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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ FET機能
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B-2
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RoHS
14,065 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76516298

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 41A(TA)、298A(Tc) 5453 pF @ 12 V 2.1W(Ta)、89W(Tc) 0.65ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 82.1 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSON-8-4
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

RoHS
9,184 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76513966

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 25V 4.5V、10V 47A(TA)、310A(Tc) 5453 pF @ 12 V 2.1W(Ta)、89W(Tc) 0.58ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-WHTFN-9-1
Quality Guaranteed
B-1
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304  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75140973

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 27A(TA)、253A(Tc) 5700 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、89W(Tc) 0.85ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSON-8-4
Quality Guaranteed
B-1
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53  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st72074468

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 27A(TA)、253A(Tc) 5700 pF @ 15 V 2.1W(Ta)、89W(Tc) 0.85ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TSON-8-4
Quality Guaranteed
B-2
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RoHS
4,739 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76502233

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 31A(TA)、205A(Tc) 3900 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、107W(Tc) 1.35ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 51µA 55 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSON-8-4
Quality Guaranteed
B-2
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RoHS
17,652 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76523102

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 4.5V、10V 31A(TA)、205A(Tc) 3800 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、107W(Tc) 1.35ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 51µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-WHTFN-9-1
Quality Guaranteed
B-2
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RoHS
4,073 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76526953

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6V、10V 21A(TA)、137A(Tc) 3800 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、107W(Tc) 3ミリオーム @ 20A、10V 3.3V @ 50µA 49 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TTFN-9-1
Quality Guaranteed
B-1
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IQE046N08LM5
INFINEON

640 23+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75028512

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 99A 4.6 mオーム @ 10V 1.7V 2.3V -55°C~175°C 産業用 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
Quality Guaranteed
B-2
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RoHS
3,266 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76525057

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 80V 6V、10V 16A(TA)、101A(Tc) 2900 pF @ 40 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 5ミリオーム @ 20A、10V 3.8V @ 49µA 43.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TSON-8-4
Quality Guaranteed
B-1
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213  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75140974

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 6V、10V 14A(TA)、85A(Tc) 3000 pF @ 50 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 6.5ミリオーム @ 20A、10V 3.8V @ 48µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TTFN-9-1
Quality Guaranteed
B-2
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RoHS
5,096 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76520067

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 6V、10V 14A(TA)、85A(Tc) 3000 pF @ 50 V 2.5W(Ta)、100W(Tc) 6.5ミリオーム @ 20A、10V 3.8V @ 48µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TTFN-9-1
Quality Guaranteed
B-2
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IRF100B201
INFINEON TECHNOLOGIES

95,000 N/A   MOQ : 1,000
SPQ : 1,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681651

Infineon Technologies IR MOSFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 192A 9500 pF @ 50 V 441W(Tc) 4.2 mオーム @ 10V 3V 255 nC @ 10 V 4V -55°C~155°C(TJ) スタンダード スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-1
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IRF100B201
INFINEON

17,993 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361736

Infineon Technologies IR MOSFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 192A 9500 pF @ 50 V 441W(Tc) 4.2 mオーム @ 10V 3V 255 nC @ 10 V 4V -55°C~155°C(TJ) スタンダード スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-1
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IRF100B201
INFINEON

684  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141122

Infineon Technologies IR MOSFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 192A 9500 pF @ 50 V 441W(Tc) 4.2 mオーム @ 10V 3V 255 nC @ 10 V 4V -55°C~155°C(TJ) スタンダード スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-1
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Overseas Location

IRF100B201
INFINEON

30,011 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404281

Infineon Technologies IR MOSFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 192A 9500 pF @ 50 V 441W(Tc) 4.2 mオーム @ 10V 3V 255 nC @ 10 V 4V -55°C~155°C(TJ) スタンダード スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-2
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IRF100B202
INFINEON TECHNOLOGIES

9,000 N/A   MOQ : 600
SPQ : 300

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681652

Infineon Technologies IR MOSFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 97A 4476 pF @ 50 V 221W(Tc) 8.6 mオーム @ 10V 3V 116 nC @ 10 V 4V -55°C~175°C スタンダード スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF100B202

IRF100B202
INFINEON

10,737 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361737

Infineon Technologies IR MOSFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 97A 4476 pF @ 50 V 221W(Tc) 8.6 mオーム @ 10V 3V 116 nC @ 10 V 4V -55°C~175°C スタンダード スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

RoHS
4,263 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76563975

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 6V、10V 209A(Tc) 24000 pF @ 50 V 3.8W(Ta)、556W(Tc) 1.28ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 278µA 412 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

40  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141123

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 6V、10V 203A(Tc) 12020 pF @ 50 V 3.8W(Ta)、341W(Tc) 1.7ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 278µA 210 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3
Quality Guaranteed
B-1
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IRF100S201
INFINEON

3  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141124

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 192A(Tc) 9500 pF @ 50 V 441W(Tc) 4.2ミリオーム @ 115A、10V 4V @ 250µA 255 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
Quality Guaranteed
B-1
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IRF1010EPBF

IRF1010EPBF
INFINEON

5  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141125

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 84A(Tc) 3210 pF @ 25 V 200W(Tc) 12ミリオーム @ 50A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1010EZPBF

