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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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Nチャンネル 1200 V 171A(Tc) 5000W(Tc) シャーシマウント SP6

43500 pF @ 25 V
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APTM20AM04FG

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MOSFET - アレイ 200V 372A 1250W シャーシマウント SP6

200V 372A 28900pF @ 25V 1250W 5ミリオーム @ 186A、10V 5V @ 10mA 560nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 200V 317A 1136W シャーシマウント SP6

200V 317A 27400pF @ 25V 1136W 5ミリオーム @ 158.5A、10V 5V @ 10mA 448nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 200V 300A 1250W シャーシマウント SP6

200V 300A 18500pF @ 25V 1250W 7.2ミリオーム @ 150A、10V 5V @ 6mA 325nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 200V 208A 781W シャーシマウント SP4

200V 208A 14400pF @ 25V 781W 10ミリオーム @ 104A、10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 200V 175A 694W シャーシマウント SP4

200V 175A 13700pF @ 25V 694W 12ミリオーム @ 87.5A、10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 200V 175A 694W シャーシマウント SP4

200V 175A 13700pF @ 25V 694W 12ミリオーム @ 87.5A、10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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Nチャンネル 200 V 372A(Tc) 1250W(Tc) シャーシマウント SP6

28900 pF @ 25 V
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APTM20DAM05G

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Nチャンネル 200 V 317A(Tc) 1136W(Tc) シャーシマウント SP6

27400 pF @ 25 V
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Nチャンネル 200 V 208A(Tc) 781W(Tc) シャーシマウント SP4

14400 pF @ 25 V
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APTM20DUM04G

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MOSFET - アレイ 200V 372A 1250W シャーシマウント SP6

200V 372A 28900pF @ 25V 1250W 5ミリオーム @ 186A、10V 5V @ 10mA 560nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 200V 317A 1136W シャーシマウント SP6

200V 317A 27400pF @ 25V 1136W 6ミリオーム @ 158.5A、10V 5V @ 10mA 448nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 200V 208A 781W シャーシマウント SP4

200V 208A 14400pF @ 25V 781W 10ミリオーム @ 104A、10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 200V 208A 781W シャーシマウント SP6

200V 208A 14400pF @ 25V 781W 10ミリオーム @ 104A、10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 200V 175A 694W シャーシマウント SP6

200V 175A 13700pF @ 25V 694W 12ミリオーム @ 87.5A、10V 5V @ 5mA 224nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 200V 104A 390W シャーシマウント SP4

200V 104A 7220pF @ 25V 390W 19ミリオーム @ 52A、10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 200V 89A 357W シャーシマウント SP4

200V 89A 6850pF @ 25V 357W 24ミリオーム @ 44.5A、10V 5V @ 2.5mA 112nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 200V 89A 357W シャーシマウント SP4

200V 89A 6850pF @ 25V 357W 24ミリオーム @ 44.5A、10V 5V @ 2.5mA 112nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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APTM20SKM04G

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Nチャンネル 200 V 372A(Tc) 1250W(Tc) シャーシマウント SP6

28900 pF @ 25 V
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Nチャンネル 200 V 208A(Tc) 781W(Tc) シャーシマウント SP4

14400 pF @ 25 V
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APTM20TAM16FPG

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MOSFET - アレイ 200V 104A 390W シャーシマウント SP6-P

200V 104A 7220pF @ 25V 390W 19ミリオーム @ 52A、10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6-P
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APTM20UM03FAG

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Nチャンネル 200 V 580A(Tc) 2270W(Tc) シャーシマウント SP6

43300 pF @ 25 V
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Nチャンネル 200 V 417A(Tc) 1560W(Tc) シャーシマウント SP6

28800 pF @ 25 V
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MOSFET - アレイ 500V 180A 1250W シャーシマウント SP6

500V 180A 28000pF @ 25V 1250W 20ミリオーム @ 90A、10V 5V @ 10mA 560nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 500V 163A 1136W シャーシマウント SP6

500V 163A 22400pF @ 25V 1136W 22.5ミリオーム @ 81.5A、10V 5V @ 10mA 492nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 500V 150A 1250W シャーシマウント SP6

500V 150A 19600pF @ 25V 1250W 28ミリオーム @ 75A、10V 5V @ 6mA 434nC @ 10V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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APTM50AM24SG

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MOSFET - アレイ 500V 150A 1250W シャーシマウント SP6

500V 150A 19600pF @ 25V 1250W 28ミリオーム @ 75A、10V 5V @ 6mA 434nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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APTM50AM35FTG

