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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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PJD75P04E-AU_L2_006A1

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Pチャンネル 40 V 13.3A(Ta)、67A(Tc) 3W(Ta)、75W(Tc) 面実装 TO-252AA
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Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 13.3A(Ta)、67A(Tc) 3477 pF @ 25 V 3W(Ta)、75W(Tc) 9.4ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA MOSFET(金属酸化物) -
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PJD75P04E-AU_L2_006A1

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Pチャンネル 40 V 13.3A(Ta)、67A(Tc) 3W(Ta)、75W(Tc) 面実装 TO-252AA
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Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 13.3A(Ta)、67A(Tc) 3477 pF @ 25 V 3W(Ta)、75W(Tc) 9.4ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA MOSFET(金属酸化物) -
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PJD7NA60_L2_00001

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Nチャンネル 600 V 7A(Ta) 140W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 600 V 10V 7A(Ta) 723 pF @ 25 V 140W(Tc) 1.2オーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 15.2 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD7NA60_L2_00001

RoHS
   

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Nチャンネル 600 V 7A(Ta) 140W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 600 V 10V 7A(Ta) 723 pF @ 25 V 140W(Tc) 1.2オーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 15.2 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD7NA60_R2_00001

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Nチャンネル 600 V 7A(Ta) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル 600 V 10V 7A(Ta) 723 pF @ 25 V - 1.2オーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 15.2 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA MOSFET(金属酸化物) -
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PJD7NA65_R2_00001

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Nチャンネル 650 V 7A(Ta) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル 650 V 10V 7A(Ta) 754 pF @ 25 V - 1.5オーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 16.8 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA MOSFET(金属酸化物) -
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PJD80N03_L2_00001

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、80A(Tc) 2W(Ta)、55W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、80A(Tc) 1323 pF @ 25 V 2W(Ta)、55W(Tc) 6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD80N04-AU_L2_000A1

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Nチャンネル 40 V 14A(Ta)、80A(Tc) 2.4W(Ta)、79.4W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 14A(Ta)、80A(Tc) 1258 pF @ 25 V 2.4W(Ta)、79.4W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD80N04-AU_L2_000A1

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Nチャンネル 40 V 14A(Ta)、80A(Tc) 2.4W(Ta)、79.4W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 14A(Ta)、80A(Tc) 1258 pF @ 25 V 2.4W(Ta)、79.4W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD80N04_L2_00001

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Nチャンネル 40 V 14A(Ta)、80A(Tc) 2W(Ta)、66W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 14A(Ta)、80A(Tc) 1258 pF @ 25 V 2W(Ta)、66W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD80N04_L2_00001

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Nチャンネル 40 V 14A(Ta)、80A(Tc) 2W(Ta)、66W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 14A(Ta)、80A(Tc) 1258 pF @ 25 V 2W(Ta)、66W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD85N03-AU_L2_000A1

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta)、85A(Tc) 2W(Ta)、58W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Ta)、85A(Tc) 2436 pF @ 25 V 2W(Ta)、58W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD85N03_L2_00001

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta)、85A(Tc) 2W(Ta)、58W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Ta)、85A(Tc) 2436 pF @ 25 V 2W(Ta)、58W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD8NA50_L2_00001

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Nチャンネル 500 V 8A(Ta) 130W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 500 V 10V 8A(Ta) 826 pF @ 25 V 130W(Tc) 900ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 16.2 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD8NA50_L2_00001

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Nチャンネル 500 V 8A(Ta) 130W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 500 V 10V 8A(Ta) 826 pF @ 25 V 130W(Tc) 900ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 16.2 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD8NA50_R2_00001

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Nチャンネル 500 V 8A(Ta) 面実装 TO-252AA
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Nチャンネル 500 V 10V 8A(Ta) 826 pF @ 25 V - 900ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 16.2 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA MOSFET(金属酸化物) -
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PJD8NA65A_L2_00001

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Nチャンネル 650 V 7.5A(Ta) 140W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 650 V 10V 7.5A(Ta) 1245 pF @ 25 V 140W(Tc) 1.2オーム @ 3.75A、10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD90N03_L2_00001

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Nチャンネル 30 V 20A(Ta)、90A(Tc) 2W(Ta)、100W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD90N03_L2_00001TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 20A(Ta)、90A(Tc) 4305 pF @ 25 V 2W(Ta)、100W(Tc) 2.6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD90N03_L2_00001

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Nチャンネル 30 V 20A(Ta)、90A(Tc) 2W(Ta)、100W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD90N03_L2_00001CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 20A(Ta)、90A(Tc) 4305 pF @ 25 V 2W(Ta)、100W(Tc) 2.6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD90P03E-AU_L2_006A1

