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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI4848ADY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4848ADY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 5.5A(Tc) 335 pF @ 75 V 5W(Tc) 84ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 9.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848ADY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4848ADY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 5.5A(Tc) 335 pF @ 75 V 5W(Tc) 84ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 9.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848BDY-T1-GE3

   

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Nチャンネル 150 V 3.7A(Ta)、5A(Tc) 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4848BDY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 3.7A(Ta)、5A(Tc) 400 pF @ 75 V 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 89ミリオーム @ 3.7A、10V 4V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848BDY-T1-GE3

   

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Nチャンネル 150 V 3.7A(Ta)、5A(Tc) 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4848BDY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 3.7A(Ta)、5A(Tc) 400 pF @ 75 V 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 89ミリオーム @ 3.7A、10V 4V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848DY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4848DY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 2V @ 250µA(最小) 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848DY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4848DY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 2V @ 250µA(最小) 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848DY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4848DY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 2V @ 250µA(最小) 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848DY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4848DY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 150 V 6V、10V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 2V @ 250µA(最小) 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4850BDY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 8.4A(Ta)、11.3A(Tc) 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 面実装 8-SO
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4850BDY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 8.4A(Ta)、11.3A(Tc) 790 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 19.5ミリオーム @ 10A、10V 2.8V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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SI4850BDY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 8.4A(Ta)、11.3A(Tc) 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 面実装 8-SO
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4850BDY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 8.4A(Ta)、11.3A(Tc) 790 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 19.5ミリオーム @ 10A、10V 2.8V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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SI4850EY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4850EY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 22ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4850EY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4850EY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 22ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4850EY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4850EY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 22ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4850EY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4850EY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 22ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4862DY-T1-E3

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Nチャンネル 16 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4862DY-T1-E3-ND@0

Nチャンネル 16 V 2.5V、4.5V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 3.3ミリオーム @ 25A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 70 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4864DY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4864DY-T1-E3-ND@0

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 3.5ミリオーム @ 25A、4.5V 2V @ 250µA 70 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4864DY-T1-GE3

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Nチャンネル 20 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4864DY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 3.5ミリオーム @ 25A、4.5V 2V @ 250µA 70 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4864DY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4864DY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 3.5ミリオーム @ 25A、4.5V 2V @ 250µA 70 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4866DY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4866DY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル 12 V 2.5V、4.5V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 5.5ミリオーム @ 17A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 30 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4866DY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4866DY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル 12 V 2.5V、4.5V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 5.5ミリオーム @ 17A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 30 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4866DY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4866DY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 12 V 2.5V、4.5V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 5.5ミリオーム @ 17A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 30 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4866DY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4866DY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 12 V 2.5V、4.5V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 5.5ミリオーム @ 17A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 30 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4874BDY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4874BDY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Ta) 3230 pF @ 15 V 1.6W(Ta) 7ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4874BDY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4874BDY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Ta) 3230 pF @ 15 V 1.6W(Ta) 7ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4874BDY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4874BDY-T1-GE3-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Ta) 3230 pF @ 15 V 1.6W(Ta) 7ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4890DY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4890DY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 12ミリオーム @ 11A、10V 800mV @ 250µA(最小) 20 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4894BDY-T1-E3

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4894BDY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4894BDY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4894BDY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4894BDY-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4894BDY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4894BDY-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4894BDY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4896DY-T1-E3

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4896DY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4896DY-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4896DY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4896DY-T1-GE3

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4896DY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4896DY-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4896DY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4900DY-T1-E3

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4900DY-T1-E3CT-ND@0

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC

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