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库存类别供应商排名	库存所在位置	型号 / 制造商 / 其他	库存量	生产批次	最低订货数量 / 后续订购数量	预定出货日	资讯核友型号	Manufacturer	Series	FET Type	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Operating Temperature Range	Mounting Type	Device Package	Technology	FET Feature
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF530PBF VISHAY	284	20		预计 11个工作日	核友型号：st65329677
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540NLPBF INFINEON	50			预计 11个工作日	核友型号：st75141191	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-262	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540NPBF INFINEON	1,000	21+		预计 8个工作日	核友型号：st70572727	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540NPBF INFINEON	400	25+		预计 11个工作日	核友型号：st75027285	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647277	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540NSTRLPBF INFINEON	11,237	20+		预计 11个工作日	核友型号：st71361754	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540NSTRLPBF INFINEON	2			预计 11个工作日	核友型号：st75141192	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540PBF VISHAY	4	11+		预计 4个工作日	核友型号：st74845042
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540ZPBF INFINEON	13			预计 11个工作日	核友型号：st75141194	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	36A(Tc)	1770 pF @ 25 V	92W(Tc)	26.5mOhms @ 22A, 10V	4V @ 250μA	63 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF540ZPBF INFINEON	38	1844+		预计 4个工作日	核友型号：st74840127	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	36A(Tc)	1770 pF @ 25 V	92W(Tc)	26.5mOhms @ 22A, 10V	4V @ 250μA	63 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證	来自供应商的订	IRF5801TRPBF INFINEON	24,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st60358364	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	600mA(TA)	88 pF @ 25 V	2W(Ta)	2.2Ohms @ 360mA, 10V	5.5V @ 250μA	3.9 nC @ 10 V	±30V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5802TRPBF INFINEON	30,000	20+		预计 16个工作日	核友型号：st49404354	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	150V	10V	900mA(TA)	88 pF @ 25 V	2W(Ta)	1.2Ohms @ 540mA, 10V	5.5V @ 250μA	6.8 nC @ 10 V	±30V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5802TRPBF INFINEON	169			预计 11个工作日	核友型号：st75141195	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	150V	10V	900mA(TA)	88 pF @ 25 V	2W(Ta)	1.2Ohms @ 540mA, 10V	5.5V @ 250μA	6.8 nC @ 10 V	±30V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5803TRPBF INFINEON	12,000	22+		预计 4个工作日	核友型号：st74840089	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5803TRPBF INFINEON	3,000	21+		预计 11个工作日	核友型号：st71361755	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5803TRPBF INFINEON	30,000	15+		预计 16个工作日	核友型号：st49404356	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5803TRPBF INFINEON	2,357			预计 11个工作日	核友型号：st75141196	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5805TRPBF INFINEON	12,000	19+		预计 16个工作日	End of Life 核友型号：st49404357	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	3.8A(TA)	511 pF @ 25 V	2W(Ta)	98mOhms @ 3.8A, 10V	2.5V @ 250μA	17 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5806TRPBF INFINEON	1,035			预计 11个工作日	核友型号：st75141197	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	20V	2.5V, 4.5V	4A(TA)	594 pF @ 15 V	2W(Ta)	86mOhms @ 4A, 4.5V	1.2V @ 250μA	11.4 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF60DM206 INFINEON	32			预计 11个工作日	核友型号：st75141198	Infineon Technologies	StrongIRFET?	N-Channel	60V	6V, 10V	130A(Tc)	6530 pF @ 25 V	96W(Tc)	2.9mOhms @ 80A, 10V	3.7V @ 150μA	200 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DirectFET? Isometric ME	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF60R217 INFINEON	2,001	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404359	Infineon Technologies	StrongIRFET?	N-Channel	60V	6V, 10V	58A(Tc)	2170 pF @ 25 V	83W(Tc)	9.9mOhms @ 35A, 10V	3.7V @ 50μA	66 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	TO-252AA (DPAK)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF60SC241ARMA1 INFINEON	200			预计 11个工作日	核友型号：st75141199	Infineon Technologies	StrongIRFET?	N-Channel	60V	6V, 10V	360A(Tc)	16000 pF @ 30 V	2.4W(Ta), 417W(Tc)	1.3mOhms @ 100A, 10V	3.7V @ 250μA	388 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	PG-TO263-7	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF610PBF VISHAY	30	24+		预计 11个工作日	核友型号：st75024895
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF610PBF VISHAY	22			预计 11个工作日	核友型号：st75141200
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF610PBF VISHAY	74	1027		预计 11个工作日	核友型号：st65417924
