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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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PJMF360N60EC_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 11A(Tc) 30W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 600 V 10V 11A(Tc) 735 pF @ 400 V 30W(Tc) 360ミリオーム @ 5.5A、10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF380N65E1_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 10.6A(Tc) 33W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJMF380N65E1_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 10.6A(Tc) 769 pF @ 400 V 33W(Tc) 380ミリオーム @ 3.2A、10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF390N65EC_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 10A(Tc) 29.5W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 650 V 10V 10A(Tc) 726 pF @ 400 V 29.5W(Tc) 390ミリオーム @ 5A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF580N60E1_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 8A(Tc) 28W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 600 V 10V 8A(Tc) 497 pF @ 400 V 28W(Tc) 580ミリオーム @ 2.5A、10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF600N65E1_T0_00001

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Nチャンネル 700 V 7.3A(Tc) 32W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 700 V 10V 7.3A(Tc) 554 pF @ 400 V 32W(Tc) 600ミリオーム @ 2.1A、10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF900N60E1_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 4.4A(Tc) 23.6W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 600 V 10V 4.4A(Tc) 344 pF @ 400 V 23.6W(Tc) 900ミリオーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 11.5 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF900N60EC_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 5A(Tc) 22.5W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 600 V 10V 5A(Tc) 310 pF @ 400 V 22.5W(Tc) 900ミリオーム @ 2.3A、10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF900N65E1_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 4.7A(Tc) 25.5W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 650 V 10V 4.7A(Tc) 382 pF @ 400 V 25.5W(Tc) 900ミリオーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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PJMF990N65EC_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 4.7A(Tc) 22.5W(Tc) スルーホール ITO-220AB-F
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Nチャンネル 650 V 10V 4.7A(Tc) 306 pF @ 400 V 22.5W(Tc) 990ミリオーム @ 2A、10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール ITO-220AB-F MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 600 V 53A スルーホール TO-247AD
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Nチャンネル 600 V 10V 53A - - - 84 nC @ 10 V ±30V - スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 600 V 53A(Tc) 446W(Tc) スルーホール TO-247AD
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Nチャンネル 600 V 10V 53A(Tc) 3871 pF @ 400 V 446W(Tc) 74ミリオーム @ 26.5A、10V 4.5V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 600 V 30A(Tc) 235W(Tc) スルーホール TO-247AD
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Nチャンネル 600 V 10V 30A(Tc) 1960 pF @ 400 V 235W(Tc) 120ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 600 V 20.6A(Tc) 160W(Tc) スルーホール TO-247AD
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Nチャンネル 600 V 10V 20.6A(Tc) 1410 pF @ 400 V 160W(Tc) 180ミリオーム @ 9.5A、10V 3.8V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP099N60EC_T0_00601

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Nチャンネル 600 V 39A(Tc) スルーホール TO-220AB-L
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Nチャンネル 600 V 10V 39A(Tc) 2568 pF @ 400 V 308W (Tc) 99mOhm @ 19.5A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP120N60EC_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 30A(Tc) 235W(Tc) スルーホール TO-220AB-L
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Nチャンネル 600 V 10V 30A(Tc) 1960 pF @ 400 V 235W(Tc) 120ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP130N65EC_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 29A(Tc) 235W(Tc) スルーホール TO-220AB-L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJMP130N65EC_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 29A(Tc) 1920 pF @ 400 V 235W(Tc) 130ミリオーム @ 10.8A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP210N65EC_T0_00601

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Nチャンネル 700 V 19A(Tc) 150W(Tc) スルーホール TO-220AB-L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJMP210N65EC_T0_00601-ND@0

