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Search Results:77256~  /   Part Number:  /   Stock Type:ALL  /   Quantity:0PCS~

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ประเภทสต็อก
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メーカー名 シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ FET機能
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B-2
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RoHS
909 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76575385

Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200V 18V、20V 38A(Tc) 880 pF @ 800 V 202W(Tc) 75ミリオーム @ 13A、20V 5.1V @ 4.3mA 32 nC @ 20 V +23V、-5V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
Quality Guaranteed
B-2
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RoHS
900 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76552986

Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200V 18V、20V 17A(Tc) 350 pF @ 800 V 106W(Tc) 200ミリオーム @ 5A、20V 5.1V @ 1.6mA 14 nC @ 20 V +23V、-5V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-12
Quality Guaranteed
B-1
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1  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75117695

Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200V 18V 52A(Tc) 2130 pF @ 800 V 228W(Tc) 46ミリオーム @ 25A、 18V 5.7V @ 10mA 59 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C~175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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B-1
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10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119344

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 75A(Tc) 2810 pF @ 25 V 140W(Tc) 8.5ミリオーム @ 51A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-TO263-3
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF1018ES
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119345

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 79A(Tc) 2290 pF @ 50 V 110W(Tc) 8.4ミリオーム @ 47A、10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF1404ZSTRL
INFINEON

90  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119346

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 160A(Tc) 4340 pF @ 25 V 200W(Tc) 3.7ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 TO-263AB(D2PAK)
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF2804STRL
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119347

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 195A(Tc) 6450 pF @ 25 V 300W(Tc) 2ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF3205

AUIRF3205
INFINEON

2  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119348

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 75A(Tc) 3247 pF @ 25 V 200W(Tc) 8ミリオーム @ 62A、10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF3205Z

AUIRF3205Z
INFINEON

5  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119349

Infineon Technologies Gen 10.2 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 75A 3450 pF @ 25 V 170W(Tc) 6.5ミリオーム @ 66A、10V 4V 110nC @ 10 V 4V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-2
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AUIRF3205ZSTRL
INFINEON

RoHS
129,680 17+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76483506

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 75A(Tc) 3450 pF @ 25 V 170W(Tc) 6.5ミリオーム @ 66A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF3205ZSTRL
INFINEON

1  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119350

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 75A(Tc) 3450 pF @ 25 V 170W(Tc) 6.5ミリオーム @ 66A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF3305

AUIRF3305
INFINEON

81  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119351

Infineon Technologies Gen 5 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 140A 3650 pF @ 25 V 330W(Tc) 8ミリオーム @ 75A、10V 4V 150nC @ 10 V 4V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF3805

AUIRF3805
INFINEON

199  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119352

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 160A(Tc) 7960 pF @ 25 V 300W(Tc) 3.3ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール TO-220
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF3805L

AUIRF3805L
INFINEON

196  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119353

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 160A(Tc) 7960 pF @ 25 V 300W(Tc) 3.3ミリオーム @ 75A、10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール TO-262
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF4905L
INFINEON

10  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119354

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 42A(Tc) 3500 pF @ 25 V 200W(Tc) 20ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール TO-262
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF4905S
INFINEON

5  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119355

Infineon Technologies Gen 5 Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V -42A 3500 pF @ 25 V 200W(Tc) 20ミリオーム @ 42A、10V -4V 180nC @ 10 V -4V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRF4905STRL

AUIRF4905STRL
INFINEON

2  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119356

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 42A(Tc) 3500 pF @ 25 V 200W(Tc) 20ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
Quality Guaranteed
B-2
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AUIRF5210STRL
INFINEON

RoHS
1,193 20+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76533823

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 38A(Tc) 2780 pF @ 25 V 3.1W(Ta)、170W(Tc) 60ミリオーム @ 38A、10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) AEC-Q101 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF540Z

AUIRF540Z
INFINEON

2  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119357

Infineon Technologies Gen 10.2 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 36A 1770 pF @ 25 V 92W(Tc) 26.5ミリオーム @ 22A、10V 4V 63nC @ 10 V 4V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-2
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AUIRF6215S
INFINEON

