メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 使用温度範囲 用途

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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
授權代理店
A-1
来自供应商的订
40,000
5,000pcs ~  $0.502
50,000pcs ~  $0.502
250,000pcs ~  $0.501


MOQ : 5,000
SPQ : 5,000

Detail

预计 7个工作日

核友型号:st71533758

Toshiba Semiconductor and Storage Nチャンネル 30V 84A 21 nC 面実装 SOP Advance
授權代理店
A-1
来自供应商的订
3,000
3,000pcs ~  $0.278
30,000pcs ~  $0.277
150,000pcs ~  $0.276
300,000pcs ~  $0.276


MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Detail

预计 7个工作日

核友型号:st71533761

Toshiba Semiconductor and Storage Nチャンネル 60V 21A 12 nC 面実装 TSON Advance
授權代理店
A-1
来自供应商的订
65,000
5,000pcs ~  $0.41
50,000pcs ~  $0.409
250,000pcs ~  $0.409


MOQ : 5,000
SPQ : 5,000

Detail

预计 7个工作日

核友型号:st71533762

Toshiba Semiconductor and Storage Nチャンネル 60V 53A 22 nC 面実装 TSON Advance
授權代理店
A-1
来自供应商的订
30,000
5,000pcs ~  $1.416

MOQ : 5,000
SPQ : 5,000

Detail

预计 7个工作日

核友型号:st71533846

Toshiba Semiconductor and Storage Nチャンネル 100V 92A 58 nC 面実装 DSOP Advance
授權代理店
A-2
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UM6K33NTN
ROHM SEMICONDUCTOR

RoHS
15,000
1,186pcs ~  $0.158
11,860pcs ~  $0.155
59,300pcs ~  $0.155
118,600pcs ~  $0.154


MOQ : 1,186
SPQ : 1

Detail

预计 7个工作日

核友型号:st66671908

Rohm Semiconductor 50V 200mA 25pF @ 10V 120mW 2.2オーム @ 200mA、4.5V 1V @ 1mA MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、1.2V駆動 150°C(TJ) 面実装 UMT6
授權代理店
A-2
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UM6K34NTCN
ROHM SEMICONDUCTOR

RoHS
10,095
1,282pcs ~  $0.147
12,820pcs ~  $0.144
64,100pcs ~  $0.144
128,200pcs ~  $0.143


MOQ : 1,282
SPQ : 1

Detail

预计 7个工作日

核友型号:st66671909

Rohm Semiconductor 50V 200mA 26pF @ 10V 120mW 2.2オーム @ 200mA、4.5V 800mV @ 1mA MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、0.9V駆動 150°C(TJ) 面実装 UMT6
授權代理店
A-1
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UM6K34NTCN
ROHM SEMICONDUCTOR

RoHS
42,000 2511
3,000pcs ~  $0.113
30,000pcs ~  $0.112
150,000pcs ~  $0.112
300,000pcs ~  $0.111
1,500,000pcs ~  $0.111


MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Detail

预计 6个工作日

核友型号:st71355006

Rohm Semiconductor 50V 200mA 26pF @ 10V 120mW 2.2オーム @ 200mA、4.5V 800mV @ 1mA MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) ロジックレベルゲート、0.9V駆動 150°C(TJ) 面実装 UMT6
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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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質量保證
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2N03L08
INFINEON

1,140 01+  

预计 16个工作日

核友型号:st60346263

Infineon Technologies
質量保證
B-1
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2N0609
INFINEON

200 0428  

预计 11个工作日

核友型号:st68060683

Infineon Technologies
質量保證
B-1
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2N6661
MICROCHIP

RoHS
12  

预计 91个工作日

核友型号:st72074868

Microchip Technology Nチャンネル 90V 5V、10V 350mA(Tj) 50pF @ 24 V 6.25W(Tc) 4オーム @ 1A、10V 2V @ 1mA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-39
質量保證
B-1
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2N7000

2N7000
ON SEMICONDUCTOR

500  

预计 91个工作日

核友型号:st68871462

onsemi STripFET? Nチャンネル 60V 4.5V、10V 200mA(TA) 43pF @ 25 V 1W(Tc) 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA ±18V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-92
質量保證
B-1
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海外位置

