Resistor network arrays

メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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100k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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120 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 120 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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150 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 150 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1.5k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.5k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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18 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 18 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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180 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 180 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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1.8k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.8k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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22k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 22k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 22 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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2.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 2.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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22k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 22k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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24 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 24 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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2.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 2.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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27k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 27k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742X083330JP

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33 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 33 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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330 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 330 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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3.3k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 3.3k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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33k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 33k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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39 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 39 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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4.32k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.32k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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470k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 470k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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47 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 47 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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470 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 470 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 4.7k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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47k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 47k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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49.9 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 49.9 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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510 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 510 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742X083510JP

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51 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 51 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742X083561JP

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560 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 560 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742X083680JP

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68 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742X083680JP-ND@0

絶縁型 68 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742X083750JP

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in Japan

   

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75 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742X083750JP-ND@0

絶縁型 75 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742X0838202FP

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82k オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742X0838202FP-ND@0

絶縁型 82k - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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742X083822JP

RoHS

Certified
in Japan

   

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8.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 1206(3216メートル法)、凸型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-742X083822JP-ND@0

絶縁型 8.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.126インチ長さ x 0.063インチ幅(3.20mm x 1.60mm) 0.028インチ(0.70mm)
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743C083224JP

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220k オーム ±5% 100mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 2008、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-743C083224JPCT-ND@0

絶縁型 220k - 4 - 100mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C - 面実装 - 0.200インチ長さ x 0.079インチ幅(5.08mm x 2.00mm) 0.028インチ(0.70mm)
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745C101000XP

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0.0 オーム ジャンパ 63mW 素子あたりの電力 バス付き 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±250ppm/°C 2512(6432メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-745C101000XP-ND@0

バス付き 0.0 - 8 - 63mW 10 ジャンパ ±250ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.122インチ幅(6.40mm x 3.10mm) 0.028インチ(0.70mm)
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745C101100JP

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10 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 バス付き 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±250ppm/°C 2512(6432メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-745C101100JP-ND@0

バス付き 10 - 8 - 63mW 10 ±5% ±250ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.122インチ幅(6.40mm x 3.10mm) 0.028インチ(0.70mm)
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745C101101JP

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100 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 バス付き 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±250ppm/°C 2512(6432メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-745C101101JPTR-ND@0

バス付き 100 - 8 - 63mW 10 ±5% ±250ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.126インチ幅(6.40mm x 3.20mm) 0.028インチ(0.70mm)
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745C101102JP

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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 バス付き 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±250ppm/°C 2512(6432メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-745C101102JPTR-ND@0

バス付き 1k - 8 - 63mW 10 ±5% ±250ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.126インチ幅(6.40mm x 3.20mm) 0.028インチ(0.70mm)
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745C101102JP

RoHS

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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 バス付き 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±250ppm/°C 2512(6432メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-745C101102JPCT-ND@0

バス付き 1k - 8 - 63mW 10 ±5% ±250ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.126インチ幅(6.40mm x 3.20mm) 0.028インチ(0.70mm)
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745C101103JP

RoHS

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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 バス付き 8 抵抗ネットワーク、アレイ ±250ppm/°C 2512(6432メートル法)、凹型、長側面ターミナル
CoreStaff Part Number:zp2216-745C101103JPTR-ND@0

バス付き 10k - 8 - 63mW 10 ±5% ±250ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 0.252インチ長さ x 0.126インチ幅(6.40mm x 3.20mm) 0.028インチ(0.70mm)