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หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ FET機能
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AUIRF1324STRL7P
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 24 V 10V 340A（Tc） 7590 pF @ 24 V 300W（Tc） 1.65ミリオーム @ 195A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 PG-TO263-3
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AUIRF1404
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V 160A（Tc） 5669 pF @ 25 V 333W（Tc） 4ミリオーム @ 121A、10V 4V @ 250µA 196 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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AUIRF1404S
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V 75A（Tc） 7360 pF @ 25 V 3.8W（Ta）、200W（Tc） 4ミリオーム @ 95A、10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 D2PAK
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V 160A（Tc） 4340 pF @ 25 V 200W（Tc） 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 D2PAK
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V 160A（Tc） 4340 pF @ 25 V 200W（Tc） 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 TO-263AB（D2PAK）
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 10V 75A（Tc） 5480 pF @ 25 V 330W（Tc） 5.3ミリオーム @ 101A、10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 10V 150A（Tc） 4780 pF @ 25 V 230W（Tc） 4.9ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-262
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 10V 75A（Tc） 5110 pF @ 25 V 330W（Tc） 4.7ミリオーム @ 104A、10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 75 V 10V 75A（Tc） 3820 pF @ 25 V 230W（Tc） 13ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 30 V 10V 160A（Tc） 6320 pF @ 25 V 290W（Tc） 2.4ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 75 V 10V 75A（Tc） 3270 pF @ 25 V 200W（Tc） 12.6ミリオーム @ 48A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 10V 75A（Tc） 3247 pF @ 25 V 200W（Tc） 8ミリオーム @ 62A、10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 55 V 10V 75A（Tc） 3450 pF @ 25 V 170W（Tc） 6.5ミリオーム @ 66A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 D2PAK
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150 V 10V 43A（Tc） 2400 pF @ 25 V 200W（Tc） 42ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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HEXFET® Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40 V 10V 87A（Tc） 2150 pF @ 25 V 143W（Tc） 9.2ミリオーム @ 52A、10V 4V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） スルーホール TO-220AB
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