Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのIGBT製品一覧

 
メーカー名

ヒット検索結果:3件  /   型名:指定なし  /   ステイタス:すべて  /   数量:0PCS~  /   メーカー:Vishay General Semiconductor - Diodes Division  /   シリーズ:すべて

1/1  ページ目を表示


在庫タイプ
仕入先ランク
サプライヤ 在庫
ロケーション
写真
データシート
型名
メーカ名
在庫数 デート
コード
単価 最低発注数量/以降発注単位 出荷予定日 情報
コアスタッフ型名
ECADモデル メーカー名 シリーズ IGBTタイプ 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 電流 - コレクタ遮断(最大) 電流 - コレクタ(Ic)(最大) 入力 入力静電容量(Cies) @ Vce 電力 - 最大 NTCサーミスタ Vce(on)(最大) @ Vge、Ic 商品概要 構成 動作温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
他社在庫

VS-40MT120PHAPBF

VS-40MT120PHAPBF
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

RoHS

在庫一覧表示

IGBT モジュール トレンチ型フィールドストップ ハーフブリッジ 1200 V 75 A 305 W スルーホール 12-MTP
梱包形態:スティック

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Vishay General Semiconductor - Diodes Division - トレンチ型フィールドストップ 1200 V 50 µA 75 A 標準 3.2 nF @ 25 V 305 W なし 2.65V @ 15V、40A ハーフブリッジ -40°C~150°C(TJ) スルーホール 12-MTP
他社在庫

VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

RoHS

在庫一覧表示

IGBT モジュール トレンチ シングル 1200 V 187 A 890 W シャーシマウント SOT-227
梱包形態:バラ品

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Vishay General Semiconductor - Diodes Division HEXFRED® トレンチ 1200 V 100 µA 187 A 標準 6.15 nF @ 25 V 890 W なし 2.55V @ 15V、100A シングル -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SOT-227
他社在庫

VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

RoHS

在庫一覧表示

IGBT モジュール トレンチ型フィールドストップ シングル 1200 V 281 A 1087 W シャーシマウント SOT-227
梱包形態:スティック

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Vishay General Semiconductor - Diodes Division HEXFRED® トレンチ型フィールドストップ 1200 V 100 µA 281 A 標準 9.35 nF @ 25 V 1087 W なし 2.05V @ 15V、 100A シングル -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SOT-227
  • 1

IGBTのおすすめ製品