Search Results:77992~  /   Part Number:  /   Stock Type:ALL  /   Quantity:0PCS~

Page 1075 of 1560  

ประเภทสต็อก
อันดับซัพพลายเออร์
ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code
ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
Partner Stock

NVBG020N090SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 900 V 9.8A(Ta)、112A(Tc) 3.7W(Ta)、477W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG020N090SC1TR-ND@0

Nチャンネル 900 V 15V 9.8A(Ta)、112A(Tc) 4415 pF @ 450 V 3.7W(Ta)、477W(Tc) 28ミリオーム @ 60A、15V 4.3V @ 20mA 200 nC @ 15 V +19V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG020N090SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 900 V 9.8A(Ta)、112A(Tc) 3.7W(Ta)、477W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG020N090SC1CT-ND@0

Nチャンネル 900 V 15V 9.8A(Ta)、112A(Tc) 4415 pF @ 450 V 3.7W(Ta)、477W(Tc) 28ミリオーム @ 60A、15V 4.3V @ 20mA 200 nC @ 15 V +19V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG020N120SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 8.6A(Ta)、98A(Tc) 3.7W(Ta)、468W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG020N120SC1CT-ND@0

Nチャンネル 1200 V 20V 8.6A(Ta)、98A(Tc) 2943 pF @ 800 V 3.7W(Ta)、468W(Tc) 28ミリオーム @ 60A、20V 4.3V @ 20mA 220 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG020N120SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 8.6A(Ta)、98A(Tc) 3.7W(Ta)、468W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG020N120SC1TR-ND@0

Nチャンネル 1200 V 20V 8.6A(Ta)、98A(Tc) 2943 pF @ 800 V 3.7W(Ta)、468W(Tc) 28ミリオーム @ 60A、20V 4.3V @ 20mA 220 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG022N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 58A(Tc) 234W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG022N120M3STR-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 58A(Tc) 3200 pF @ 800 V 234W(Tc) 30ミリオーム @ 40A、18V 4.4V @ 20mA 148 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG022N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 58A(Tc) 234W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG022N120M3SCT-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 58A(Tc) 3200 pF @ 800 V 234W(Tc) 30ミリオーム @ 40A、18V 4.4V @ 20mA 148 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG025N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 106A(Tc) 395W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG025N065SC1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 106A(Tc) 3480 pF @ 325 V 395W(Tc) 28.5ミリオーム @ 45A、18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG025N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 106A(Tc) 395W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG025N065SC1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 106A(Tc) 3480 pF @ 325 V 395W(Tc) 28.5ミリオーム @ 45A、18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG030N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 77A(Tc) 348W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG030N120M3STR-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 77A(Tc) 2430 pF @ 800 V 348W(Tc) 39ミリオーム @ 30A、18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
Partner Stock

NVBG030N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 77A(Tc) 348W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG030N120M3SCT-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 77A(Tc) 2430 pF @ 800 V 348W(Tc) 39ミリオーム @ 30A、18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
Partner Stock

NVBG040N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 57A(Tc) 263W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG040N120M3SCT-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 57A(Tc) 1700 pF @ 800 V 263W(Tc) 54ミリオーム @ 20A、18V 4.4V @ 10mA 75 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
Partner Stock

NVBG040N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 57A(Tc) 263W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG040N120M3STR-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 57A(Tc) 1700 pF @ 800 V 263W(Tc) 54ミリオーム @ 20A、18V 4.4V @ 10mA 75 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
Partner Stock

NVBG040N120SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 60A(Tc) 357W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG040N120SC1TR-ND@0

Nチャンネル 1200 V 20V 60A(Tc) 1789 pF @ 800 V 357W(Tc) 56ミリオーム @ 35A、20V 4.3V @ 10mA 106 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG040N120SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 60A(Tc) 357W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG040N120SC1CT-ND@0

Nチャンネル 1200 V 20V 60A(Tc) 1789 pF @ 800 V 357W(Tc) 56ミリオーム @ 35A、20V 4.3V @ 10mA 106 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG045N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 62A(Tc) 242W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG045N065SC1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 62A(Tc) 1890 pF @ 325 V 242W(Tc) 50ミリオーム @ 25A、18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG045N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 62A(Tc) 242W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG045N065SC1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 62A(Tc) 1890 pF @ 325 V 242W(Tc) 50ミリオーム @ 25A、18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG060N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 46A(Tc) 170W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG060N065SC1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 46A(Tc) 1473 pF @ 325 V 170W(Tc) 70ミリオーム @ 20A、18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG060N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 46A(Tc) 170W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG060N065SC1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 46A(Tc) 1473 pF @ 325 V 170W(Tc) 70ミリオーム @ 20A、18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG060N090SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 900 V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 3.6W(Ta)、211W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG060N090SC1TR-ND@0

