FET 

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単価 最低発注数量/以降発注単位 出荷予定日 情報
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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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RoHS
9,500 17+  

最低発注数量 : 3,000
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st76060671

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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コアスタッフ型名:st75163609

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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3,000 2148  

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コアスタッフ型名:st65327619

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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コアスタッフ型名:st75163610

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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60,000 22+  

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コアスタッフ型名:st76083750

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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372 22/23+  

最低発注数量 : 372
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st75610997

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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SI4134DY-T1-GE3

2 1725+  

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コアスタッフ型名:st74845017

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 14A(Tc) 846 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250μA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 標準
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SI4134DY-T1-GE3

2,497  

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コアスタッフ型名:st75163631

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 14A(Tc) 846 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250μA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 標準
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SI4134DY-T1-GE3

2,455 11+  

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コアスタッフ型名:st48156960

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 14A(Tc) 846 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250μA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 標準
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B-1
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SI4134DY-T1-GE3

96,565 22+  

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コアスタッフ型名:st49422510

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 14A(Tc) 846 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250μA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 標準
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SI4410DYTRPBF
INFINEON

80 14+  

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コアスタッフ型名:st75028794

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 10A(TA) 1585 pF @ 15 V 2.5W(Ta) 13.5ミリオーム @ 10A、10V 1V @ 250μA 45 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物)
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B-1
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136  

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コアスタッフ型名:st65360734

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 5.7A(TA) 1.5W(Ta) 30ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250μA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-1
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2,500 1830+  

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コアスタッフ型名:st48716592

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 5.7A(TA) 1.5W(Ta) 30ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250μA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-1
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SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF
INFINEON

15,270  

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コアスタッフ型名:st73308136

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 8A(Tc) 2320 pF @ 15 V 2.5W(Ta) 20ミリオーム @ 8A、10V 1V @ 250μA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物)
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469  

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コアスタッフ型名:st47709774

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Pチャンネル 12V 1.8V、4.5V 10A(TA) 1.5W(Ta) 8.25ミリオーム @ 14A、4.5V 800mV @ 850μA 120 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-2
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RoHS
46,646 14+  

最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st76060673

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 13A(TA) 2.5W(Ta) 8.5ミリオーム @ 13A、10V 1.8V @ 250μA 25 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-1
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2,009 23+  

最低発注数量 : 217
以降発注単位 : 2,500

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コアスタッフ型名:st73486017

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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12,638  

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コアスタッフ型名:st75163657

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-1
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3,000 1539+  

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コアスタッフ型名:st62715604

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 4.3A(TA) 1.3W(Ta) 45ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250μA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 1206-8 ChipFET? MOSFET(金属酸化物)
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B-1
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12 2112+  

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コアスタッフ型名:st74844990

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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4  

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コアスタッフ型名:st75163674

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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43 2024  

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コアスタッフ型名:st65330265

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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17 25+  

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コアスタッフ型名:st75026756

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR 100 V 36.7 A 1170pF @ 50V 46W 18ミリオーム @ 15A、10V 3.5V @ 250μA 27nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAKR SO-8デュアル
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B-1
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9,000 24+  

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コアスタッフ型名:st76083781

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR 100 V 36.7 A 1170pF @ 50V 46W 18ミリオーム @ 15A、10V 3.5V @ 250μA 27nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAKR SO-8デュアル
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B-2
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RoHS
2,840 22/23+  

最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st75611079

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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15,000 23+  

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コアスタッフ型名:st76083783

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-1
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100 22+  

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コアスタッフ型名:st75028456

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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71  

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コアスタッフ型名:st75163696

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-1
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340 14  

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コアスタッフ型名:st65371235

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 30A(TA) 5600 pF @ 15 V 5.4W(Ta) 3ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 250μA 50 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAKR SO-8 MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-2
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RoHS
6,000 22/23+  

最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st75611086

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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2,420  

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コアスタッフ型名:st75163699

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-1
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152 22+  

最低発注数量 : 77
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st73486018

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-1
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2,415  

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コアスタッフ型名:st75163700

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-2
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RoHS
3,000 19+  

最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st75611087

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-1
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2,141  

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コアスタッフ型名:st75163701

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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B-1
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24,263 24+  

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コアスタッフ型名:st76083786

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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6,940  

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コアスタッフ型名:st75163702

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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RoHS
1,789 22+  

最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st75611089

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

品質保証
B-1
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144 2145  

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コアスタッフ型名:st65329937

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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17,329  

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コアスタッフ型名:st63661118

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 6.2A(TA) 1.5W(Ta) 24ミリオーム @ 8.1A、10V 3V @ 250μA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-1
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2,500  

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コアスタッフ型名:st72028588

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 6.2A(TA) 1.5W(Ta) 24ミリオーム @ 8.1A、10V 3V @ 250μA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
品質保証
B-1
取り寄せ
海外情報
50  

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コアスタッフ型名:st49480973

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 4.1A(TA) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250μA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-1
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7,141 0910+  

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コアスタッフ型名:st48156988

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 4.1A(TA) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250μA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-1
取り寄せ
海外情報
17,699 23+  

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コアスタッフ型名:st49422816

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 4.1A(TA) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250μA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート
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B-1
取り寄せ
6,711  

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コアスタッフ型名:st63661119

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY TrenchFETR 60 V 3.7 A 2.4W 80ミリオーム @ 3.7A、10V 3V @ 250μA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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B-1
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20 21+  

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コアスタッフ型名:st75029439

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY VRPower® -40°C~150°C(TJ) 同期式降圧コンバータ 面実装 PowerPAK® MLP55-31L パワーMOSFET
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B-1
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20  

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コアスタッフ型名:st75163722

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY VRPower® -40°C~150°C(TJ) 同期式降圧コンバータ 面実装 PowerPAK® MLP55-31L パワーMOSFET
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B-1
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108,000  

最低発注数量 : 3,000
以降発注単位 : 1

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コアスタッフ型名:st70661893

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY VRPower® -40°C~150°C(TJ) 同期式降圧コンバータ 面実装 PowerPAK® MLP55-31L パワーMOSFET
品質保証
B-1
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2,665 24+  

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コアスタッフ型名:st76083814

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

VISHAY
品質保証
B-1
取り寄せ
25 22+  

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コアスタッフ型名:st75018909

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

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