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预定出货日 ECAD模型 资讯
核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
Partner Stock

BSS84AK,215

BSS84AK,215
NEXPERIA USA INC.

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 180mA(Ta) 350mW(Ta)、1.14W(Tc) 面実装 TO-236AB

Nexperia USA Inc.
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BSS84AK,215

BSS84AK,215
NEXPERIA USA INC.

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 180mA(Ta) 350mW(Ta)、1.14W(Tc) 面実装 TO-236AB

Nexperia USA Inc.
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BSS84AKM,315

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 230mA(Ta) 340mW(Ta)、2.7W(Tc) 面実装 SOT-883

AEC-Q101
Partner Stock

BSS84AKM,315

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 230mA(Ta) 340mW(Ta)、2.7W(Tc) 面実装 SOT-883

AEC-Q101
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BSS84AKMB,315

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 230mA(Ta) 360mW(Ta)、2.7W(Tc) 面実装 DFN1006B-3

36 pF @ 25 V
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BSS84AKMB,315

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 230mA(Ta) 360mW(Ta)、2.7W(Tc) 面実装 DFN1006B-3

36 pF @ 25 V
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BSS84AKQBZ

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 270mA(Ta) 420mW(Ta)、4.2W(Tc) 面実装、濡れ性フランク DFN1110D-3

AEC-Q100
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BSS84AKQBZ

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 270mA(Ta) 420mW(Ta)、4.2W(Tc) 面実装、濡れ性フランク DFN1110D-3

AEC-Q100
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BSS84AKS,115

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 160mA 445mW 面実装 6-TSSOP

50V 160mA 36pF @ 25V 445mW 7.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.35nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP
Partner Stock

BSS84AKS,115

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 160mA 445mW 面実装 6-TSSOP

50V 160mA 36pF @ 25V 445mW 7.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.35nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSSOP
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BSS84AKV,115

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 170mA 500mW 面実装 SOT-666

50V 170mA 36pF @ 25V 500mW 7.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.35nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-666
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BSS84AKV,115

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 170mA 500mW 面実装 SOT-666

50V 170mA 36pF @ 25V 500mW 7.5オーム @ 100mA、10V 2.1V @ 250µA 0.35nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-666
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BSS84AKVL

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 180mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236AB

AEC-Q101
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BSS84AKVL

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 180mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 TO-236AB

AEC-Q101
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BSS84AKW

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 300mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SOT-323

41 pF @ 25 V
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BSS84AKW

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 300mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SOT-323

41 pF @ 25 V
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BSS84AKW,115

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 150mA(Ta) 260mW(Ta)、830mW(Tc) 面実装 SOT-323

AEC-Q101
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BSS84AKW,115

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 150mA(Ta) 260mW(Ta)、830mW(Tc) 面実装 SOT-323

AEC-Q101
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BSS84DW-7-F

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 130mA 300mW 面実装 SOT-363

50V 130mA 45pF @ 25V 300mW 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 1mA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84DW-7-F

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 130mA 300mW 面実装 SOT-363

50V 130mA 45pF @ 25V 300mW 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 1mA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84DW-TP

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 160mA 450mW 面実装 SOT-363

50V 160mA 30pF @ 25V 450mW 8オーム @ 100mA、10V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84DW-TP

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 160mA 450mW 面実装 SOT-363

50V 160mA 30pF @ 25V 450mW 8オーム @ 100mA、10V 2V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84DWQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 130mA(Ta) 300mW(Ta) 面実装 SOT-363

50V 130mA(Ta) 45pF @ 25V 300mW(Ta) 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 1mA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84DWQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 130mA(Ta) 300mW(Ta) 面実装 SOT-363

50V 130mA(Ta) 45pF @ 25V 300mW(Ta) 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 1mA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84DWQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 50V 130mA(Ta) 300mW(Ta) 面実装 SOT-363

50V 130mA(Ta) 45pF @ 25V 300mW(Ta) 10オーム @ 100mA、5V 2V @ 1mA - MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84HE3-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 200mA(Ta) 面実装 SOT-23

AEC-Q101
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BSS84K-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 130mA(Ta) 225mW 面実装 SOT-23

30 pF @ 5 V
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BSS84K-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 130mA(Ta) 225mW 面実装 SOT-23

30 pF @ 5 V
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BSS84KDW-TP

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 420mW 面実装 SOT-363

60V 320mA(Ta) 32pF @ 30V 420mW 6オーム @ 300mA、10V 2V @ 250µA 1.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84KDW-TP

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 320mA(Ta) 420mW 面実装 SOT-363

60V 320mA(Ta) 32pF @ 30V 420mW 6オーム @ 300mA、10V 2V @ 250µA 1.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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BSS84KT-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 260mA(Ta) 270mW 面実装 SOT-523

32 pF @ 30 V
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BSS84KT-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 260mA(Ta) 270mW 面実装 SOT-523

32 pF @ 30 V
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BSS84KW-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 130mA(Tj) 225mW 面実装 SOT-323

22 pF @ 5 V
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BSS84KW-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 50 V 130mA(Tj) 225mW 面実装 SOT-323

22 pF @ 5 V

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