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ECADモデル メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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SI1902DL-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 20V 660mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1902DL-T1-BE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 660mA(Ta) - 270mW(Ta) 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1902DL-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 20V 660mA(Ta) 270mW(Ta) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1902DL-T1-BE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 660mA(Ta) - 270mW(Ta) 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1902DL-T1-E3

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MOSFET - アレイ 20V 660mA 270mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1902DL-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 660mA - 270mW 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1902DL-T1-E3

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MOSFET - アレイ 20V 660mA 270mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1902DL-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 660mA - 270mW 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1902DL-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 20V 660mA 270mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1902DL-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 660mA - 270mW 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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MOSFET - アレイ 20V 660mA 270mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1902DL-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 660mA - 270mW 385ミリオーム @ 660mA、4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1922EDH-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 20V 1.3A(Ta)、1.3A(Tc) 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1922EDH-T1-BE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A(Ta)、1.3A(Tc) - 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 198ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1922EDH-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 20V 1.3A(Ta)、1.3A(Tc) 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1922EDH-T1-BE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A(Ta)、1.3A(Tc) - 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 198ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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MOSFET - アレイ 20V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1922EDH-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A - 1.25W 198ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1922EDH-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 20V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1922EDH-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A - 1.25W 198ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1926DL-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 60V 340mA(Ta)、370mA(Tc) 300mW(Ta)、510mW(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1926DL-T1-BE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 340mA(Ta)、370mA(Tc) 18.5pF @ 30V 300mW(Ta)、510mW(Tc) 1.4オーム @ 340mA、10V 2.5V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1926DL-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 60V 340mA(Ta)、370mA(Tc) 300mW(Ta)、510mW(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1926DL-T1-BE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 340mA(Ta)、370mA(Tc) 18.5pF @ 30V 300mW(Ta)、510mW(Tc) 1.4オーム @ 340mA、10V 2.5V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1926DL-T1-E3

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MOSFET - アレイ 60V 370mA 510mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1926DL-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 370mA 18.5pF @ 30V 510mW 1.4オーム @ 340mA、10V 2.5V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1926DL-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 370mA 510mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1926DL-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 370mA 18.5pF @ 30V 510mW 1.4オーム @ 340mA、10V 2.5V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1926DL-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 370mA 510mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1926DL-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 370mA 18.5pF @ 30V 510mW 1.4オーム @ 340mA、10V 2.5V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1926DL-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 60V 370mA 510mW 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1926DL-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 370mA 18.5pF @ 30V 510mW 1.4オーム @ 340mA、10V 2.5V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1965DH-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 12V 1.14A(Ta)、1.3A(Tc) 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1965DH-T1-BE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 1.14A(Ta)、1.3A(Tc) 120pF @ 6V 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 390ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1965DH-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 12V 1.14A(Ta)、1.3A(Tc) 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1965DH-T1-BE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 1.14A(Ta)、1.3A(Tc) 120pF @ 6V 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 390ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1965DH-T1-E3

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MOSFET - アレイ 12V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1965DH-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 1.3A 120pF @ 6V 1.25W 390ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1965DH-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 12V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1965DH-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 1.3A 120pF @ 6V 1.25W 390ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1965DH-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 12V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1965DH-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 1.3A 120pF @ 6V 1.25W 390ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1965DH-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 12V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1965DH-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 1.3A 120pF @ 6V 1.25W 390ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 250µA 4.2nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1967DH-T1-BE3

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MOSFET - アレイ 20V 1A(Ta)、1.3A(Tc) 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1967DH-T1-BE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1A(Ta)、1.3A(Tc) 110pF @ 10V 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 490ミリオーム @ 910mA、4.5V 1V @ 250µA 4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1967DH-T1-BE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 1A(Ta)、1.3A(Tc) 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI1967DH-T1-BE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1A(Ta)、1.3A(Tc) 110pF @ 10V 740mW(Ta)、1.25W(Tc) 490ミリオーム @ 910mA、4.5V 1V @ 250µA 4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1967DH-T1-E3

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MOSFET - アレイ 20V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1967DH-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A 110pF @ 10V 1.25W 490ミリオーム @ 910mA、4.5V 1V @ 250µA 4nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
他社在庫

SI1967DH-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1967DH-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A 110pF @ 10V 1.25W 490ミリオーム @ 910mA、4.5V 1V @ 250µA 4nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI1967DH-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1967DH-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A 110pF @ 10V 1.25W 490ミリオーム @ 910mA、4.5V 1V @ 250µA 4nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
他社在庫

SI1967DH-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 1.3A 1.25W 面実装 SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI1967DH-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.3A 110pF @ 10V 1.25W 490ミリオーム @ 910mA、4.5V 1V @ 250µA 4nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SC-70-6
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SI2101-TP

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Pチャンネル 20 V 1.4A(Tj) 290mW 面実装 SOT-323
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI2101-TPMSCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 1.4A(Tj) 640 pF @ 8 V 290mW 100ミリオーム @ 1A、4.5V 1.2V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
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SI2101A-TP

RoHS

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Pチャンネル 20 V 2A 450mW 面実装 SOT-323
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SI2101A-TPCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 2A 290 pF @ 10 V 450mW 130ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.9 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
他社在庫

SI2101A-TP

RoHS

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Pチャンネル 20 V 2A 450mW 面実装 SOT-323
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SI2101A-TPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 2A 290 pF @ 10 V 450mW 130ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.9 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
他社在庫

SI2101AHE3-TP

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Pチャンネル 20 V 1.2A(Ta) 300mW 面実装 SOT-323
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-353-SI2101AHE3-TP-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 1.2A(Ta) 210 pF @ 10 V 300mW 130ミリオーム @ 1.5A、4.5V 1V @ 250µA 2.9 nC @ 10 V ±10V -55°C~150°C 面実装 SOT-323
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SI2102-TP

RoHS

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Nチャンネル 20 V 2.1A(Tj) 200mW 面実装 SOT-323
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI2102-TPMSTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 2.1A(Tj) 300 pF @ 10 V 200mW 60ミリオーム @ 3.6A、4.5V 1.2V @ 50µA 10 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323
他社在庫

SI2102-TP

RoHS

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Nチャンネル 20 V 2.1A(Tj) 200mW 面実装 SOT-323
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI2102-TPMSCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 2.1A(Tj) 300 pF @ 10 V 200mW 60ミリオーム @ 3.6A、4.5V 1.2V @ 50µA 10 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323

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