メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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5.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083512JPCT-ND@0

絶縁型 5.1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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5.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083512JPTR-ND@0

絶縁型 5.1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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51k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083513JPTR-ND@0

絶縁型 51k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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51k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083513JPCT-ND@0

絶縁型 51k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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510k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083514JPTR-ND@0

絶縁型 510k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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510k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083514JPCT-ND@0

絶縁型 510k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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51 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C08351R0FP-ND@0

絶縁型 51 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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56 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083560JPTR-ND@0

絶縁型 56 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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56 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083560JPCT-ND@0

絶縁型 56 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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560 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 560 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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560 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 560 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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5.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 5.6k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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5.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083562JPTR-ND@0

絶縁型 5.6k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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56k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083563JPTR-ND@0

絶縁型 56k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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56k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083563JPCT-ND@0

絶縁型 56k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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560k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083564JPTR-ND@0

絶縁型 560k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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56 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C08356R0FP-ND@0

絶縁型 56 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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61.9 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C08361R9FP-ND@0

絶縁型 61.9 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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6.2k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C0836201FP-ND@0

絶縁型 6.2k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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68 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083680JPTR-ND@0

絶縁型 68 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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680 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083681JPTR-ND@0

絶縁型 680 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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680 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083681JPCT-ND@0

絶縁型 680 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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6.8k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083682JPTR-ND@0

絶縁型 6.8k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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68k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083683JPTR-ND@0

絶縁型 68k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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68k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083683JPCT-ND@0

絶縁型 68k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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680k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083684JPTR-ND@0

絶縁型 680k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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75 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083750JP-ND@0

絶縁型 75 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083820JPTR-ND@0

絶縁型 82 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083820JPCT-ND@0

絶縁型 82 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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820 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083821JPCT-ND@0

絶縁型 820 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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820 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 820 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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8.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083822JPCT-ND@0

絶縁型 8.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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8.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083822JPTR-ND@0

絶縁型 8.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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82k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 82k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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82k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083823JPTR-ND@0

絶縁型 82k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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820k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凹型、長側面ターミナル
核友型號:zp2216-742C083824JPTR-ND@0

絶縁型 820k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)