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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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BSZ110N06NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 60 V 20A(Tc) 2.1W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ110N06NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 10V 20A(Tc) 2700 pF @ 30 V 2.1W(Ta)、50W(Tc) 11ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 23µA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ110N06NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 60 V 20A(Tc) 2.1W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ110N06NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 10V 20A(Tc) 2700 pF @ 30 V 2.1W(Ta)、50W(Tc) 11ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 23µA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ110N08NS5ATMA1

RoHS

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Nチャンネル 80 V 40A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8-FL
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 40A(Tc) 1300 pF @ 40 V 50W(Tc) 11ミリオーム @ 20A、10V 3.8V @ 22µA 18.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-FL MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ110N08NS5ATMA1

RoHS

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Nチャンネル 80 V 40A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8-FL
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 40A(Tc) 1300 pF @ 40 V 50W(Tc) 11ミリオーム @ 20A、10V 3.8V @ 22µA 18.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-FL MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ120P03NS3GATMA1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 11A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ120P03NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 6V、10V 11A(Ta)、40A(Tc) 3360 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、52W(Tc) 12ミリオーム @ 20A、10V 3.1V @ 73µA 45 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ120P03NS3GATMA1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 11A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 6V、10V 11A(Ta)、40A(Tc) 3360 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、52W(Tc) 12ミリオーム @ 20A、10V 3.1V @ 73µA 45 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ123N08NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 80 V 10A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、66W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 10A(Ta)、40A(Tc) 1700 pF @ 40 V 2.1W(Ta)、66W(Tc) 12.3ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 33µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ123N08NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 80 V 10A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、66W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 10A(Ta)、40A(Tc) 1700 pF @ 40 V 2.1W(Ta)、66W(Tc) 12.3ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 33µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ12DN20NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 200 V 11.3A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 10V 11.3A(Tc) 680 pF @ 100 V 50W(Tc) 125ミリオーム @ 5.7A、10V 4V @ 25µA 8.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ12DN20NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 200 V 11.3A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ12DN20NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 10V 11.3A(Tc) 680 pF @ 100 V 50W(Tc) 125ミリオーム @ 5.7A、10V 4V @ 25µA 8.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ130N03LSGATMA1

RoHS

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta)、35A(Tc) 2.1W(Ta)、25W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ130N03LSGATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta)、35A(Tc) 970 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、25W(Tc) 13ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ130N03LSGATMA1

RoHS

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta)、35A(Tc) 2.1W(Ta)、25W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ130N03LSGATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 10A(Ta)、35A(Tc) 970 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、25W(Tc) 13ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ130N03MSGATMA1

RoHS

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Nチャンネル 30 V 9A(Ta)、35A(Tc) 2.1W(Ta)、25W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ130N03MSGATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 9A(Ta)、35A(Tc) 1300 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、25W(Tc) 11.5ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ130N03MSGATMA1

RoHS

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Nチャンネル 30 V 9A(Ta)、35A(Tc) 2.1W(Ta)、25W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ130N03MSGATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 9A(Ta)、35A(Tc) 1300 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、25W(Tc) 11.5ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ146N10LS5ATMA1

RoHS

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8-FL
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-448-BSZ146N10LS5ATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1300 pF @ 50 V 52W(Tc) 14.6ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 23µA 3.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-FL MOSFET(金属酸化物) 標準
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BSZ146N10LS5ATMA1

RoHS

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8-FL
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-448-BSZ146N10LS5ATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1300 pF @ 50 V 52W(Tc) 14.6ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 23µA 3.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-FL MOSFET(金属酸化物) 標準
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BSZ150N10LS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 2.1W(Ta)、63W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ150N10LS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2500 pF @ 50 V 2.1W(Ta)、63W(Tc) 15ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 33µA 35 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ150N10LS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 2.1W(Ta)、63W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2500 pF @ 50 V 2.1W(Ta)、63W(Tc) 15ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 33µA 35 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ15DC02KDHXTMA1

