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库存类别供应商排名	库存所在位置	型号 / 制造商 / 其他	库存量	生产批次	最低订货数量 / 后续订购数量	预定出货日	资讯核友型号	Manufacturer	Series	FET Type	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Operating Temperature Range	Mounting Type	Device Package	Technology	FET Feature
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF8707TRPBF INFINEON	19			预计 11个工作日	核友型号：st75141294	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	11A(TA)	760 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	11.9mOhms @ 11A, 10V	2.35V @ 25μA	9.3 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF8707TRPBF INFINEON	530	17+		预计 11个工作日	核友型号：st71361772	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	11A(TA)	760 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	11.9mOhms @ 11A, 10V	2.35V @ 25μA	9.3 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF8707TRPBF-1 INFINEON	16,000	17+		预计 16个工作日	核友型号：st73655162	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	11A(TA)	760 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	11.9mOhms @ 11A, 10V	2.35V @ 25μA	9.3 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SOIC	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF8714TRPBF INFINEON	7			预计 11个工作日	核友型号：st75141295	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	14A(TA)	1020 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	8.7mOhms @ 14A, 10V	2.35V @ 25μA	12 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF8721TRPBF INFINEON	1,911	1524+		预计 16个工作日	核友型号：st50161576	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	14A(TA)	1040 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	8.5mOhms @ 14A, 10V	2.35V @ 25μA	12 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF8788TRPBF INFINEON	10			预计 11个工作日	核友型号：st75141296	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	24A(TA)	5720 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	2.8mOhms @ 24A, 10V	2.35V @ 100μA	66 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF8910TRPBF INFINEON	285			预计 11个工作日	核友型号：st75141297	Infineon Technologies	HEXFETR	20 V	10 A	960pF @ 10V	2W	13.4mOhms @ 10A, 10V	2.55V @ 250μA	11nC @ 4.5V	MOSFET (Metal Oxide)	2 Nチャンネル(デュアル)	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF8915TRPBF INFINEON	15,265	17+		预计 11个工作日	核友型号：st71361773	Infineon Technologies	HEXFETR	20 V	8.9 A	540pF @ 10V	2W	18.3mOhms @ 8.9A, 10V	2.5V @ 250μA	7.4nC @ 4.5V	MOSFET (Metal Oxide)	2 Nチャンネル(デュアル)	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9310TRPBF INFINEON	4,000	24+		预计 11个工作日	核友型号：st75024542	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	20A(Tc)	5250 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	4.6mOhms @ 20A, 10V	2.4V @ 100μA	165 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9317TRPBF INFINEON	1,749			预计 11个工作日	核友型号：st75141298	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	16A(TA)	2820 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	6.6mOhms @ 16A, 10V	2.4V @ 50μA	92 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9317TRPBF INFINEON	19,704	1535+		预计 16个工作日	核友型号：st50161577	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	16A(TA)	2820 pF @ 15 V	2.5W(Ta)	6.6mOhms @ 16A, 10V	2.4V @ 50μA	92 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9321TRPBF INFINEON	18			预计 11个工作日	核友型号：st75141299	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	15A(TA)	2590 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	7.2mOhms @ 15A, 10V	2.4V @ 50μA	98 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9321TRPBF INFINEON	1,000			预计 8个工作日	核友型号：st73307694	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	15A(TA)	2590 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	7.2mOhms @ 15A, 10V	2.4V @ 50μA	98 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證	来自供应商的订	IRF9328TRPBF INFINEON	11,765	21+		预计 16个工作日	核友型号：st60358620	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	12A(Tc)	1680 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	11.9mOhms @ 12A, 10V	2.4V @ 25μA	52 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9335TRPBF INFINEON	30			预计 11个工作日	核友型号：st75141300	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	5.4A(TA)	386 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	59mOhms @ 5.4A, 10V	2.4V @ 10μA	14 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9335TRPBF INFINEON	16,000	20+		预计 16个工作日	核友型号：st49404460	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	5.4A(TA)	386 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	59mOhms @ 5.4A, 10V	2.4V @ 10μA	14 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9358PBF INFINEON	2,774	18+		预计 11个工作日	核友型号：st73659565	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	9.2 A	1740pF @ 25V	2W	16.3mOhms @ 9.2A, 10V	2.4V @ 25μA	38nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	2Pチャンネル(デュアル)	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9358TRPBF INFINEON	13			预计 11个工作日	核友型号：st75141301
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9362TRPBF INFINEON	53			预计 11个工作日	核友型号：st75141302