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Pチャンネル 30 V 3W(Ta)、79W(Tc) 面実装 TO-252AA
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Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 17A (Ta), 88A (Tc) 3040 pF @ 25 V 3W(Ta)、79W(Tc) 6.4ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA MOSFET(金属酸化物) -
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PJD90P03E-AU_L2_006A1

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Pチャンネル 30 V 3W(Ta)、79W(Tc) 面実装 TO-252AA
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD90P03E-AU_L2_006A1TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 17A (Ta), 88A (Tc) 3040 pF @ 25 V 3W(Ta)、79W(Tc) 6.4ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±25V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA MOSFET(金属酸化物) -
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CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD95P04E-AU_L2_006A1TR-ND@0

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PJD9N10A_L2_00001

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 2.4A(Ta)、9A(Tc) 2W(Ta)、31W(Tc) 面実装 TO-252
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Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 2.4A(Ta)、9A(Tc) 1021 pF @ 25 V 2W(Ta)、31W(Tc) 152ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD9N10A_L2_00001

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 2.4A(Ta)、9A(Tc) 2W(Ta)、31W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD9N10A_L2_00001TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 2.4A(Ta)、9A(Tc) 1021 pF @ 25 V 2W(Ta)、31W(Tc) 152ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD9P06A-AU_L2_000A1

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Pチャンネル 60 V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 2W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD9P06A-AU_L2_000A1CT-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 430 pF @ 30 V 2W(Ta)、15.6W(Tc) 170ミリオーム @ 3.5A、10V 2.5V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD9P06A-AU_L2_000A1

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Pチャンネル 60 V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 2W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD9P06A-AU_L2_000A1TR-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 430 pF @ 30 V 2W(Ta)、15.6W(Tc) 170ミリオーム @ 3.5A、10V 2.5V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD9P06A_L2_00001

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Pチャンネル 60 V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 2W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD9P06A_L2_00001TR-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 430 pF @ 30 V 2W(Ta)、15.6W(Tc) 190ミリオーム @ 3.5A、10V 2.5V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJD9P06A_L2_00001

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 2W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 TO-252
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJD9P06A_L2_00001CT-ND@0

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 2.5A(Ta)、7A(Tc) 430 pF @ 30 V 2W(Ta)、15.6W(Tc) 190ミリオーム @ 3.5A、10V 2.5V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252 MOSFET(金属酸化物) -
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PJE138K-AU_R1_000A1

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Nチャンネル 50 V 350mA(Ta) 223mW(Ta) 面実装 SOT-523フラットリード
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Nチャンネル 50 V 2.5V、10V 350mA(Ta) 50 pF @ 25 V 223mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 1.5V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523フラットリード MOSFET(金属酸化物) -
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PJE138K-AU_R1_000A1

RoHS
   

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Nチャンネル 50 V 350mA(Ta) 223mW(Ta) 面実装 SOT-523フラットリード
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJE138K-AU_R1_000A1CT-ND@0

Nチャンネル 50 V 2.5V、10V 350mA(Ta) 50 pF @ 25 V 223mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 1.5V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523フラットリード MOSFET(金属酸化物) -
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PJE138K_R1_00001

RoHS
   

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Nチャンネル 50 V 350mA(Ta) 223mW(Ta) 面実装 SOT-523フラットリード
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJE138K_R1_00001CT-ND@0

Nチャンネル 50 V 2.5V、10V 350mA(Ta) 50 pF @ 25 V 223mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 1.5V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523フラットリード MOSFET(金属酸化物) -
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PJE138K_R1_00001

RoHS
   

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Nチャンネル 50 V 350mA(Ta) 223mW(Ta) 面実装 SOT-523フラットリード
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJE138K_R1_00001TR-ND@0

Nチャンネル 50 V 2.5V、10V 350mA(Ta) 50 pF @ 25 V 223mW(Ta) 1.6オーム @ 500mA、10V 1.5V @ 250µA 1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523フラットリード MOSFET(金属酸化物) -
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PJE138L_R1_00001

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Nチャンネル 60 V 160mA(Ta) 223mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJE138L_R1_00001CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 1.8V、10V 160mA(Ta) 15 pF @ 15 V 223mW(Ta) 4.2オーム @ 160mA、10V 1.5V @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523 MOSFET(金属酸化物) -
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PJE138L_R1_00001

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Nチャンネル 60 V 160mA(Ta) 223mW(Ta) 面実装 SOT-523
CoreStaff Part Number:zp2216-3757-PJE138L_R1_00001TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 1.8V、10V 160mA(Ta) 15 pF @ 15 V 223mW(Ta) 4.2オーム @ 160mA、10V 1.5V @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-523 MOSFET(金属酸化物) -

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