Nチャンネル 700 V 10V 19A(Tc) 1412 pF @ 400 V 150W(Tc) 210ミリオーム @ 9.5A、10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP360N60EC_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 11A(Tc) 87.5W(Tc) スルーホール TO-220AB-L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJMP360N60EC_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 11A(Tc) 735 pF @ 400 V 87.5W(Tc) 360ミリオーム @ 5.5A、10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP390N65EC_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 10A(Tc) 87.5W(Tc) スルーホール TO-220AB-L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJMP390N65EC_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 10A(Tc) 726 pF @ 400 V 87.5W(Tc) 390ミリオーム @ 5A、10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP900N60EC_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 5A(Tc) 47.5W(Tc) スルーホール TO-220AB-L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJMP900N60EC_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 5A(Tc) 310 pF @ 400 V 47.5W(Tc) 900ミリオーム @ 2.3A、10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJMP990N65EC_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 4.7A(Tc) 47.5W(Tc) スルーホール TO-220AB-L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJMP990N65EC_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 4.7A(Tc) 306 pF @ 400 V 47.5W(Tc) 990ミリオーム @ 2A、10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB-L MOSFET(金属酸化物) -
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PJP18N20_T0_00001

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Nチャンネル 200 V 18A(Tc) 89W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP18N20_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 200 V 10V 18A(Tc) 1017 pF @ 25 V 89W(Tc) 160ミリオーム @ 9A、10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP35N06A_T0_00001

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Nチャンネル 60 V 4.7A(Ta)、35A(Tc) 2W(Ta)、104W(Tc) スルーホール TO-220AB
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Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 4.7A(Ta)、35A(Tc) 1680 pF @ 20 V 2W(Ta)、104W(Tc) 21ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP3NA80_T0_00001

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Nチャンネル 800 V 3A(Ta) 106W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP3NA80_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 3A(Ta) 406 pF @ 25 V 106W(Tc) 4.8オーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP45N06A_T0_00001

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Nチャンネル 60 V 55A(Tc) 96W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP45N06A_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 55A(Tc) 2256 pF @ 25 V 96W(Tc) 12ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP4NA50A_T0_00001

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Nチャンネル 500 V 4A(Ta) 90W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP4NA50A_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 500 V 10V 4A(Ta) 449 pF @ 25 V 90W(Tc) 2.3オーム @ 2A、10V 4V @ 250µA 9.8 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP4NA65H_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 3A(Ta) 44W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP4NA65H_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 3A(Ta) 423 pF @ 25 V 44W(Tc) 3.75オーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 16.1 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP60R190E_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 2.1A(Ta)、20A(Tc) 2W(Ta)、231W(Tc) スルーホール TO-220AB
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Nチャンネル 600 V 10V 2.1A(Ta)、20A(Tc) 1421 pF @ 25 V 2W(Ta)、231W(Tc) 196ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP60R290E_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 1.7A(Ta)、15A(Tc) 184W(Tc) スルーホール TO-220AB
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Nチャンネル 600 V 10V 1.7A(Ta)、15A(Tc) 1013 pF @ 25 V 184W(Tc) 290ミリオーム @ 6.5A、10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP60R390E_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 1.5A(Ta)、11A(Tc) 2W(Ta)、124W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP60R390E_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 1.5A(Ta)、11A(Tc) 531 pF @ 25 V 2W(Ta)、124W(Tc) 390ミリオーム @ 3.8A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP60R540E_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 1.3A(Ta)、9A(Tc) 94W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP60R540E_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 1.3A(Ta)、9A(Tc) 531 pF @ 25 V 94W(Tc) 535ミリオーム @ 2.8A、10V 4V @ 250µA 23.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP60R620E_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 1.2A(Ta)、7A(Tc) 2W(Ta)、78W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP60R620E_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 1.2A(Ta)、7A(Tc) 457 pF @ 25 V 2W(Ta)、78W(Tc) 620ミリオーム @ 2.4A、10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP60R980E_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 4A(Tc) 58W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP60R980E_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 4A(Tc) 300 pF @ 25 V 58W(Tc) 980ミリオーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 14.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP7NA60_T0_00001

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Nチャンネル 600 V 7A(Ta) 145W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP7NA60_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 7A(Ta) 723 pF @ 25 V 145W(Tc) 1.2オーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 15.2 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJP8NA65A_T0_00001

