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ประเภทสต็อก
อันดับซัพพลายเออร์		 ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
Date Code		 ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ		 メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 電力散逸（最大） Id、Vgs印加時のRds On（最大） Id印加時のVgs（th）（最大） Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） Vgs（最大） 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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NTDS015N15MCT4G
RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 11A（Ta）、50A（Tc） 3.8W（Ta）、83W（Tc） 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number：zp2216-488-NTDS015N15MCT4GCT-ND@0

Nチャンネル 150 V 8V、10V 11A（Ta）、50A（Tc） 2120 pF @ 75 V 3.8W（Ta）、83W（Tc） 15ミリオーム @ 29A、10V 4.5V @ 162µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 DPAK MOSFET（金属酸化物） -
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NTDV20N06T4G-VF01
RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 20A（Ta） 1.88W（Ta） 面実装 DPAK
CoreStaff Part Number：zp2216-488-NTDV20N06T4G-VF01TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 10V 20A（Ta） 1015 pF @ 25 V 1.88W（Ta） 46ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C（TJ） 面実装 DPAK MOSFET（金属酸化物） -
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NTE4151PT1G
RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 760mA（Tj） 313mW（Tj） 面実装 SC-89-3
CoreStaff Part Number：zp2216-NTE4151PT1GOSCT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 760mA（Tj） 156 pF @ 5 V 313mW（Tj） 360ミリオーム @ 350mA、4.5V 1.2V @ 250µA 2.1 nC @ 4.5 V ±6V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SC-89-3 MOSFET（金属酸化物） -
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NTE4151PT1G
RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 760mA（Tj） 313mW（Tj） 面実装 SC-89-3
CoreStaff Part Number：zp2216-NTE4151PT1GOSTR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 760mA（Tj） 156 pF @ 5 V 313mW（Tj） 360ミリオーム @ 350mA、4.5V 1.2V @ 250µA 2.1 nC @ 4.5 V ±6V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SC-89-3 MOSFET（金属酸化物） -
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NTE4153NT1G
RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 915mA（Ta） 300mW（Tj） 面実装 SC-89-3
CoreStaff Part Number：zp2216-NTE4153NT1GOSTR-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 915mA（Ta） 110 pF @ 16 V 300mW（Tj） 230ミリオーム @ 600mA、4.5V 1.1V @ 250µA 1.82 nC @ 4.5 V ±6V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SC-89-3 MOSFET（金属酸化物） -
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NTE4153NT1G
RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 915mA（Ta） 300mW（Tj） 面実装 SC-89-3
CoreStaff Part Number：zp2216-NTE4153NT1GOSCT-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 915mA（Ta） 110 pF @ 16 V 300mW（Tj） 230ミリオーム @ 600mA、4.5V 1.1V @ 250µA 1.82 nC @ 4.5 V ±6V -55°C～150°C（TJ） 面実装 SC-89-3 MOSFET（金属酸化物） -

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