2N7000G

2N7000G
ON SEMICONDUCTOR

208 705  

预计 7个工作日

End of Life 核友型号:st42453835

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 200mA(Tj) 60pF @ 25 V 1W(Tc) 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA ±30V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-92-3
質量保證
B-1
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2N7000RLRA
ON SEMICONDUCTOR

1,800  

预计 91个工作日

核友型号:st68871467

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 200mA(TA) 60pF @ 25 V 350mW(Tc) 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-92(TO-226)
質量保證
B-1
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2N7000RLRAG
ON SEMICONDUCTOR

606 15  

预计 11个工作日

核友型号:st65372046

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 200mA(TA) 60pF @ 25 V 350mW(Tc) 5オーム @ 500mA、10V 3V @ 1mA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-92(TO-226)
質量保證
B-2
来自供应商的订
海外位置

2N7002

2N7002
ON SEMICONDUCTOR

RoHS
80 18/19+   MOQ : 80
SPQ : 1

预计 8个工作日

End of Life 核友型号:st50308721

onsemi STripFET? Nチャンネル 60V 4.5V、10V 115mA(TA) 43pF @ 25 V 200mW(Ta) 5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 1 nC 20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002 H6327
INFINEON

RoHS
2,324 1644  

预计 11个工作日

核友型号:st68061100

Infineon Technologies 60V 2.5V SOT23-3
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

2N7002-LT1G
ON SEMICONDUCTOR

2,220 707  

预计 7个工作日

核友型号:st42453847

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA 1 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002DW
ON SEMICONDUCTOR

95  

预计 11个工作日

核友型号:st65474055

onsemi 60V 115mA 50pF @ 25V 200mW 7.5オーム @ 50mA、5V 2V @ 250μA MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-88(SC-70-6)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

2N7002DW H6327
INFINEON

13,077 1552+  

预计 16个工作日

核友型号:st50115662

Infineon Technologies 60V 2.5V SOT363-6
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

2N7002DWH6327
INFINEON

453 1540+  

预计 16个工作日

核友型号:st50115664

Infineon Technologies 60V 2.5V SOT363-6
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002DWH6327XTSA1

9,000 2244  

预计 10个工作日

核友型号:st65283191

Infineon Technologies OptiMOS? 60V 300mA 20pF @ 25V 500mW 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250μA 0.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT363-PO
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002DWH6327XTSA1

9,000 2244  

预计 8个工作日

核友型号:st65689078

Infineon Technologies OptiMOS? 60V 300mA 20pF @ 25V 500mW 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250μA 0.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT363-PO
質量保證
B-1
日本供应商
2,528 2015  

预计 4个工作日

核友型号:st30354642

VISHAY Nチャンネル 60V 4.5V、10V 240mA(TA) 21pF @ 5 V 350mW(Ta) 3オーム @ 250mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 [email protected] ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订
6,000 23+  

预计 8个工作日

核友型号:st70453955

VISHAY Nチャンネル 60V 4.5V、10V 240mA(TA) 21pF @ 5 V 350mW(Ta) 3オーム @ 250mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 [email protected] ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订
28,837  

预计 5个工作日

核友型号:st72228353

VISHAY Nチャンネル 60V 4.5V、10V 240mA(TA) 21pF @ 5 V 350mW(Ta) 3オーム @ 250mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 [email protected] ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订
RoHS
160  

预计 91个工作日

核友型号:st68871476

VISHAY Nチャンネル 60V 4.5V、10V 240mA(TA) 21pF @ 5 V 350mW(Ta) 3オーム @ 250mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 [email protected] ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订
1,563 20  

预计 11个工作日

核友型号:st65328375

VISHAY Nチャンネル 60V 4.5V、10V 240mA(TA) 21pF @ 5 V 350mW(Ta) 3オーム @ 250mA、10V 2.5V @ 250µA 0.6 [email protected] ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002ET1G
ON SEMICONDUCTOR

165,000 24+  

预计 8个工作日

核友型号:st70453956

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 260mA(TA) 26.7pF @ 25 V 300mW(Tj) 2.5オーム @ 240mA、10V 2.5V @ 250µA 0.81 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002ET1G
ON SEMICONDUCTOR

