メーカー名 シリーズ トランジスタタイプ 電圧-コレクタエミッタブレークダウン(最大) 電流-コレクタ遮断(最大) 電流 - コレクタ(Ic)(最大) Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 周波数-トランジション 電力-最大 Vce飽和(最大)@lb、Ic 商品概要 使用温度範囲 用途 取り付けタイプ デバイスパッケージ

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メーカー名 シリーズ トランジスタタイプ 電圧-コレクタエミッタブレークダウン(最大) 電流-コレクタ遮断(最大) 電流 - コレクタ(Ic)(最大) Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 周波数-トランジション 電力-最大 Vce飽和(最大)@lb、Ic 商品概要 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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RF トランジスタ NPN 20V 50mA 1.5GHz 200mW 面実装 UMT3
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RF トランジスタ NPN 11V 50mA 3.2GHz 200mW 面実装 UMT3
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Rohm Semiconductor - NPN 11V 50mA 56 @ 5mA、10V 3.2GHz 200mW - 3.5dB @ 500MHz 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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Rohm Semiconductor - NPN 11V 50mA 56 @ 5mA、10V 3.2GHz 200mW - 3.5dB @ 500MHz 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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RF トランジスタ NPN 11V 50mA 3.2GHz 200mW 面実装 UMT3
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RF トランジスタ NPN 11V 50mA 3.2GHz 200mW 面実装 UMT3
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Rohm Semiconductor - NPN 11V 50mA 82 @ 5mA、10V 3.2GHz 200mW - 3.5dB @ 500MHz 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル NPN 32 V 500 mA 250MHz 200 mW 面実装 UMT3
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RF トランジスタ NPN 25V 50mA 300MHz 200mW 面実装 UMT3
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Rohm Semiconductor - NPN 25V 50mA 82 @ 1mA、6V 300MHz 200mW - - 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル NPN 120 V 50 mA 140MHz 200 mW 面実装 UMT3
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NPN 50 mA 180 @ 2mA、6V 150°C(TJ) 面実装 UMT3

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