R6511ENXC7G
ROHM
รูปภาพใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น หากต้องการข้อมูลเพิ่มเติมโปรดดูที่คำอธิบายสินค้าด้านล่าง
เอกสาร
คำอธิบายสินค้า
| Category | ดิสครีตเซมิคอนดักเตอร์ Discrete single |
| Manufacturer | ROHM |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A(TA) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 53W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhms @ 3.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | Mosfet (Metal Oxide) |
| Operating Temperature Range | 150°C(TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Device Package | TO-220FM |
・Product description information is provided for convenience to provide an overview of the product.
・Please refer to the data sheet issued by the manufacturer for the relevant official information.
มีอยู่ในสต้อค: 1,000
MOQ:1
SPQ:1
จำนวนสินค้าค้างส่ง(Back Order): 0
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย (FOB JAPAN) |
|---|---|
| 1 - 9 | $2.324 |
| 10 - 49 | $1.451 |
| 50 - 99 | $0.978 |
| 100 - 299 | $0.919 |
| 300 - 499 | $0.879 |
| 500 - 999 | $0.871 |
| 1,000 - 1,999 | $0.865 |
| 2,000 - | $0.862 |
