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ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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NTMJS1D6N06CLTWG

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 38A(Ta)、250A(Tc) 3.8W(Ta)、167W(Tc) 面実装 8-LFPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMJS1D6N06CLTWGOSTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 38A(Ta)、250A(Tc) 6660 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、167W(Tc) 1.36ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-LFPAK MOSFET(金属酸化物) -
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NTMJS1D7N04CTWG

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 35A(Ta)、185A(Tc) 3.8W(Ta)、106W(Tc) 面実装 8-LFPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTMJS1D7N04CTWGCT-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 35A(Ta)、185A(Tc) 3300 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、106W(Tc) 1.7ミリオーム @ 50A、10V 3.5V @ 130µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-LFPAK MOSFET(金属酸化物) -
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NTMJS1D7N04CTWG

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 35A(Ta)、185A(Tc) 3.8W(Ta)、106W(Tc) 面実装 8-LFPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTMJS1D7N04CTWGTR-ND@0

Nチャンネル 40 V 10V 35A(Ta)、185A(Tc) 3300 pF @ 25 V 3.8W(Ta)、106W(Tc) 1.7ミリオーム @ 50A、10V 3.5V @ 130µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-LFPAK MOSFET(金属酸化物) -
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NTMJS2D5N06CLTWG

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3.9A(Ta)、113A(Tc) 3.9W(Ta)、113A(Tc) 面実装 8-LFPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTMJS2D5N06CLTWGCT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 3.9A(Ta)、113A(Tc) 3600 pF @ 25 V 3.9W(Ta)、113A(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-LFPAK MOSFET(金属酸化物) -
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NTMJS2D5N06CLTWG

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3.9A(Ta)、113A(Tc) 3.9W(Ta)、113A(Tc) 面実装 8-LFPAK
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTMJS2D5N06CLTWGTR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 3.9A(Ta)、113A(Tc) 3600 pF @ 25 V 3.9W(Ta)、113A(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-LFPAK MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS10P02R2G

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS10P02R2GOSTR-ND@0

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 8.8A(Ta) 3640 pF @ 16 V 1.6W(Ta) 14ミリオーム @ 10A、4.5V 1.2V @ 250µA 70 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS10P02R2G

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS10P02R2GOSCT-ND@0

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 8.8A(Ta) 3640 pF @ 16 V 1.6W(Ta) 14ミリオーム @ 10A、4.5V 1.2V @ 250µA 70 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS4177PR2G

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 6.6A(Ta) 840mW(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS4177PR2GCT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 6.6A(Ta) 3100 pF @ 24 V 840mW(Ta) 12ミリオーム @ 11.4A、10V 2.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS4177PR2G

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 6.6A(Ta) 840mW(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS4177PR2GTR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 6.6A(Ta) 3100 pF @ 24 V 840mW(Ta) 12ミリオーム @ 11.4A、10V 2.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS4807NR2G

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 9.1A(Ta) 860mW(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS4807NR2GOSCT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 9.1A(Ta) 2900 pF @ 24 V 860mW(Ta) 6.1ミリオーム @ 14.8A、10V 3V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS4816NR2G

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 6.8A(Ta) 780mW(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS4816NR2GOSCT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 6.8A(Ta) 1060 pF @ 25 V 780mW(Ta) 10ミリオーム @ 9A、10V 3V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS4916NR2G

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.8A(Ta) 890mW(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS4916NR2GOSCT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 7.8A(Ta) 1376 pF @ 25 V 890mW(Ta) 9ミリオーム @ 12A、10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS5P02R2G

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3.95A(Ta) 790mW(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS5P02R2GOSCT-ND@0

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 3.95A(Ta) 1900 pF @ 16 V 790mW(Ta) 33ミリオーム @ 5.4A、4.5V 1.25V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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NTMS5P02R2G

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 3.95A(Ta) 790mW(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-NTMS5P02R2GOSTR-ND@0

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 3.95A(Ta) 1900 pF @ 16 V 790mW(Ta) 33ミリオーム @ 5.4A、4.5V 1.25V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -

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