メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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470 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 470 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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47k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 47k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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470k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 470k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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51 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 51 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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51 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 51 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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510 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 510 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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5.1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 5.1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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51k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 51k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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510k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 510k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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51 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 51 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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56 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 56 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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56 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 56 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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560 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 560 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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5.6k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 5.6k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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56k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 56k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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62 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 62 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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68 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 68 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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680 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 680 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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6.8k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 6.8k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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68k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 68k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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741C083750JP

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75 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 75 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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741C083820JP

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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 82 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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741C083820JP

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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 82 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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741C083821JP

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820 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 820 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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741C083822JP

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8.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凹型、長側面ターミナル
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絶縁型 8.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.020インチ(0.50mm)
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741X043000XP

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0.0 オーム ジャンパ 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 0.0 - 2 - 63mW 4 ジャンパ ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043100JP

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10 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 10 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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100 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 100 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 10k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 10k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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1M オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 1M - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043120JP

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12 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 12 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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15 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 15 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043151JP

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150 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 150 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043154JP

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150k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 150k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043180JP

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18 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 18 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043220JP

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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
CoreStaff Part Number:zp2216-741X043220JPTR-ND@0

絶縁型 22 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043220JP

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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
CoreStaff Part Number:zp2216-741X043220JPCT-ND@0

絶縁型 22 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)