11,900 17+  

预计 11个工作日

核友型号:st65439268

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 260mA(TA) 26.7pF @ 25 V 300mW(Tj) 2.5オーム @ 240mA、10V 2.5V @ 250µA 0.81 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002ET1G
ON SEMICONDUCTOR

RoHS
290  

预计 91个工作日

核友型号:st68871477

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 260mA(TA) 26.7pF @ 25 V 300mW(Tj) 2.5オーム @ 240mA、10V 2.5V @ 250µA 0.81 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002H6327XTSA2

12,000 202231  

预计 11个工作日

核友型号:st69758263

Infineon Technologies OptiMOS? Nチャンネル 60V 4.5V、10V 300mA(TA) 20pF @ 25 V 500mW(Ta) 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT23
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002H6327XTSA2

2,300 21+  

预计 12个工作日

核友型号:st62787465

Infineon Technologies OptiMOS? Nチャンネル 60V 4.5V、10V 300mA(TA) 20pF @ 25 V 500mW(Ta) 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT23
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002H6327XTSA2

24,000 1851  

预计 7个工作日

核友型号:st66725290

Infineon Technologies OptiMOS? Nチャンネル 60V 4.5V、10V 300mA(TA) 20pF @ 25 V 500mW(Ta) 3オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-SOT23
質量保證
B-1
来自供应商的订
3,000 23+  

预计 12个工作日

核友型号:st70704121

KEC Nチャンネル 60V 300mA 18pF 2.3 オーム@10V 2.35V 車載用 面実装 SOT-23
質量保證
B-1
来自供应商的订
2,425  

预计 11个工作日

核友型号:st67961161

KEC Nチャンネル 60V 300mA 18pF 2.3 オーム@10V 2.35V 車載用 面実装 SOT-23
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002KT1G

2N7002KT1G
ON SEMICONDUCTOR

3,000 18+  

预计 8个工作日

核友型号:st70453957

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 320mA(TA) 24.5pF @ 20 V 300mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 2.3V @ 250µA 0.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
日本供应商

2N7002KT1G

2N7002KT1G
ON SEMICONDUCTOR

207,000 21+  

预计 12个工作日

核友型号:st50099039

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 320mA(TA) 24.5pF @ 20 V 300mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 2.3V @ 250µA 0.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002KT1G

2N7002KT1G
ON SEMICONDUCTOR

RoHS
1,782 0807  

预计 11个工作日

核友型号:st68077553

onsemi Nチャンネル 60V 4.5V、10V 320mA(TA) 24.5pF @ 20 V 300mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 2.3V @ 250µA 0.7 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
C-1
来自供应商的订

2N7002KW
ON SEMICONDUCTOR

249,442  

预计 7个工作日

核友型号:st67293531

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 310mA(TA) 50pF @ 25 V 350mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 2.1V @ 250µA 0.55 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002L
ON SEMICONDUCTOR

535  

预计 8个工作日

核友型号:st67864003

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(TA) 50pF @ 25 V 200mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT1
ON SEMICONDUCTOR

3,875  

预计 5个工作日

核友型号:st72214582

onsemi Nチャンネル 60V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT1
ON SEMICONDUCTOR

2,187  

预计 91个工作日

核友型号:st68871480

onsemi Nチャンネル 60V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR

910  

预计 5个工作日

核友型号:st72214675

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

2N7002LT1G

2N7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR

2,322 647  

预计 7个工作日

核友型号:st42453846

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT1G

2N7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR

120,000 2228  

预计 11个工作日

核友型号:st65324894

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT1G

2N7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR

RoHS
550  

预计 91个工作日

核友型号:st68871481

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT1G

2N7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR

7,678  

预计 15个工作日

核友型号:st65062596

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT3G

2N7002LT3G
ON SEMICONDUCTOR

7,678  

预计 15个工作日

核友型号:st65062597

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
来自供应商的订

2N7002LT7G
ON SEMICONDUCTOR

18,000 24+  

预计 8个工作日

核友型号:st70453958

onsemi Nチャンネル 60V 5V、10V 115mA(Tc) 50pF @ 25 V 225mW(Ta) 7.5オーム @ 500mA、10V 2.5V @ 250µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
質量保證
B-1
日本供应商

2SJ103-GR
TOSHIBA

5 2003  

预计 4个工作日

核友型号:st40062518

Toshiba Semiconductor and Storage

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