Resistor network arrays

メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)

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メーカー名 シリーズ 回路タイプ 抵抗(オーム) 抵抗マッチング比 抵抗数 抵抗比ドリフト 素子あたりの電力 ピン数 商品概要 許容誤差 温度係数 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ サイズ/寸法 高さ - 座高(最大)
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741X043220JP

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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 22 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 22 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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220 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 220 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043222JP

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2.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 2.2k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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22k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 22k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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27 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 27 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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270 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 270 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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2.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 2.7k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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33 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 33 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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33 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 33 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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36 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 36 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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39 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 39 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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47 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 47 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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470 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 470 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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4.7k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 4.7k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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47k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 47k - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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51 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 51 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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56 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 56 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043680JP

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68 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 68 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X043750JP

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75 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 75 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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82 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 2 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0404(1010メートル法)、凸
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絶縁型 82 - 2 - 63mW 4 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.039インチ長さ x 0.039インチ幅(1.00mm x 1.00mm) 0.018インチ(0.45mm)
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741X083000XP

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0.0 オーム ジャンパ 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 0.0 - 4 - 63mW 8 ジャンパ ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X0831000FP

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100 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083100JP

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10 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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10 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083101JP

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100 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083101JP

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100 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083103JP

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CTS RESISTOR PRODUCTS

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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 741 絶縁型 10k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.079インチ x 幅0.039インチ(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083103JP

741X083103JP
CTS RESISTOR PRODUCTS

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10k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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CTS Resistor Products 741 絶縁型 10k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C DDR SDRAM、 DRAM、 MDDR 面実装 - 長さ0.079インチ x 幅0.039インチ(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083104JP

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100k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 100k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X08310R0FP

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10 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 10 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083120JP

RoHS

Certified
in Japan

   

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12 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 12 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083122JP

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1.2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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741X083151JP

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150 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 150 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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1.5k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 1.5k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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15k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 15k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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150k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 150k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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15 オーム ±1% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 15 - 4 - 63mW 8 ±1% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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2k オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 2k - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 22 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)
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22 オーム ±5% 63mW 素子あたりの電力 絶縁型 4 抵抗ネットワーク、アレイ ±200ppm/°C 0804、凸型、長側面ターミナル
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絶縁型 22 - 4 - 63mW 8 ±5% ±200ppm/°C -55°C~125°C 車載用AEC-Q200、DDR SDRAM、DRAM、MDDR 面実装 - 0.079インチ長さ x 0.039インチ幅(2.00mm x 1.00mm) 0.022インチ(0.55mm)