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MOSFET - アレイ 500V 99A 781W シャーシマウント SP4

500V 99A 14000pF @ 25V 781W 39ミリオーム @ 49.5A、10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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APTM50AM38FTG

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MOSFET - アレイ 500V 90A 694W シャーシマウント SP4

500V 90A 11200pF @ 25V 694W 45ミリオーム @ 45A、10V 5V @ 5mA 246nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 500V 90A 694W シャーシマウント SP4

500V 90A 11200pF @ 25V 694W 45ミリオーム @ 45A、10V 5V @ 5mA 246nC @ 10V シリコンカーバイド(SiC) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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APTM50AM38STG

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MOSFET - アレイ 500V 90A 694W シャーシマウント SP4

500V 90A 11200pF @ 25V 694W 45ミリオーム @ 45A、10V 5V @ 5mA 246nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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Nチャンネル 500 V 180A(Tc) 1250W(Tc) シャーシマウント SP6

28000 pF @ 25 V
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Nチャンネル 500 V 163A(Tc) 1136W(Tc) シャーシマウント SP6

22400 pF @ 25 V
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MOSFET - アレイ 500V 37A 312W シャーシマウント SP3

500V 37A 4367pF @ 25V 312W 120ミリオーム @ 18.5A、10V 5V @ 1mA 96nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP3
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MOSFET - アレイ 500V 51A 390W シャーシマウント SP3

500V 51A 7000pF @ 25V 390W 78ミリオーム @ 25.5A、10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP3
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MOSFET - アレイ 500V 90A 694W シャーシマウント SP6

500V 90A 11200pF @ 25V 694W 45ミリオーム @ 45A、10V 5V @ 5mA 246nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)非対称 - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 500V 37A 312W シャーシマウント SP3

500V 37A 4367pF @ 25V 312W 120ミリオーム @ 18.5A、10V 5V @ 1mA 96nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP3
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APTM50H14FT3G

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MOSFET - アレイ 500V 26A 208W シャーシマウント SP3

500V 26A 3259pF @ 25V 208W 168ミリオーム @ 13A、10V 5V @ 1mA 72nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP3
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MOSFET - アレイ 500V 25A 208W シャーシマウント SP1

500V 25A 5448pF @ 25V 208W 180ミリオーム @ 21A、10V 5V @ 1mA 170nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP1
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MOSFET - アレイ 500V 99A 781W シャーシマウント SP6

500V 99A 14000pF @ 25V 781W 39ミリオーム @ 49.5A、10V 5V @ 5mA 280nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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MOSFET - アレイ 500V 90A 694W シャーシマウント SP6

500V 90A 11200pF @ 25V 694W 45ミリオーム @ 45A、10V 5V @ 5mA 246nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6
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APTM50HM65FT3G

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MOSFET - アレイ 500V 51A 390W シャーシマウント SP3

500V 51A 7000pF @ 25V 390W 78ミリオーム @ 25.5A、10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP3
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MOSFET - アレイ 500V 51A 390W シャーシマウント SP4

500V 51A 7000pF @ 25V 390W 78ミリオーム @ 25.5A、10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 500V 46A 357W シャーシマウント SP3

500V 46A 5600pF @ 25V 357W 90ミリオーム @ 23A、10V 5V @ 2.5mA 123nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP3
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MOSFET - アレイ 500V 46A 357W シャーシマウント SP4

500V 46A 5600pF @ 25V 357W 90ミリオーム @ 23A、10V 5V @ 2.5mA 123nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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MOSFET - アレイ 500V 46A 357W シャーシマウント SP4

500V 46A 5590pF @ 25V 357W 90ミリオーム @ 23A、10V 5V @ 2.5mA 123nC @ 10V シリコンカーバイド(SiC) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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APTM50HM75STG

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MOSFET - アレイ 500V 46A 357W シャーシマウント SP4

500V 46A 5600pF @ 25V 357W 90ミリオーム @ 23A、10V 5V @ 2.5mA 123nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP4
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Nチャンネル 500 V 180A(Tc) 1250W(Tc) シャーシマウント SP6

28000 pF @ 25 V
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Nチャンネル 500 V 163A(Tc) 1136W(Tc) シャーシマウント SP6

22400 pF @ 25 V
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APTM50TAM65FPG

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MOSFET - アレイ 500V 51A 390W シャーシマウント SP6-P

500V 51A 7000pF @ 25V 390W 78ミリオーム @ 25.5A、10V 5V @ 2.5mA 140nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) - -40°C~150°C(TJ) シャーシマウント SP6-P

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