IRF1010EZPBF
INFINEON

370  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141126

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 75A(Tc) 2810 pF @ 25 V 140W(Tc) 8.5ミリオーム @ 51A、10V 4V @ 100µA 86 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
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IRF1010N
INFINEON

10 04+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75022960

Infineon Technologies Planar Mosfet Nチャンネル 55V 72A 4V スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1010NPBF

IRF1010NPBF
INFINEON

8  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141127

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 85A(Tc) 3210 pF @ 25 V 180W(Tc) 11ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
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IRF1010NPBF

IRF1010NPBF
INFINEON

500 2230  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68903655

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 85A(Tc) 3210 pF @ 25 V 180W(Tc) 11ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1010NSPBF
INFINEON

27 1446  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68903656

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 85A(Tc) 3210 pF @ 25 V 180W(Tc) 11ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRF1010NSTRLPBF

RoHS
1,600 19+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76436303

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 85A(Tc) 3210 pF @ 25 V 180W(Tc) 11ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1010NSTRLPBF

25  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141128

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 85A(Tc) 3210 pF @ 25 V 180W(Tc) 11ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1010ZPBF

IRF1010ZPBF
INFINEON

50  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141129

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 75A(Tc) 2840 pF @ 25 V 140W(Tc) 7.5ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1010ZSTRLPBF

1,200 2318+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078861

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 75A(Tc) 2840 pF @ 25 V 140W(Tc) 7.5ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRF1010ZSTRLPBF

RoHS
4,440 22/23+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76469022

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 75A(Tc) 2840 pF @ 25 V 140W(Tc) 7.5ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRF1018EPBF

IRF1018EPBF
INFINEON

RoHS
20,000 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76411471

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 79A(Tc) 2290 pF @ 50 V 110W(Tc) 8.4ミリオーム @ 47A、10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1018ESTRLPBF

168  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141130

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 79A(Tc) 2290 pF @ 50 V 110W(Tc) 8.4ミリオーム @ 47A、10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1104PBF

IRF1104PBF
INFINEON

8  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141131

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 100A(Tc) 2900 pF @ 25 V 170W(Tc) 9ミリオーム @ 60A、10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1310NPBF

IRF1310NPBF
INFINEON

40  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141132

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 42A(Tc) 1900 pF @ 25 V 160W(Tc) 36ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

50  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141133

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 42A(Tc) 1900 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、160W(Tc) 36ミリオーム @ 22A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1324PBF

IRF1324PBF
INFINEON

9  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141134

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 24V 10V 195A(Tc) 7590 pF @ 24 V 300W(Tc) 1.5ミリオーム @ 195A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF135B203

IRF135B203
INFINEON

14,006 17+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361738

Infineon Technologies StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 135V 10V 129A(Tc) 9700 pF @ 50 V 441W(Tc) 8.4ミリオーム @ 77A、10V 4V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF135S203

IRF135S203
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141135

Infineon Technologies HEXFET®, StrongIRFET™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 135V 10V 129A(Tc) 9700 pF @ 50 V 441W(Tc) 8.4ミリオーム @ 77A、10V 4V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3-2
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1404PBF

IRF1404PBF
INFINEON

27,129 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361739

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 202A(Tc) 5669 pF @ 25 V 333W(Tc) 4ミリオーム @ 121A、10V 4V @ 250µA 196 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1404PBF

IRF1404PBF
INFINEON

960  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141136

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 202A(Tc) 5669 pF @ 25 V 333W(Tc) 4ミリオーム @ 121A、10V 4V @ 250µA 196 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRF1404PBF

IRF1404PBF
INFINEON

RoHS
2,350 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76422861

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 202A(Tc) 5669 pF @ 25 V 333W(Tc) 4ミリオーム @ 121A、10V 4V @ 250µA 196 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRF1404PBF
INFINEON TECHNOLOGIES

300,000 N/A   MOQ : 1,000
SPQ : 1,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681653

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 202A(Tc) 5669 pF @ 25 V 333W(Tc) 4ミリオーム @ 121A、10V 4V @ 250µA 196 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1404STRLPBF

IRF1404STRLPBF
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141137

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 162A(Tc) 7360 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、200W(Tc) 4ミリオーム @ 95A、10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRF1404ZPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

16,000 N/A   MOQ : 1,000
SPQ : 1,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681654

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 180A(Tc) 4340 pF @ 25 V 200W(Tc) 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1404ZPBF

IRF1404ZPBF
INFINEON

36  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141138

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 180A(Tc) 4340 pF @ 25 V 200W(Tc) 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRF1404ZPBF

IRF1404ZPBF
INFINEON

RoHS
2,000 22/23+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76419231

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 180A(Tc) 4340 pF @ 25 V 200W(Tc) 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1404ZPBF

IRF1404ZPBF
INFINEON

7,190 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361740

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 180A(Tc) 4340 pF @ 25 V 200W(Tc) 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRF1404ZSPBF

IRF1404ZSPBF
INFINEON

4  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141139

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 180A(Tc) 4340 pF @ 25 V 200W(Tc) 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

RoHS
2,227 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76509952

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 180A(Tc) 4340 pF @ 25 V 200W(Tc) 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 150µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3

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