メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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7.5k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 7.5k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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7.5k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 7.5k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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75k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 75k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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75k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 75k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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750k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 750k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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750k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 750k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 82 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 82 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 820 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 820 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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8.2k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 8.2k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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8.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 8.2k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 82k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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82k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 82k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 820k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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820k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 820k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 91 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 91 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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910 オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 910 - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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910 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 910 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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9.1k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 9.1k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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9.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 9.1k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 91k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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91k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 91k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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910k オーム ±2% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S41X043914GPTR-ND@0

絶縁型 910k - 2 - 63mW 4 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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910k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S41X043914JPTR-ND@0

絶縁型 910k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0404 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.016インチ(0.40mm)
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0.0 オーム ジャンパ 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 0.0 - 4 - 31mW 8 ジャンパ - -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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0.0 オーム ジャンパ 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 0.0 - 4 - 31mW 8 ジャンパ - -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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10 オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10 - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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10 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10 - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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100 オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100 - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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100 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-S41X083101JPTR-ND@0

絶縁型 100 - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1k オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S41X083102GPTR-ND@0

絶縁型 1k - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S41X083102JPTR-ND@0

絶縁型 1k - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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10k オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10k - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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10k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-S41X083103JPCT-ND@0

絶縁型 10k - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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10k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-S41X083103JPTR-ND@0

絶縁型 10k - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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100k オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100k - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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100k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100k - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1M オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1M - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1M オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1M - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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11 オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S41X083110GPTR-ND@0

絶縁型 11 - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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11 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 11 - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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110 オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 110 - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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110 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 110 - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1.1k オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.1k - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1.1k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.1k - 4 - 31mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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11k オーム ±2% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 11k - 4 - 31mW 8 ±2% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0804 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)