メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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11k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 11k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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110k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 110k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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12 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 12 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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120 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 120 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.2k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.2k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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12k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 12k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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120k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 120k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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13 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 13 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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130 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 130 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.3k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.3k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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13k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 13k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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130k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 130k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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15 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 15 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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150 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 150 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.5k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.5k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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15k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 15k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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150k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 150k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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16 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 16 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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160 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 160 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.6k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.6k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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16k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 16k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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160k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 160k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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18 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 18 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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180 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 180 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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1.8k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.8k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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18k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 18k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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180k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 180k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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20 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 20 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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200 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 200 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 2k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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20k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 20k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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200k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 200k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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22 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 22 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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220 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 220 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.2k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 2.2k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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22k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 22k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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220k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043224JPTR-ND@0

絶縁型 220k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043240JP

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24 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043240JPTR-ND@0

絶縁型 24 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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240 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043241JPTR-ND@0

絶縁型 240 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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2.4k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043242JPTR-ND@0

絶縁型 2.4k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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24k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043243JPTR-ND@0

絶縁型 24k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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240k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043244JPTR-ND@0

絶縁型 240k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043270JP

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27 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-S40X043270JPTR-ND@0

絶縁型 27 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043271JP

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270 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043271JPTR-ND@0

絶縁型 270 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043272JP

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2.7k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043272JPTR-ND@0

絶縁型 2.7k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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27k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043273JPTR-ND@0

絶縁型 27k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043274JP

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270k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043274JPTR-ND@0

絶縁型 270k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043300JP

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30 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043300JPTR-ND@0

絶縁型 30 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043301JP

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300 オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-60-S40X043301JPTR-ND@0

絶縁型 300 - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)
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S40X043302JP

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3k オーム ±5% 31mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0302(0805メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 3k - 2 - 31mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 0302 0.033インチ長さ x 0.024インチ幅(0.85mm x 0.60mm) 0.016インチ(0.40mm)