(Tc) 340ミリオーム @ 9.2A、10V 3.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPB90R340C3ATMA2

RoHS
   

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Nチャンネル 900 V 15A(Tc) 208W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-IPB90R340C3ATMA2TR-ND@0

Nチャンネル 900 V 10V 15A(Tc) 2400 pF @ 100 V 208W(Tc) 340ミリオーム @ 9.2A、10V 3.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 950 V 36.5A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB95R130PFD7ATMA1TR-ND@0

Nチャンネル 950 V 10V 36.5A(Tc) 4170 pF @ 400 V 227W(Tc) 130ミリオーム @ 25.1A、10V 3.5V @ 1.25mA 141 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 950 V 36.5A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB95R130PFD7ATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 950 V 10V 36.5A(Tc) 4170 pF @ 400 V 227W(Tc) 130ミリオーム @ 25.1A、10V 3.5V @ 1.25mA 141 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 950 V 17.5A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB95R310PFD7ATMA1TR-ND@0

Nチャンネル 950 V 10V 17.5A(Tc) 1765 pF @ 400 V 125W(Tc) 310ミリオーム @ 10.4A、10V 3.5V @ 520µA 61 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 950 V 17.5A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB95R310PFD7ATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 950 V 10V 17.5A(Tc) 1765 pF @ 400 V 125W(Tc) 310ミリオーム @ 10.4A、10V 3.5V @ 520µA 61 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 950 V 13.3A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB95R450PFD7ATMA1TR-ND@0

Nチャンネル 950 V 10V 13.3A(Tc) 1230 pF @ 400 V 104W(Tc) 450ミリオーム @ 7.2A、10V 3.5V @ 360µA 43 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 950 V 13.3A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PG-TO263-3-2
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPB95R450PFD7ATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 950 V 10V 13.3A(Tc) 1230 pF @ 400 V 104W(Tc) 450ミリオーム @ 7.2A、10V 3.5V @ 360µA 43 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2 MOSFET(金属酸化物) -
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IPBE65R050CFD7AATMA1

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Nチャンネル 650 V 45A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-7-3-10
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPBE65R050CFD7AATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 45A(Tc) 4975 pF @ 400 V 227W(Tc) 50ミリオーム @ 24.8A、10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3-10 MOSFET(金属酸化物) -
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IPBE65R050CFD7AATMA1

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Nチャンネル 650 V 45A(Tc) 227W(Tc) 面実装 PG-TO263-7-3-10
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPBE65R050CFD7AATMA1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 45A(Tc) 4975 pF @ 400 V 227W(Tc) 50ミリオーム @ 24.8A、10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3-10 MOSFET(金属酸化物) -
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IPBE65R075CFD7AATMA1

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Nチャンネル 650 V 32A(Tc) 171W(Tc) 面実装 PG-TO263-7-3-10
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPBE65R075CFD7AATMA1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 32A(Tc) 3288 pF @ 400 V 171W(Tc) 75ミリオーム @ 16.4A、10V 4.5V @ 820µA 68 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3-10 MOSFET(金属酸化物) -
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IPBE65R075CFD7AATMA1

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Nチャンネル 650 V 32A(Tc) 171W(Tc) 面実装 PG-TO263-7-3-10
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPBE65R075CFD7AATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 32A(Tc) 3288 pF @ 400 V 171W(Tc) 75ミリオーム @ 16.4A、10V 4.5V @ 820µA 68 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3-10 MOSFET(金属酸化物) -
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IPBE65R099CFD7AATMA1

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 127W(Tc) 面実装 PG-TO263-7-3-10
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2513 pF @ 400 V 127W(Tc) 99ミリオーム @ 12.5A、10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3-10 MOSFET(金属酸化物) -
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IPBE65R099CFD7AATMA1

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 127W(Tc) 面実装 PG-TO263-7-3-10
CoreStaff Part Number:zp2216-448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2513 pF @ 400 V 127W(Tc) 99ミリオーム @ 12.5A、10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V -40°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3-10 MOSFET(金属酸化物) -

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