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6215PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	30			预计 11个工作日	核友型号：st65359218	INTERNATIONAL RECTIFIER	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	13A(Tc)	860 pF @ 25 V	110W(Tc)	290mOhms @ 6.6A, 10V	4V @ 250μA	66 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6216TRPBF INFINEON	45			预计 11个工作日	核友型号：st75141201	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	2.2A(TA)	1280 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	240mOhms @ 1.3A, 10V	5V @ 250μA	49 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6216TRPBF-1 INFINEON	7,714			预计 8个工作日	核友型号：st73307670	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	2.2A(TA)	1280 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	240mOhms @ 1.3A, 10V	5V @ 250μA	49 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	SOT-223	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF6218PBF INFINEON	1,000	14+		预计 16个工作日	End of Life 核友型号：st50161407	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	27A(Tc)	2210 pF @ 25 V	250W(Tc)	150mOhms @ 16A, 10V	5V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6218PBF INFINEON	1,000	21+		预计 8个工作日	核友型号：st70572728	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	27A(Tc)	2210 pF @ 25 V	250W(Tc)	150mOhms @ 16A, 10V	5V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF630NPBF INFINEON	10,000	20+		预计 11个工作日	核友型号：st71361756	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF630NPBF INFINEON	34,500	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404366	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF630NPBF INFINEON	776			预计 11个工作日	核友型号：st75141203	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647278	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF630NSTRLPBF INFINEON	16			预计 11个工作日	核友型号：st75141204	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF640NPBF INFINEON	16			预计 11个工作日	核友型号：st75141206	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	18A(Tc)	1160 pF @ 25 V	150W(Tc)	150mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	67 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF640NPBF INFINEON	50,000	20+		预计 11个工作日	核友型号：st71361757	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	18A(Tc)	1160 pF @ 25 V	150W(Tc)	150mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	67 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,780	22+		预计 11个工作日	核友型号：st75028691	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	18A(Tc)	1160 pF @ 25 V	150W(Tc)	150mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	67 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF640NSTRLPBF INFINEON	2,400	21+		预计 11个工作日	核友型号：st71361758	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	18A(Tc)	1160 pF @ 25 V	150W(Tc)	150mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	67 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF640NSTRLPBF INFINEON	6,400	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404369	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	18A(Tc)	1160 pF @ 25 V	150W(Tc)	150mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	67 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF640NSTRLPBF INFINEON	688			预计 11个工作日	核友型号：st75141207	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	18A(Tc)	1160 pF @ 25 V	150W(Tc)	150mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	67 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st72742471	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	18A(Tc)	1160 pF @ 25 V	150W(Tc)	150mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	67 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6613TRPBF INFINEON	25			预计 11个工作日	核友型号：st75141210	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	40V	4.5V, 10V	23A(TA), 150A(Tc)	5950 pF @ 15 V	2.8W(Ta), 89W(Tc)	3.4mOhms @ 23A, 10V	2.25V @ 250μA	63 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MT	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6616TRPBF INFINEON	5			预计 11个工作日	核友型号：st75141211	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	40V	4.5V, 10V	19A(TA), 106A(Tc)	3765 pF @ 20 V	2.8W(Ta), 89W(Tc)	5mOhms @ 19A, 10V	2.25V @ 250μA	44 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MX	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6617TRPBF INFINEON	287			预计 11个工作日	核友型号：st75141212	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	14A(TA), 55A(Tc)	1300 pF @ 15 V	2.1W(Ta), 42W(Tc)	8.1mOhms @ 15A, 10V	2.35V @ 250μA	17 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? ST	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6618TRPBF INFINEON	8			预计 11个工作日	核友型号：st75141213	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	30A(TA), 170A(Tc)	5640 pF @ 15 V	2.8W(Ta), 89W(Tc)	2.2mOhms @ 30A, 10V	2.35V @ 250μA	65 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MT	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6620TRPBF INFINEON	98			预计 11个工作日	核友型号：st75141214	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	20V	4.5V, 10V	27A(TA), 150A(Tc)	4130 pF @ 10 V	2.8W(Ta), 89W(Tc)	2.7mOhms @ 27A, 10V	2.45V @ 250μA	42 nC @ 4.5 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MX	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6644TRPBF INFINEON	1			预计 11个工作日	核友型号：st75141215	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	10.3A(TA), 60A(Tc)	2210 pF @ 25 V	2.8W(Ta), 89W(Tc)	13mOhms @ 10.3A, 10V	4.8V @ 150μA	47 nC @ 10 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MN	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6645TRPBF INFINEON	32			预计 11个工作日	核友型号：st75141216	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	5.7A(TA), 25A(Tc)	890 pF @ 25 V	2.2W(Ta), 42W(Tc)	35mOhms @ 5.7A, 10V	4.9V @ 50μA	20 nC @ 10 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? SJ	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF6646TRPBF INFINEON	4,770	16+		预计 11个工作日	核友型号：st71361759	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	80V	10V	12A(TA), 68A(Tc)	2060 pF @ 25 V	2.8W(Ta), 89W(Tc)	9.5mOhms @ 12A, 10V	4.9V @ 150μA	50 nC @ 10 V	±20V	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MN	Mosfet (Metal Oxide)