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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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BSC112N06LDATMA1

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 20A(Tc) 65W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-4

60V 20A(Tc) 4020pF @ 30V 65W(Tc) 11.2ミリオーム @ 17A、10V 2.2V @ 28µA 55nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-4
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BSC117N08NS5ATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 49A(Tc) 2.5W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7

1300 pF @ 40 V
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BSC117N08NS5ATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 49A(Tc) 2.5W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7

1300 pF @ 40 V
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BSC118N10NSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 11A(Ta)、71A(Tc) 114W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

3700 pF @ 50 V
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BSC118N10NSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 11A(Ta)、71A(Tc) 114W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

3700 pF @ 50 V
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BSC120N03LSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta)、39A(Tc) 2.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5

1200 pF @ 15 V
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BSC120N03LSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta)、39A(Tc) 2.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5

1200 pF @ 15 V
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BSC120N03MSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 11A(Ta)、39A(Tc) 2.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5

1500 pF @ 15 V
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BSC120N03MSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 11A(Ta)、39A(Tc) 2.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5

1500 pF @ 15 V
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BSC120N12LSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 120 V 10A(Ta)、68A(Tc) 114W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8

4900 pF @ 60 V
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BSC120N12LSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 120 V 10A(Ta)、68A(Tc) 114W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8

4900 pF @ 60 V
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BSC123N08NS3GATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 11A(Ta)、55A(Tc) 2.5W(Ta)、66W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

1870 pF @ 40 V
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BSC123N08NS3GATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 11A(Ta)、55A(Tc) 2.5W(Ta)、66W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

1870 pF @ 40 V
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BSC123N10LSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 10.6A(Ta)、71A(Tc) 114W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

4900 pF @ 50 V
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BSC123N10LSGATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 10.6A(Ta)、71A(Tc) 114W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

4900 pF @ 50 V
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BSC12DN20NS3GATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 11.3A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5

680 pF @ 100 V
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BSC12DN20NS3GATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 11.3A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5

680 pF @ 100 V
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BSC13DN30NSFDATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 300 V 16A(Tc) 150W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

2450 pF @ 150 V
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BSC13DN30NSFDATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 300 V 16A(Tc) 150W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

2450 pF @ 150 V
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BSC146N10LS5ATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 44A(Tc) 2.5W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-6

1300 pF @ 50 V
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BSC146N10LS5ATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 44A(Tc) 2.5W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-6

1300 pF @ 50 V
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BSC150N03LDGATMA1

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8A 26W 面実装 PG-TDSON-8-4

30V 8A 1100pF @ 15V 26W 15ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 13.2nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-4
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BSC150N03LDGATMA1

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8A 26W 面実装 PG-TDSON-8-4

30V 8A 1100pF @ 15V 26W 15ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 13.2nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-4
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BSC152N15LS5ATMA1

RoHS
   

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テープ&リール(TR)
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BSC152N15LS5ATMA1

RoHS
   

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テープ&リール(TR)
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BSC155N06NDATMA1

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 20A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-4

60V 20A(Tc) 2250pF @ 30V 50W(Tc) 15.5ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 20µA 29nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-4
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BSC155N06NDATMA1

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 20A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-4

60V 20A(Tc) 2250pF @ 30V 50W(Tc) 15.5ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 20µA 29nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TDSON-8-4
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BSC160N10NS3GATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 8.8A(Ta)、42A(Tc) 60W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

1700 pF @ 50 V
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BSC160N10NS3GATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 8.8A(Ta)、42A(Tc) 60W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

1700 pF @ 50 V
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BSC160N15NS5ATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 56A(Tc) 96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7

1820 pF @ 75 V
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BSC160N15NS5ATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 56A(Tc) 96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7

1820 pF @ 75 V
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BSC160N15NS5SCATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 56A(Tc) 96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7

1820 pF @ 75 V
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BSC160N15NS5SCATMA1

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 56A(Tc) 96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7

1820 pF @ 75 V

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