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Nチャンネル 650 V 7.5A(Ta) 145W(Tc) スルーホール TO-220AB
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJP8NA65A_T0_00001-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 7.5A(Ta) 1245 pF @ 25 V 145W(Tc) 1.2オーム @ 3.75A、10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220AB MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ1820_R1_00001

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MOSFET - アレイ 20V 800mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 DFN1010-6L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ1820_R1_00001TR-ND@0

20V 800mA(Ta) 46pF @ 10V 400mW(Ta) 300ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 1.1nC @ 4.5V - 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1010-6L
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PJQ1821_R1_00001

RoHS

Certified
in Japan

   

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MOSFET - アレイ 20V 600mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 DFN1010-6L
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ1821_R1_00001TR-ND@0

20V 600mA(Ta) 51pF @ 10V 400mW(Ta) 600ミリオーム @ 300mA、4.5V 1V @ 250µA 1.1nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1010-6L
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PJQ1902_R1_00001

RoHS

Certified
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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 700mW(Ta) 面実装 3-DFN(0.6x1)
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ1902_R1_00001TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 1.5V、4.5V 500mA(Ta) 34 pF @ 15 V 700mW(Ta) 1.2オーム @ 350mA、4.5V 1.1V @ 250µA 0.87 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 3-DFN(0.6x1) MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ1902_R1_00001

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 700mW(Ta) 面実装 3-DFN(0.6x1)
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ1902_R1_00001CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 1.5V、4.5V 500mA(Ta) 34 pF @ 15 V 700mW(Ta) 1.2オーム @ 350mA、4.5V 1.1V @ 250µA 0.87 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 3-DFN(0.6x1) MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 20 V 950mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 DFN1006-3
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ1916_R1_00201CT-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.2V、4.5V 950mA(Ta) 46 pF @ 10 V 500mW(Ta) 300ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1006-3 MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 20 V 950mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 DFN1006-3
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ1916_R1_00201TR-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.2V、4.5V 950mA(Ta) 46 pF @ 10 V 500mW(Ta) 300ミリオーム @ 500mA、4.5V 1V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1006-3 MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ1917_R1_00001

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 20 V 700mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 DFN1006-3
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ1917_R1_00001TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.2V、4.5V 700mA(Ta) 51 pF @ 10 V 500mW(Ta) 600ミリオーム @ 300mA、4.5V 1V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1006-3 MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ2405-AU_R1_000A1

RoHS

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Pチャンネル 20 V 7.2A 2.8W(Ta) 面実装 DFN2020B-6
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ2405-AU_R1_000A1TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 7.2A 1785 pF @ 10 V 2.8W(Ta) 32ミリオーム @ 7.2A、4.5V 900mV @ 250µA 18.9 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN2020B-6 MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ2405_R1_00001

RoHS

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Pチャンネル 20 V 7.2A(Ta) 2.8W(Ta) 面実装 DFN2020B-6
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ2405_R1_00001TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 7.2A(Ta) 1785 pF @ 10 V 2.8W(Ta) 32ミリオーム @ 7.2A、4.5V 900mV @ 250µA 18.9 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN2020B-6 MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ2405_R1_00001

RoHS

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Pチャンネル 20 V 7.2A(Ta) 2.8W(Ta) 面実装 DFN2020B-6
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ2405_R1_00001CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 7.2A(Ta) 1785 pF @ 10 V 2.8W(Ta) 32ミリオーム @ 7.2A、4.5V 900mV @ 250µA 18.9 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN2020B-6 MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ2407_R1_00001

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 8.4A(Ta) 2W(Ta) 面実装 DFN2020B-6
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ2407_R1_00001TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.4A(Ta) 1169 pF @ 15 V 2W(Ta) 20ミリオーム @ 8.4A、10V 2.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN2020B-6 MOSFET(金属酸化物) -
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PJQ2407_R1_00001

RoHS

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Pチャンネル 30 V 8.4A(Ta) 2W(Ta) 面実装 DFN2020B-6
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJQ2407_R1_00001CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.4A(Ta) 1169 pF @ 15 V 2W(Ta) 20ミリオーム @ 8.4A、10V 2.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 DFN2020B-6 MOSFET(金属酸化物) -

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