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ประเภทสต็อก
อันดับซัพพลายเออร์		 ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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GT6K2P10IH
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 1A（Tc） 1.4W（Tc） 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT6K2P10IHTR-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 1A（Tc） 253 pF @ 50 V 1.4W（Tc） 670ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SOT-23-3 MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT6K2P10IH
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 1A（Tc） 1.4W（Tc） 面実装 SOT-23-3
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT6K2P10IHCT-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 1A（Tc） 253 pF @ 50 V 1.4W（Tc） 670ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SOT-23-3 MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT6K2P10KH
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT6K2P10KHCT-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 4.3A（Tc） 247 pF @ 50 V 25W（Tc） 670ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT6K2P10KH
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT6K2P10KHTR-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 4.3A（Tc） 247 pF @ 50 V 25W（Tc） 670ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT700P08D3
RoHS
   

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Pチャンネル 80 V 16A（Tc） 69W（Tc） 面実装 8-DFN（3.15x3.05）
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT700P08D3TR-ND@0

Pチャンネル 80 V 10V 16A（Tc） 1591 pF @ 40 V 69W（Tc） 75ミリオーム @ 2A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-DFN（3.15x3.05） MOSFET（金属酸化物） -
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GT700P08D3
RoHS
   

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Pチャンネル 80 V 16A（Tc） 69W（Tc） 面実装 8-DFN（3.15x3.05）
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT700P08D3CT-ND@0

Pチャンネル 80 V 10V 16A（Tc） 1591 pF @ 40 V 69W（Tc） 75ミリオーム @ 2A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-DFN（3.15x3.05） MOSFET（金属酸化物） -
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GT700P08K
RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 20A（Tc） 125W（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT700P08KTR-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 20A（Tc） 1615 pF @ 40 V 125W（Tc） 72ミリオーム @ 2A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） -
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GT700P08K
RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 20A（Tc） 125W（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT700P08KCT-ND@0

Pチャンネル 60 V 10V 20A（Tc） 1615 pF @ 40 V 125W（Tc） 72ミリオーム @ 2A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） -
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GT700P08S
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Pチャンネル 80 V 6.5A（Tc） 3W（Tc） 面実装 8-SOP
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT700P08STR-ND@0

Pチャンネル 80 V 10V 6.5A（Tc） 1624 pF @ 40 V 3W（Tc） 72ミリオーム @ 2A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOP MOSFET（金属酸化物） -
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GT700P08S
RoHS
   

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Pチャンネル 80 V 6.5A（Tc） 3W（Tc） 面実装 8-SOP
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT700P08SCT-ND@0

Pチャンネル 80 V 10V 6.5A（Tc） 1624 pF @ 40 V 3W（Tc） 72ミリオーム @ 2A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 8-SOP MOSFET（金属酸化物） -
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GT700P08T
RoHS
   

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Pチャンネル 80 V 25A（Tc） 125W（Tc） スルーホール TO-220
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT700P08T-ND@0

Pチャンネル 80 V 10V 25A（Tc） 1639 pF @ 40 V 125W（Tc） 72ミリオーム @ 2A、10V 3.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） スルーホール TO-220 MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT750P08K
RoHS
   

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28A（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT750P08KCT-ND@0

4.5V、10V 28A（Tc） 1981 pF @ 40 V 70mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT750P08K
RoHS
   

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28A（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT750P08KTR-ND@0

4.5V、10V 28A（Tc） 1981 pF @ 40 V 70mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT750P10K
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 24A（Tc） 79W（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT750P10KTR-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 24A（Tc） 1940 pF @ 50 V 79W（Tc） 85ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） -
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GT750P10K
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 24A（Tc） 79W（Tc） 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT750P10KCT-ND@0

Pチャンネル 100 V 10V 24A（Tc） 1940 pF @ 50 V 79W（Tc） 85ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-252 MOSFET（金属酸化物） -
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GT750P10M
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Pチャンネル 100 V 24A（Tc） 79W（Tc） 面実装 TO-263
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT750P10MTR-ND@0

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 24A（Tc） 1902 pF @ 50 V 79W（Tc） 65ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263 MOSFET（金属酸化物） -
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GT750P10M
RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 24A（Tc） 79W（Tc） 面実装 TO-263
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT750P10MCT-ND@0

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 24A（Tc） 1902 pF @ 50 V 79W（Tc） 65ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 TO-263 MOSFET（金属酸化物） -
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GT800N10L
RoHS
   

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3.5A（Tc） 面実装 SOT-23-3L
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT800N10LTR-ND@0

4.5V、10V 3.5A（Tc） 209 pF @ 50 V 80ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SOT-23-3L MOSFET（金属酸化物） 標準
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GT800N10L
RoHS
   

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3.5A（Tc） 面実装 SOT-23-3L
CoreStaff Part Number：zp2216-3141-GT800N10LCT-ND@0

4.5V、10V 3.5A（Tc） 209 pF @ 50 V 80ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SOT-23-3L MOSFET（金属酸化物） 標準
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM100-01X1-SL-ND@0

IXYS 100V 90A 8.5ミリオーム @ 80A、10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM100-01X1-SMD-ND@0

IXYS 100V 90A 8.5ミリオーム @ 80A、10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM120-0075P3-ND@0

IXYS 75V 118A 5.5ミリオーム @ 60A、10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM120-0075P3-SMD-ND@0

IXYS 75V 118A 5.5ミリオーム @ 60A、10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM120-0075X1-SMDSAM-ND@0

IXYS 75V 110A 4.9ミリオーム @ 60A、10V 4V @ 1mA 115nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM160-0055P3-ND@0

IXYS 55V 160A 3ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 1mA 90nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -40°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM160-0055X1-SL-ND@0

IXYS 55V 150A 3.3ミリオーム @ 100A、10V 4.5V @ 1mA 105nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM160-0055X1-SLSAM-ND@0

IXYS 55V 150A 3.3ミリオーム @ 100A、10V 4.5V @ 1mA 105nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM160-0055X1-SMDSAM-ND@0

IXYS 55V 150A 3.3ミリオーム @ 100A、10V 4.5V @ 1mA 105nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM220-004P3-SL SAM-ND@0

IXYS 40V 180A 4V @ 1mA 94nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -55°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™
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CoreStaff Part Number：zp2216-GWM70-01P2-ND@0

IXYS 100V 70A 14ミリオーム @ 35A、10V 4V @ 1mA 110nC @ 10V MOSFET（金属酸化物） 6Nチャンネル（3相ブリッジ） -40°C～175°C（TJ） 面実装 ISOPLUS-DIL™

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