RoHS
3,999 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76584524

Infineon Technologies Gen 5 Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V -13A 860 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、110W(Tc) 290ミリオーム @ 6.6A、10V -4V 44.0nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 面実装 D2PAK
Quality Guaranteed
B-2
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AUIRF6218STRL
INFINEON

RoHS
1,547 21+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76514688

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 27A(Tc) 2210 pF @ 25 V 250W(Tc) 150ミリオーム @ 16A、10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PG-TO263-3
Quality Guaranteed
B-2
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AUIRF7103QTR
INFINEON

RoHS
19,800 21+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76449600

Infineon Technologies HEXFET® 50V 3A 255pF @ 25V 2.4W 130ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250μA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF7103QTR
INFINEON

497  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119358

Infineon Technologies HEXFET® 50V 3A 255pF @ 25V 2.4W 130ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250μA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF7313QTR
INFINEON

14  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119360

Infineon Technologies HEXFET® 30V 6.9A 755pF @ 25V 2.4W 29ミリオーム @ 6.9A、10V 3V @ 250μA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRF7341QTR
INFINEON

RoHS
20,000 21+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76465742

Infineon Technologies HEXFET® 55V 5.1A 780pF @ 25V 2.4W 50ミリオーム @ 5.1A、10V 3V @ 250μA 44nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRF7341QTR
INFINEON

1  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119361

Infineon Technologies HEXFET® 55V 5.1A 780pF @ 25V 2.4W 50ミリオーム @ 5.1A、10V 3V @ 250μA 44nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Quality Guaranteed
B-2
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AUIRF7342QTR
INFINEON

RoHS
12,158 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76565814

Infineon Technologies HEXFET® 55V 3.4A 690pF @ 25V 2W 105ミリオーム @ 3.4A、10V 3V @ 250μA 38nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRF7640S2TR
INFINEON

RoHS
4,790 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76507170

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 5.8A(TA)、21A(Tc) 450 pF @ 25 V 2.4W(Ta)、30W(Tc) 36ミリオーム @ 13A、10V 5V @ 25µA 11 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 DIRECTFET SB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRF7640S2TR
INFINEON

100  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119363

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 5.8A(TA)、21A(Tc) 450 pF @ 25 V 2.4W(Ta)、30W(Tc) 36ミリオーム @ 13A、10V 5V @ 25µA 11 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 DIRECTFET SB
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRF7647S2TR
INFINEON

RoHS
3,745 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76506500

Infineon Technologies Gen 10.7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 24A 910 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、41W(Tc) 31ミリオーム @ 14A、10V 4.0V 21nC @ 10 V 5V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 面実装 DIRECTFET? SC
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRF7665S2TR
INFINEON

RoHS
3,495 19+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76527639

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 4.1A(TA)、14.4A(Tc) 515 pF @ 25 V 2.4W(Ta)、30W(Tc) 62ミリオーム @ 8.9A、10V 5V @ 25µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 DIRECTFET SB
Quality Guaranteed
B-1
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AUIRF7738L2TR
INFINEON

156  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119364

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 35A(TA)、130A(Tc) 7471 pF @ 25 V 3.3W(Ta)、94W(Tc) 1.6ミリオーム @ 109A、10V 4V @ 250µA 194 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 DIRECTFET L6
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRF7749L2TR
INFINEON

40  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119365

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 36A(TA)、345A(Tc) 10655 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、341W(Tc) 1.5ミリオーム @ 120A、10V 4V @ 250µA 275 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRF7749L2TR
INFINEON

RoHS
200 22+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76540624

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 10V 36A(TA)、345A(Tc) 10655 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、341W(Tc) 1.5ミリオーム @ 120A、10V 4V @ 250µA 275 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRF7759L2TR
INFINEON

