メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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10 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 10 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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100 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 100 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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100 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 100 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 1k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 1k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 10k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 10k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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絶縁型 100k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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100k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 100k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1M オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1M - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1M オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1M - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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110 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 110 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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120 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 120 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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15 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 15 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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150 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 150 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1.5k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.5k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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15k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 15k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1.8k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.8k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 2k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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20k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 20k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 22 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 22 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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220 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 220 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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220 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 220 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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2.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 2.2k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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2.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 2.2k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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22k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 22k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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22k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 22k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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220k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 220k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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220k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 220k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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24 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 24 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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27 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 27 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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270 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 270 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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2.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 2.7k - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.063インチ幅(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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33 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 742 絶縁型 33 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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330 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2506、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742C163331JPTR-ND@0

CTS Resistor Products 742 絶縁型 330 - 8 - 63mW 16 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.252インチ x 幅0.063インチ(6.40mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)