BCR158E6327HTSA1
INFINEON
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single Pre-Biased |
| Manufacturer | INFINEON |
| Transistor Type | PNP - Pre-Bias |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100 nA(ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA/5V |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Power - Max | 200 mW |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA/10mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Device Package | PG-SOT23 |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 9,000
MOQ:3,000
SPQ:3,000
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 3,000 - 5,999 | $0.072 |
| 6,000 - 8,999 | $0.068 |
| 9,000 - 14,999 | $0.066 |
| 15,000 - 23,999 | $0.063 |
| 24,000 - | $0.059 |
| - | - |
| - | - |
| - | - |
