FETs

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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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CSD75208W1015T

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 1.6A 750mW 面実装 6-DSBGA(1x1.5)

20V 1.6A 410pF @ 10V 750mW 68ミリオーム @ 1A、4.5V 1.1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル)コモンソース 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-DSBGA(1x1.5)
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CSD75208W1015T

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MOSFET - アレイ 20V 1.6A 750mW 面実装 6-DSBGA(1x1.5)

20V 1.6A 410pF @ 10V 750mW 68ミリオーム @ 1A、4.5V 1.1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル)コモンソース 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-DSBGA(1x1.5)
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CSD83325L

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MOSFET - アレイ 12V 2.3W 面実装 6-PicoStar

12V - - 2.3W - 1.25V @ 250µA 10.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PicoStar
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CSD83325L

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MOSFET - アレイ 12V 2.3W 面実装 6-PicoStar

12V - - 2.3W - 1.25V @ 250µA 10.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PicoStar
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MOSFET - アレイ 12V 2.3W 面実装 6-PicoStar

12V - - 2.3W - 1.25V @ 250µA 10.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PicoStar
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CSD83325LT

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MOSFET - アレイ 12V 2.3W 面実装 6-PicoStar

12V - - 2.3W - 1.25V @ 250µA 10.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-PicoStar
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CSD85301Q2

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5A 2.3W 面実装 6-WSON(2x2)

20V 5A 469pF @ 10V 2.3W 27ミリオーム @ 5A、4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-WSON(2x2)
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CSD85301Q2

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5A 2.3W 面実装 6-WSON(2x2)

20V 5A 469pF @ 10V 2.3W 27ミリオーム @ 5A、4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-WSON(2x2)
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CSD85301Q2T

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5A 2.3W 面実装 6-WSON(2x2)

20V 5A 469pF @ 10V 2.3W 27ミリオーム @ 5A、4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-WSON(2x2)
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CSD85301Q2T

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MOSFET - アレイ 20V 5A 2.3W 面実装 6-WSON(2x2)

20V 5A 469pF @ 10V 2.3W 27ミリオーム @ 5A、4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-WSON(2x2)
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CSD85302L

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MOSFET - アレイ 1.7W 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)

- - - 1.7W - - 7.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)
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CSD85302L

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MOSFET - アレイ 1.7W 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)

- - - 1.7W - - 7.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)
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MOSFET - アレイ 1.7W 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)

- - - 1.7W - - 7.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)
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CSD85302LT

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MOSFET - アレイ 1.7W 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)

- - - 1.7W - - 7.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Picostar(1.31x1.31)
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CSD85312Q3E

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MOSFET - アレイ 20V 39A 2.5W 面実装 8-VSON(3.3x3.3)

20V 39A 2390pF @ 10V 2.5W 12.4ミリオーム @ 10A、8V 1.4V @ 250µA 15.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSON(3.3x3.3)
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CSD85312Q3E

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MOSFET - アレイ 20V 39A 2.5W 面実装 8-VSON(3.3x3.3)

20V 39A 2390pF @ 10V 2.5W 12.4ミリオーム @ 10A、8V 1.4V @ 250µA 15.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャネル(デュアル)コモンソース × 2 ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSON(3.3x3.3)
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CSD86311W1723

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MOSFET - アレイ 25V 4.5A 1.5W 面実装 12-DSBGA

25V 4.5A 585pF @ 12.5V 1.5W 39ミリオーム @ 2A、8V 1.4V @ 250µA 4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-DSBGA
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CSD86311W1723

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MOSFET - アレイ 25V 4.5A 1.5W 面実装 12-DSBGA

25V 4.5A 585pF @ 12.5V 1.5W 39ミリオーム @ 2A、8V 1.4V @ 250µA 4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 12-DSBGA
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CSD86330Q3D

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MOSFET - アレイ 25V 20A 6W 面実装 8-LSON(3.3x3.3)

25V 20A 920pF @ 12.5V 6W 9.6ミリオーム @ 14A、8V 2.1V @ 250µA 6.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-LSON(3.3x3.3)
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CSD86330Q3D

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MOSFET - アレイ 25V 20A 6W 面実装 8-LSON(3.3x3.3)

25V 20A 920pF @ 12.5V 6W 9.6ミリオーム @ 14A、8V 2.1V @ 250µA 6.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-LSON(3.3x3.3)
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CSD86336Q3D

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MOSFET - アレイ 25V 20A(Ta) 6W 面実装 8-VSON(3.3x3.3)

25V 20A(Ta) 494pF @ 12.5V、970pF @ 12.5V 6W 9.1ミリオーム @ 20A、5V、3.4ミリオーム @ 20A、5V 1.9V @ 250µA、1.6V @ 250µA 3.8nC @ 45V、7.4nC @ 45V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~125°C 面実装 8-VSON(3.3x3.3)
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CSD86336Q3DT

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MOSFET - アレイ 25V 20A(Ta) 6W 面実装 8-VSON(3.3x3.3)

25V 20A(Ta) 494pF @ 12.5V、970pF @ 12.5V 6W 9.1ミリオーム @ 20A、5V、3.4ミリオーム @ 20A、5V 1.9V @ 250µA、1.6V @ 250µA 3.8nC @ 45V、7.4nC @ 45V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~125°C 面実装 8-VSON(3.3x3.3)
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CSD86336Q3DT

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MOSFET - アレイ 25V 20A(Ta) 6W 面実装 8-VSON(3.3x3.3)

25V 20A(Ta) 494pF @ 12.5V、970pF @ 12.5V 6W 9.1ミリオーム @ 20A、5V、3.4ミリオーム @ 20A、5V 1.9V @ 250µA、1.6V @ 250µA 3.8nC @ 45V、7.4nC @ 45V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) ロジックレベルゲート、5V駆動 -55°C~125°C 面実装 8-VSON(3.3x3.3)
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CSD86350Q5D

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MOSFET - アレイ 25V 40A 13W 面実装 8-LSON(5x6)

25V 40A 1870pF @ 12.5V 13W 6ミリオーム @ 20A、8V 2.1V @ 250µA 10.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-LSON(5x6)
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CSD86350Q5D

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MOSFET - アレイ 25V 40A 13W 面実装 8-LSON(5x6)

25V 40A 1870pF @ 12.5V 13W 6ミリオーム @ 20A、8V 2.1V @ 250µA 10.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-LSON(5x6)
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CSD86350Q5DT

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MOSFET - アレイ 25V 40A(Ta) 13W(Ta) 面実装 8-LSON(5x6)

25V 40A(Ta) 1870pF @ 12.5V、4000pF @ 12.5V 13W(Ta) 5ミリオーム @ 25A、5V、1.1ミリオーム @ 25A、5V 2.1V @ 250µA、1.6V @ 250µA 10.7nC @ 4.5V、25nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-LSON(5x6)
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CSD86350Q5DT

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MOSFET - アレイ 25V 40A(Ta) 13W(Ta) 面実装 8-LSON(5x6)

25V 40A(Ta) 1870pF @ 12.5V、4000pF @ 12.5V 13W(Ta) 5ミリオーム @ 25A、5V、1.1ミリオーム @ 25A、5V 2.1V @ 250µA、1.6V @ 250µA 10.7nC @ 4.5V、25nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-LSON(5x6)
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MOSFET - アレイ

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MOSFET - アレイ

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MOSFET - アレイ

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