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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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GS-065-060-5-T-A-TR
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS-065-060-5-T-A-TR-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 60A(Tc) 516 pF @ 400 V 32ミリオーム @ 18A、6V 2.6V @ 16.4mA 14 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 MOSFET(金属酸化物)
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GS0650041LMRXUSA1
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GS0650041LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 4A(Tc) 26 pF @ 400 V 570ミリオーム @ 1.2A、6V 2.6V @ 1mA 0.8 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650046LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 4.6A(Tc) 26 pF @ 400 V 455ミリオーム @ 1.2A、6V 2.6V @ 1mA 0.8 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650046LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 4.6A(Tc) 26 pF @ 400 V 455ミリオーム @ 1.2A、6V 2.6V @ 1mA 0.8 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650081LMRXUSA1
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GS0650081LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 8A(Tc) 54 pF @ 400 V 2.6V @ 1.7mA 1.6 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650086LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 8.8A(Tc) 54 pF @ 400 V 235ミリオーム @ 2.2A、6V 2.6V @ 1.7mA 1.6 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650086LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 8.8A(Tc) 54 pF @ 400 V 235ミリオーム @ 2.2A、6V 2.6V @ 1.7mA 1.6 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650111LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 11A(Tc) 70 pF @ 400 V 190ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650111LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 11A(Tc) 70 pF @ 400 V 190ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650112LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 11A(Tc) 70 pF @ 400 V 195ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650112LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 11A(Tc) 70 pF @ 400 V 195ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650116LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 12.2A(Tc) 70 pF @ 400 V 180ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650116LRMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 12.2A(Tc) 70 pF @ 400 V 180ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650116LRTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 12.2A(Tc) 70 pF @ 400 V 180ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650116LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 12.2A(Tc) 70 pF @ 400 V 180ミリオーム @ 3.2A、6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650146LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 15.2A(Tc) 85 pF @ 400 V 138ミリオーム @ 4A、6V 2.6V @ 3mA 2.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650146LRMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 15.2A(Tc) 85 pF @ 400 V 138ミリオーム @ 4A、6V 2.6V @ 3mA 2.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650146LRTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 15.2A(Tc) 85 pF @ 400 V 138ミリオーム @ 4A、6V 2.6V @ 3mA 2.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650146LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 15.2A(Tc) 85 pF @ 400 V 138ミリオーム @ 4A、6V 2.6V @ 3mA 2.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(5x6) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650182LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 18A(Tc) 132 pF @ 400 V 110ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 4.8mA 4 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650182LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 18A(Tc) 132 pF @ 400 V 110ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 4.8mA 4 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650186LRMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 23A(Tc) 132 pF @ 400 V 90ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 4.8mA 4.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650186LRTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 23A(Tc) 132 pF @ 400 V 90ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 4.8mA 4.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650302LMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 30A(Tc) 235 pF @ 400 V 68ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650302LTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 30A(Tc) 235 pF @ 400 V 68ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650306LLMRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 40A(Tc) 235 pF @ 400 V 58ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TOLL GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650306LLTRXUMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS0650306LLTRXUMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 40A(Tc) 235 pF @ 400 V 58ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TOLL GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650306LRMRXUSA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS0650306LRMRXUSA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 40A(Tc) 235 pF @ 400 V 54ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS0650306LRTRXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-GS0650306LRTRXUMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 700 V 6V 40A(Tc) 235 pF @ 400 V 54ミリオーム @ 5.5A、6V 2.6V @ 7.5mA 6.7 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PDFN(8x8) GaNFET(窒化ガリウム)
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GS2N7002KW

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 340mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GS2N7002KWCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 340mA(Ta) 18 pF @ 30 V 350mW(Ta) 2.5オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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GS2N7002KW

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 340mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-323
CoreStaff Part Number:zp2216-4786-GS2N7002KWTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 340mA(Ta) 18 pF @ 30 V 350mW(Ta) 2.5オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA 2.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-323 MOSFET(金属酸化物) -
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GS61004BMRXUSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61004BMRXUSA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 100 V 6V 45A(Tc) 295 pF @ 50 V 20ミリオーム @ 13.5A、6V 1.3V @ 7mA 6.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS61004BTRXUMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61004BTRXUMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 100 V 6V 45A(Tc) 295 pF @ 50 V 20ミリオーム @ 13.5A、6V 1.3V @ 7mA 6.2 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS61008PMRXUSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008PMRXUSA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 100 V 6V 90A(Tc) 600 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 2.6V @ 7mA 8 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS61008PTRXUMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008PTRXUMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 100 V 6V 90A(Tc) 600 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 2.6V @ 7mA 8 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS61008TMRXUSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008TMRXUSA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 100 V 6V 90A(Tc) 590 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 1.3V @ 7mA 12 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS61008TTRXUMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS61008TTRXUMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 100 V 6V 90A(Tc) 590 pF @ 50 V 9.5ミリオーム @ 27A、6V 1.3V @ 7mA 12 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS66502BMRXUSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66502BMRXUSA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 7.5A(Tc) 60 pF @ 400 V 260ミリオーム @ 2.25A、6V 2.6V @ 1.75mA 1.6 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS66502BTRXUMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66502BTRXUMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 7.5A(Tc) 60 pF @ 400 V 260ミリオーム @ 2.25A、6V 2.6V @ 1.75mA 1.6 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS66504BMRXUSA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66504BMRXUSA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 15A(Tc) 130 pF @ 400 V 130ミリオーム @ 4.5A、6V 1.3V @ 3.5mA 3 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS66504BTRXUMA1
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CoreStaff Part Number:zp2216-GS66504BTRXUMA1-ND@0

Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 15A(Tc) 130 pF @ 400 V 130ミリオーム @ 4.5A、6V 1.3V @ 3.5mA 3 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS66506TMRXUSA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 22.5A(Tc) 195 pF @ 400 V 90ミリオーム @ 6.7A、6V 1.3V @ 5mA 4.4 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)
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GS66506TTRXUMA1
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Infineon Technologies Nチャンネル 650 V 6V 22.5A(Tc) 195 pF @ 400 V 90ミリオーム @ 6.7A、6V 1.3V @ 5mA 4.4 nC @ 6 V +7V、-10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 GaNFET(窒化ガリウム)

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