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9388TRPBF INFINEON	15			预计 11个工作日	核友型号：st75141303	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	10V, 20V	12A(TA)	1680 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	8.5mOhms @ 12A, 20V	2.4V @ 25μA	52 nC @ 10 V	±25V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9389TRPBF INFINEON	30			预计 11个工作日	核友型号：st75141304	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	6.8A, 4.6A	398pF @ 15V	2W	27mOhms @ 6.8A, 10V	2.3V @ 10μA	14nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	NおよびPチャンネル	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9389TRPBF INFINEON	12,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404464	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	6.8A, 4.6A	398pF @ 15V	2W	27mOhms @ 6.8A, 10V	2.3V @ 10μA	14nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	NおよびPチャンネル	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9392TRPBF INFINEON	13			预计 11个工作日	核友型号：st75141305	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	10V, 20V	9.8A(TA)	1270 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	12.1mOhms @ 7.8A, 20V	2.4V @ 25μA	14 nC @ 4.5 V	±25V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9393TRPBF INFINEON	4,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404465	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	10V, 20V	9.2A(TA)	1110 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	13.3mOhms @ 9.2A, 20V	2.4V @ 25μA	38 nC @ 10 V	±25V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9393TRPBF INFINEON	15			预计 11个工作日	核友型号：st75141306	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	10V, 20V	9.2A(TA)	1110 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	13.3mOhms @ 9.2A, 20V	2.4V @ 25μA	38 nC @ 10 V	±25V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9395MTRPBF INFINEON	5			预计 11个工作日	核友型号：st75141307	Infineon Technologies	DirectFET?	30 V	14 A	3241pF @ 15V	2.1W	7mOhms @ 14A, 10V	2.4V @ 50μA	64nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	2Pチャンネル(デュアル)	Logic Level Gate	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MC
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9520PBF VISHAY	3,000	17+		预计 11个工作日	核友型号：st75024671
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9530NPBF INFINEON	700			预计 11个工作日	核友型号：st75141308	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9530NPBF INFINEON	1,000	21+		预计 8个工作日	核友型号：st70572729	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9530NPBF INFINEON	35,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404467	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9530NSTRLPBF INFINEON	12,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404468	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647285	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9530PBF VISHAY	5			预计 11个工作日	核友型号：st75141309
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st72742476	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W(Tc)	117mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9540NPBF INFINEON	2,665			预计 11个工作日	核友型号：st75141310	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W(Tc)	117mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	100	22+		预计 11个工作日	核友型号：st75027777	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	299			预计 11个工作日	核友型号：st75141311	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	13	1727+		预计 4个工作日	核友型号：st74840151	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647286	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9640PBF VISHAY	88,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404474	VISHAY		P-Channel	200V	10V	11A(Tc)	1200 pF @ 25 V	125W(Tc)	500mOhms @ 6.6A, 10V	4V @ 250μA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9640PBF VISHAY	3,000	20+		预计 11个工作日	核友型号：st75026773
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9952TRPBF INFINEON	10			预计 11个工作日	核友型号：st75141313	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	3.5A, 2.3A	190pF @ 15V	2W	100mOhms @ 2.2A, 10V	1V @ 250μA	14nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	NおよびPチャンネル	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9952TRPBF INFINEON	12,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404481	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	3.5A, 2.3A	190pF @ 15V	2W	100mOhms @ 2.2A, 10V	1V @ 250μA	14nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	NおよびPチャンネル	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9Z24NPBF INFINEON	788			预计 11个工作日	核友型号：st75141314	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	45W(Tc)	175mOhms @ 7.2A, 10V	4V @ 250μA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st72742478	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	45W(Tc)	175mOhms @ 7.2A, 10V	4V @ 250μA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON	2,000	1935+		预计 11个工作日	End of Life 核友型号：st50400605	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 45W(Tc)	175mOhms @ 7.2A, 10V	4V @ 250μA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9Z34NPBF INFINEON	4			预计 11个工作日	核友型号：st75141315	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W(Tc)	100mOhms @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9Z34NPBF INFINEON	6,200	21+		预计 11个工作日	核友型号：st71361774	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W(Tc)	100mOhms @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON	1,600	1441+		预计 11个工作日	核友型号：st50307655	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 68W(Tc)	100mOhms @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON	49			预计 11个工作日	核友型号：st75141316	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 68W(Tc)	100mOhms @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)