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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 7A(TA) 470 pF @ 25 V 46W(Tc) 665ミリオーム @ 2.4A、10V 5V @ 200μA 14.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-220FM MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 9A(Tc) 430 pF @ 25 V 94W(Tc) 585ミリオーム @ 2.8A、10V 4V @ 230μA 24 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 9A(Tc) 430 pF @ 25 V 94W(Tc) 585ミリオーム @ 2.8A、10V 4V @ 230μA 24 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTS MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Generation 2nd SJMOS Low Noise MOSFET Nch 650V 9A 530 ミリオーム TO-220FM
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 9A(Tc) 540 pF @ 25 V 94W(Tc) 585ミリオーム @ 2.8A、10V 5V @ 230μA 16.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 9A(Tc) 540 pF @ 25 V 94W(Tc) 585ミリオーム @ 2.8A、10V 5V @ 230μA 16.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTS MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 9A(TA) 540 pF @ 25 V 48W(Tc) 585ミリオーム @ 2.8A、10V 5V @ 230μA 16.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-220FM MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 11A(Tc) 670 pF @ 25 V 124W(Tc) 400ミリオーム @ 3.8A、10V 4V @ 320μA 32 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 11A(Tc) 670 pF @ 25 V 124W(Tc) 400ミリオーム @ 3.8A、10V 4V @ 320μA 32 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTS MOSFET(金属酸化物)
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1pcs ~  ¥228.27
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100pcs ~  ¥149.83
300pcs ~  ¥143.22
500pcs ~  ¥141.89
1,000pcs ~  ¥140.9

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ROHM Nチャンネル 650V 10V 11A(Tc) 760 pF @ 25 V 124W(Tc) 400ミリオーム @ 3.8A、10V 5V @ 320μA 22 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物)
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1pcs ~  ¥367.56
10pcs ~  ¥324.54
30pcs ~  ¥258.37
50pcs ~  ¥245.13
100pcs ~  ¥235.2
300pcs ~  ¥228.59

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ROHM Nチャンネル 650V 10V 11A(Tc) 760 pF @ 25 V 124W(Tc) 400ミリオーム @ 3.8A、10V 5V @ 320μA 22 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTS MOSFET(金属酸化物)
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500pcs ~  ¥91.6
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ROHM Generation 2nd SJMOS Fast Switching MOSFET Nch 650V 11A 360 ミリオーム TO-220FM
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300pcs ~  ¥308.51

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ROHM Nチャンネル 650V 10V 15A(Tc) 910 pF @ 25 V 60W(Tc) 315ミリオーム @ 6.5A、10V 4V @ 430μA 40 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-220FM MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 15A(Tc) 1050 pF @ 25 V 60W(Tc) 315ミリオーム @ 6.5A、10V 5V @ 430μA 27.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-3PF MOSFET(金属酸化物)
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R6520ENX
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 20A(Tc) 1400 pF @ 25 V 231W(Tc) 205ミリオーム @ 9.5A、10V 4V @ 630μA 61 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-247G MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 20A(Tc) 1400 pF @ 25 V 68W(Tc) 205ミリオーム @ 9.5A、10V 4V @ 630μA 61 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-3PF MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 20A(Tc) 1550 pF @ 25 V 231W(Tc) 205ミリオーム @ 9.5A、10V 5V @ 630μA 40 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTS MOSFET(金属酸化物)
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R6520KNX
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 20A(Tc) 1550 pF @ 25 V 220W(Tc) 205ミリオーム @9.5A、10V 5V @ 630μA 40 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物)
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R6520KNZ4C13

30
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 20A(Tc) 1550 pF @ 25 V 231W(Tc) 205ミリオーム @ 9.5A、10V 5V @ 630μA 40 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-247 MOSFET(金属酸化物)
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30
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1pcs ~  ¥742.61
5pcs ~  ¥653.67
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 20A(Tc) 1550 pF @ 25 V 68W(Tc) 205ミリオーム @ 9.5A、10V 5V @ 630μA 40 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-3PF MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 24A(Tc) 1650 pF @ 25 V 245W(Tc) 185ミリオーム @ 11.3A、10V 4V @ 750μA 70 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTS MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 24A(Tc) 1650 pF @ 25 V 74W(Tc) 185ミリオーム @ 11.3A、10V 4V @ 750μA 70 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-220FM MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 24A(Tc) 1650 pF @ 25 V 245W(Tc) 185ミリオーム @ 11.3A、10V 4V @ 750μA 70 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-247G MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 24A(Tc) 1650 pF @ 25 V 74W(Tc) 185ミリオーム @ 11.3A、10V 4V @ 750μA 70 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-3PF MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 24A(Tc) 1850 pF @ 25 V 253W(Tc) 185ミリオーム @ 11.3A、10V 5V @ 750μA 45 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物)
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ROHM Nチャンネル 650V 10V 24A(Tc) 1850 pF @ 25 V 74W(Tc) 185ミリオーム @ 11.3A、10V 5V @ 750μA 45 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) スルーホール TO-220FM MOSFET(金属酸化物)

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