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核友型号		 Manufacturer Series Drain to Source Voltage (Vdss) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Power - Max Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate charge (Qg) when Vgs is applied (max) Technology Configuration FET Feature Operating Temperature Range Applications Automotive Mounting Type Device Package Delete
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2N7334
MICROSEMI CORPORATION

   

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Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB

Microsemi Corporation - 100V 1A - 1.4W 700mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel - -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole MO-036AB

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