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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SQM120P06-07L_GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM120P06-07L_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 120A(Tc) 14280 pF @ 25 V 375W(Tc) 6.7ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM120P06-07L_GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM120P06-07L_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 120A(Tc) 14280 pF @ 25 V 375W(Tc) 6.7ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM120P10_10M1LGE3

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM120P10_10M1LGE3CT-ND@0

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 120A(Tc) 9000 pF @ 25 V 375W(Tc) 10.1ミリオーム @ 30A、 10V 2.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM120P10_10M1LGE3

RoHS
   

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Pチャンネル 100 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM120P10_10M1LGE3TR-ND@0

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 120A(Tc) 9000 pF @ 25 V 375W(Tc) 10.1ミリオーム @ 30A、 10V 2.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM200N04-1M1L_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 200A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 200A(Tc) 20655 pF @ 25 V 375W(Tc) 1.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 413 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM200N04-1M1L_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 200A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM200N04-1M1L_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 200A(Tc) 20655 pF @ 25 V 375W(Tc) 1.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 413 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM200N04-1M7L_GE3

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Nチャンネル 40 V 200A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM200N04-1M7L_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 200A(Tc) 11168 pF @ 20 V 375W(Tc) 1.7ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 291 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM200N04-1M7L_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 200A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 200A(Tc) 11168 pF @ 20 V 375W(Tc) 1.7ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 291 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM200N04-1M8_GE3

   

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Nチャンネル 40 V 200A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263-7
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Nチャンネル 40 V 10V 200A(Tc) 17350 pF @ 25 V 375W(Tc) 1.8ミリオーム @ 30A、10V 3.5V @ 250µA 310 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM25N15-52_GE3

   

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Nチャンネル 150 V 25A(Tc) 107W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
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Nチャンネル 150 V 10V 25A(Tc) 2360 pF @ 25 V 107W(Tc) 52ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM30010EL_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQM30010EL_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 10V 120A(Tc) 28000 pF @ 15 V 375W(Tc) 1.35ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM30010EL_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQM30010EL_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 10V 120A(Tc) 28000 pF @ 15 V 375W(Tc) 1.35ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM35N30-97_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 300 V 35A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM35N30-97_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 300 V 10V 35A(Tc) 5650 pF @ 25 V 375W(Tc) 97ミリオーム @ 10A、 10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM35N30-97_GE3

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Nチャンネル 300 V 35A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM35N30-97_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 300 V 10V 35A(Tc) 5650 pF @ 25 V 375W(Tc) 97ミリオーム @ 10A、 10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40010EL_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40010EL_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 17100 pF @ 20 V 375W(Tc) 1.6ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40010EL_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40010EL_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 17100 pF @ 20 V 375W(Tc) 1.6ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40014EM_GE3

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Nチャンネル 40 V 200A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40014EM_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 200A(Tc) 15525 pF @ 25 V 375W(Tc) 1ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40014EM_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 200A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40014EM_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 200A(Tc) 15525 pF @ 25 V 375W(Tc) 1ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40016EM_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 250A(Tc) 300W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40016EM_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 250A(Tc) 15000 pF @ 25 V 300W(Tc) 1ミリオーム @ 40A、10V 3.5V @ 250µA 245 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40016EM_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 250A(Tc) 300W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40016EM_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 250A(Tc) 15000 pF @ 25 V 300W(Tc) 1ミリオーム @ 40A、10V 3.5V @ 250µA 245 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40020EL_GE3

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQM40020EL_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 8800 pF @ 25 V 150W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 165 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40020EL_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQM40020EL_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 8800 pF @ 25 V 150W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 165 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40020E_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40020E_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 100A(Tc) 8000 pF @ 25 V 150W(Tc) 2.33ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40020E_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40020E_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 100A(Tc) 8000 pF @ 25 V 150W(Tc) 2.33ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40022EM_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 150A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40022EM_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 150A(Tc) 9200 pF @ 25 V 150W(Tc) 1.63ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40022EM_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 150A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263-7
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40022EM_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 150A(Tc) 9200 pF @ 25 V 150W(Tc) 1.63ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40022E_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 150A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQM40022E_GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 150A(Tc) 9200 pF @ 25 V 150W(Tc) 1.63ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40022E_GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 150A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SQM40022E_GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 150A(Tc) 9200 pF @ 25 V 150W(Tc) 1.63ミリオーム @ 35A、10V 3.5V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40031EL_GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40031EL_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 39000 pF @ 25 V 375W(Tc) 3ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 800 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40031EL_GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 120A(Tc) 375W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40031EL_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 39000 pF @ 25 V 375W(Tc) 3ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 800 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40041EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 120A(Tc) 157W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40041EL_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 23600 pF @ 25 V 157W(Tc) 3.4ミリオーム @ 25A、10V 2.5V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40041EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 120A(Tc) 157W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40041EL_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 23600 pF @ 25 V 157W(Tc) 3.4ミリオーム @ 25A、10V 2.5V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40061EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 100A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40061EL_GE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 14500 pF @ 25 V 150W(Tc) 5.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SQM40061EL_GE3

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Pチャンネル 40 V 100A(Tc) 150W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-SQM40061EL_GE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 14500 pF @ 25 V 150W(Tc) 5.1ミリオーム @ 30A、10V 2.5V @ 250µA 280 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -

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