RoHS
4,564 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76552327

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10V 375A(Tc) 12222 pF @ 25 V 3.3W(Ta)、125W(Tc) 2.3ミリオーム @ 96A、10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRF7769L2TR
INFINEON

RoHS
1,007 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76564935

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 10V 375A(Tc) 11560 pF @ 25 V 3.3W(Ta)、125W(Tc) 3.5ミリオーム @ 74A、10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 DirectFET?アイソメトリックL8
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRFB8405
INFINEON

50  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119366

Infineon Technologies Gen 12.7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 120A 5193 pF @ 25 V 163W(Tc) 2.5ミリオーム @ 100A、10V 3.0V 161nC @ 10 V 3.9V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRFB8409

AUIRFB8409
INFINEON

RoHS
75 22+   MOQ : 75
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76527640

Infineon Technologies Gen 12.7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 195A 14240 pF @ 25 V 375W(Tc) 1.3ミリオーム @ 100A、10V 3.9V 450nC @ 10 V 3.9V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 スルーホール TO-220AB
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRFBA1405
INFINEON

2  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119367

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 95A(Tc) 5480 pF @ 25 V 330W(Tc) 5ミリオーム @ 101A、10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V -40°C~175°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール SUPER-220?(TO-273AA)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRFN7107TR
INFINEON

RoHS
1,847 18+   MOQ : 1,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76452009

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 75V 10V 14A(TA)、75A(Tc) 3001 pF @ 25 V 4.4W(Ta)、125W(Tc) 8.5ミリオーム @ 45A、10V 4V @ 100µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRFN8459TR
INFINEON

RoHS
4,000 20+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76508749

Infineon Technologies HEXFET® 40V 50A 2250pF @ 25V 50W 5.9ミリオーム @ 40A、10V 3.9V @ 50μA 60nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) -55°C~175°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRFP4004

AUIRFP4004
INFINEON

2  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119368

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 195A(Tc) 8920 pF @ 25 V 380W(Tc) 1.7ミリオーム @ 195A、10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール TO-247AC
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRFP4568
INFINEON

RoHS
1,357 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76590424

Infineon Technologies Gen 10.7 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 171A 10470 pF @ 50 V 517W(Tc) 5.9 mオーム @ 10V 5V 227 nC @ 10 V 5V -55°C~175°C 車載用 AEC-Q101 スルーホール TO-247AC
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRFP4568-E
INFINEON

2,500 22+   MOQ : 5
SPQ : 800

Approx. 8 days

CoreStaff Part Number:st73485555

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 171A(Tc) 10470 pF @ 50 V 517W(Tc) 5.9ミリオーム @ 103A、10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール TO-247AD
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRFP4568-E
INFINEON

RoHS
2,500 22/23+   MOQ : 100
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76555405

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 10V 171A(Tc) 10470 pF @ 50 V 517W(Tc) 5.9ミリオーム @ 103A、10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 スルーホール TO-247AD
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRFR2905ZTRL
INFINEON

20  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119369

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 42A(Tc) 1380 pF @ 25 V 110W(Tc) 14.5ミリオーム @ 36A、10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRFR3710ZTRL
INFINEON

RoHS
3,022 22/23+   MOQ : 250
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76517569

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 42A(Tc) 2930 pF @ 25 V 140W(Tc) 18ミリオーム @ 33A、10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRFR4104

AUIRFR4104
INFINEON

332  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119371

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 10V 42A(Tc) 2950 pF @ 25 V 140W(Tc) 5.5ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

AUIRFR4105Z

AUIRFR4105Z
INFINEON

232  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75119372

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 20A(Tc) 740 pF @ 25 V 48W(Tc) 24.5ミリオーム @ 18A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 TO-252AA (DPAK)
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

AUIRFR4105ZTRL
INFINEON

RoHS
3,000 22+   MOQ : 500
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76488643

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 55V 10V 20A(Tc) 740 pF @ 25 V 48W(Tc) 24.5ミリオーム @ 18A、10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) AEC-Q101 面実装 TO-252AA (DPAK)

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