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5.1A、3.2A 2.5W 面実装 PG-TSDSON-8-FL
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ15DC02KDHXTMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5.1A、3.2A 419pF @ 10V 2.5W 55ミリオーム @ 5.1A、4.5V 1.4V @ 110µA 2.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、2.5V駆動 -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-FL
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BSZ15DC02KDHXTMA1

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5.1A、3.2A 2.5W 面実装 PG-TSDSON-8-FL
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ15DC02KDHXTMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5.1A、3.2A 419pF @ 10V 2.5W 55ミリオーム @ 5.1A、4.5V 1.4V @ 110µA 2.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、2.5V駆動 -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8-FL
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BSZ160N10NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 100 V 8A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、63W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ160N10NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 8A(Ta)、40A(Tc) 1700 pF @ 50 V 2.1W(Ta)、63W(Tc) 16ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 12µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ160N10NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 100 V 8A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、63W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 8A(Ta)、40A(Tc) 1700 pF @ 50 V 2.1W(Ta)、63W(Tc) 16ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 12µA 25 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ16DN25NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 250 V 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 250 V 10V 10.9A(Tc) 920 pF @ 100 V 62.5W(Tc) 165ミリオーム @ 5.5A、10V 4V @ 32µA 11.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

BSZ16DN25NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 250 V 10.9A(Tc) 62.5W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 250 V 10V 10.9A(Tc) 920 pF @ 100 V 62.5W(Tc) 165ミリオーム @ 5.5A、10V 4V @ 32µA 11.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ180P03NS3EGATMA1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 9A(Ta)、39.5A(Tc) 2.1W(Ta)、40W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 6V、10V 9A(Ta)、39.5A(Tc) 2220 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、40W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 3.1V @ 48µA 30 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

BSZ180P03NS3EGATMA1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 9A(Ta)、39.5A(Tc) 2.1W(Ta)、40W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 6V、10V 9A(Ta)、39.5A(Tc) 2220 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、40W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 3.1V @ 48µA 30 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

BSZ180P03NS3GATMA1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 9A(Ta)、39.6A(Tc) 2.1W(Ta)、40W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-448-BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 6V、10V 9A(Ta)、39.6A(Tc) 2220 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、40W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 3.1V @ 48µA 30 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

BSZ180P03NS3GATMA1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 9A(Ta)、39.6A(Tc) 2.1W(Ta)、40W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-448-BSZ180P03NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 6V、10V 9A(Ta)、39.6A(Tc) 2220 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、40W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 3.1V @ 48µA 30 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
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BSZ215CHXTMA1

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5.1A、3.2A 2.5W 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-448-BSZ215CHXTMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5.1A、3.2A 419pF @ 10V 2.5W 55ミリオーム @ 5.1A、4.5V 1.4V @ 110µA 2.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、2.5V駆動 -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8
他社在庫

BSZ215CHXTMA1

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5.1A、3.2A 2.5W 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-448-BSZ215CHXTMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5.1A、3.2A 419pF @ 10V 2.5W 55ミリオーム @ 5.1A、4.5V 1.4V @ 110µA 2.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、2.5V駆動 -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8
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BSZ22DN20NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 200 V 7A(Tc) 34W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ22DN20NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 10V 7A(Tc) 430 pF @ 100 V 34W(Tc) 225ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 13µA 5.6 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

BSZ22DN20NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 200 V 7A(Tc) 34W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ22DN20NS3GATMA1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 10V 7A(Tc) 430 pF @ 100 V 34W(Tc) 225ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 13µA 5.6 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

BSZ240N12NS3GATMA1

RoHS

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Nチャンネル 120 V 37A(Tc) 66W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-BSZ240N12NS3GATMA1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 120 V 10V 37A(Tc) 1900 pF @ 60 V 66W(Tc) 24ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 35µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSDSON-8 MOSFET(金属酸化物) -

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