Nチャンネル 900 V 15V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 1800 pF @ 450 V 3.6W(Ta)、211W(Tc) 84ミリオーム @ 20A、15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 MOSFET(金属酸化物) -
Partner Stock

NVBG060N090SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 900 V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 3.6W(Ta)、211W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG060N090SC1CT-ND@0

Nチャンネル 900 V 15V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 1800 pF @ 450 V 3.6W(Ta)、211W(Tc) 84ミリオーム @ 20A、15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 MOSFET(金属酸化物) -
Partner Stock

NVBG070N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 36A(Tc) 172W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG070N120M3STR-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 36A(Tc) 1230 pF @ 800 V 172W(Tc) 87ミリオーム @ 15A、18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
Partner Stock

NVBG070N120M3S

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 36A(Tc) 172W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG070N120M3SCT-ND@0

Nチャンネル 1200 V 18V 36A(Tc) 1230 pF @ 800 V 172W(Tc) 87ミリオーム @ 15A、18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
Partner Stock

NVBG075N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 37A(Tc) 139W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG075N065SC1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 37A(Tc) 1191 pF @ 325 V 139W(Tc) 85ミリオーム @ 15A、18V 4.3V @ 5mA 59 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG075N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 37A(Tc) 139W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG075N065SC1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 37A(Tc) 1191 pF @ 325 V 139W(Tc) 85ミリオーム @ 15A、18V 4.3V @ 5mA 59 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG080N120SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 30A(Tc) 179W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG080N120SC1CT-ND@0

Nチャンネル 1200 V 20V 30A(Tc) 1154 pF @ 800 V 179W(Tc) 110ミリオーム @ 20A、20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG080N120SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1200 V 30A(Tc) 179W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG080N120SC1TR-ND@0

Nチャンネル 1200 V 20V 30A(Tc) 1154 pF @ 800 V 179W(Tc) 110ミリオーム @ 20A、20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG089N65S3F

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 37A(Tc) 291W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG089N65S3FTR-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 37A(Tc) 3598 pF @ 400 V 291W(Tc) 89ミリオーム @ 18.5A、10V 5V @ 970µA 74 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 MOSFET(金属酸化物) -
Partner Stock

NVBG095N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 30A(Tc) 110W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG095N065SC1CT-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 30A(Tc) 956 pF @ 325 V 110W(Tc) 105ミリオーム @ 12A、18V 4.3V @ 4mA 50 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock

NVBG095N065SC1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 30A(Tc) 110W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG095N065SC1TR-ND@0

Nチャンネル 650 V 15V、18V 30A(Tc) 956 pF @ 325 V 110W(Tc) 105ミリオーム @ 12A、18V 4.3V @ 4mA 50 nC @ 18 V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiCFET(炭化ケイ素) -
Partner Stock
RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 36A(Tc) 272W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG095N65S3FTR-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 36A(Tc) 3020 pF @ 400 V 272W(Tc) 95ミリオーム @ 18A、10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 MOSFET(金属酸化物) -
Partner Stock
RoHS
   

View Details

Nチャンネル 650 V 36A(Tc) 272W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG095N65S3FCT-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 36A(Tc) 3020 pF @ 400 V 272W(Tc) 95ミリオーム @ 18A、10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 MOSFET(金属酸化物) -
Partner Stock

NVBG1000N170M1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1700 V 4.3A(Tc) 51W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG1000N170M1CT-ND@0

Nチャンネル 1700 V 20V 4.3A(Tc) 150 pF @ 1000 V 51W(Tc) 1.43オーム @ 2A、20V 4.3V @ 640µA 14 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
Partner Stock

NVBG1000N170M1

RoHS
   

View Details

Nチャンネル 1700 V 4.3A(Tc) 51W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NVBG1000N170M1TR-ND@0

Nチャンネル 1700 V 20V 4.3A(Tc) 150 pF @ 1000 V 51W(Tc) 1.43オーム @ 2A、20V 4.3V @ 640µA 14 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -

Recommended Rectifiers - FETs